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TSM160P02CS - MOSFET P-Ch 20V 11A 0

TSM160P02CS – MOSFET P-Ch 20V 11A 0,016R SO8

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Artikelnummer: bc824d68875e Kategorie: MOSFETs
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  • TSM160P02CS – Der P-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
    • Technische Brillanz im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Technische Daten im Überblick
    • Qualität, die überzeugt
    • Ein Partner für Ihre Innovationen
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM160P02CS

TSM160P02CS – Der P-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte

Tauchen Sie ein in die Welt der effizienten und zuverlässigen Leistungselektronik mit dem TSM160P02CS, einem hochmodernen P-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Performance und Stabilität erfordern. Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für Innovation und Fortschritt in Ihren Projekten.

Der TSM160P02CS besticht durch seine herausragenden Eigenschaften und seine Vielseitigkeit. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein ambitionierter Bastler oder ein zukunftsorientierter Student sind, dieser MOSFET wird Ihre Erwartungen übertreffen und Ihre Ideen beflügeln.

Technische Brillanz im Detail

Der TSM160P02CS ist ein P-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vds) von 20V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 11A. Diese Spezifikationen ermöglichen den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, von der Stromversorgung bis zur Motorsteuerung. Der geringe Einschaltwiderstand (Rds(on)) von lediglich 0,016 Ohm minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb, was sich positiv auf die Lebensdauer Ihrer Geräte und die Energieeffizienz auswirkt.

  • P-Kanal MOSFET: Ermöglicht eine einfache Ansteuerung und eignet sich ideal für Low-Side-Schaltungen.
  • Drain-Source-Spannung (Vds): 20V – Bietet ausreichend Spielraum für verschiedene Spannungsbereiche.
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 11A – Sorgt für eine hohe Belastbarkeit und Zuverlässigkeit.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,016 Ohm – Minimiert Leistungsverluste und maximiert die Effizienz.
  • Gehäuse: SO8 – Kompakte Bauform für platzsparende Anwendungen.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der TSM160P02CS ist ein wahrer Alleskönner und findet in zahlreichen Anwendungsbereichen seinen Platz. Lassen Sie sich von den vielfältigen Einsatzmöglichkeiten inspirieren:

  • Stromversorgungen: Ob Schaltnetzteile, DC-DC-Wandler oder Ladegeräte – der TSM160P02CS sorgt für eine stabile und effiziente Stromversorgung.
  • Motorsteuerung: Steuern Sie kleine Motoren präzise und zuverlässig mit diesem leistungsstarken MOSFET.
  • Lastschalter: Schalten Sie Lasten sicher und effizient, um Energie zu sparen und die Lebensdauer Ihrer Geräte zu verlängern.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Überwachen und schützen Sie Ihre Batterien mit diesem zuverlässigen MOSFET.
  • Mobile Geräte: Profitieren Sie von der kompakten Bauform und dem geringen Stromverbrauch in Smartphones, Tablets und anderen tragbaren Geräten.

Technische Daten im Überblick

Die folgende Tabelle bietet Ihnen einen detaillierten Überblick über die technischen Daten des TSM160P02CS:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) -20 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±12 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) -11 A
Puls-Drain-Strom (Idm) -50 A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=-4.5V 16 mΩ
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=-2.5V 21 mΩ
Verlustleistung (Pd) 2.5 W
Betriebstemperatur -55 bis +150 °C
Gehäuse SO8

Qualität, die überzeugt

Der TSM160P02CS wird unter strengsten Qualitätsstandards gefertigt und unterliegt einer umfassenden Qualitätskontrolle. Sie können sich darauf verlassen, dass Sie ein Produkt erhalten, das nicht nur leistungsstark, sondern auch langlebig und zuverlässig ist. Wir sind stolz darauf, Ihnen ein Produkt anbieten zu können, das Ihre höchsten Ansprüche erfüllt.

Das SO8 Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen und sorgt für eine optimale Wärmeableitung. Die kompakte Bauform spart Platz und ermöglicht die Realisierung von miniaturisierten Lösungen.

Ein Partner für Ihre Innovationen

Mit dem TSM160P02CS erwerben Sie nicht nur ein elektronisches Bauteil, sondern einen Partner für Ihre kreativen Projekte. Dieser MOSFET wird Sie dabei unterstützen, Ihre Ideen zu verwirklichen und Ihre Visionen Realität werden zu lassen. Lassen Sie Ihrer Fantasie freien Lauf und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die der TSM160P02CS Ihnen bietet.

Investieren Sie in die Zukunft Ihrer Projekte und entscheiden Sie sich für den TSM160P02CS – den P-Kanal MOSFET, der Ihre Erwartungen übertreffen wird.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM160P02CS

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM160P02CS:

  1. Was bedeutet „P-Kanal“ bei einem MOSFET?

    Ein P-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn die Gate-Spannung negativer als die Source-Spannung ist. Im Vergleich zu N-Kanal MOSFETs, die bei positiver Gate-Spannung leiten, eignen sich P-Kanal MOSFETs gut für High-Side-Schaltungen, da sie einfacher anzusteuern sind, wenn die Last an Masse liegt.

  2. Welche Vorteile bietet der geringe Einschaltwiderstand (Rds(on)) des TSM160P02CS?

    Ein niedriger Rds(on) bedeutet, dass weniger Leistung in Wärme umgewandelt wird, wenn der MOSFET leitet. Dies führt zu einer höheren Effizienz, geringeren Verlusten und einer geringeren Wärmeentwicklung, was die Lebensdauer des MOSFETs und der gesamten Schaltung verlängert.

  3. Kann ich den TSM160P02CS auch bei höheren Temperaturen verwenden?

    Der TSM160P02CS ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C ausgelegt. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass die maximal zulässige Verlustleistung bei höheren Temperaturen reduziert wird. Achten Sie darauf, die technischen Daten zu berücksichtigen und gegebenenfalls eine geeignete Kühlung vorzusehen.

  4. Wie schließe ich den TSM160P02CS richtig an?

    Der TSM160P02CS hat drei Anschlüsse: Gate (G), Drain (D) und Source (S). Beachten Sie das Datenblatt für die genaue Pinbelegung. Im Allgemeinen wird das Gate mit dem Steuersignal verbunden, der Drain mit der Last und der Source mit der Versorgungsspannung. Achten Sie auf die Polarität, da es sich um einen P-Kanal MOSFET handelt.

  5. Was ist der Unterschied zwischen dem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) und dem Puls-Drain-Strom (Idm)?

    Der kontinuierliche Drain-Strom (Id) ist der maximale Strom, den der MOSFET dauerhaft leiten kann, ohne beschädigt zu werden. Der Puls-Drain-Strom (Idm) ist der maximale Strom, den der MOSFET kurzzeitig (in Pulsen) leiten kann. Die Dauer und Häufigkeit der Pulse sind im Datenblatt spezifiziert und müssen beachtet werden.

  6. Für welche Anwendungen ist der TSM160P02CS besonders geeignet?

    Der TSM160P02CS eignet sich hervorragend für Anwendungen, die einen effizienten und zuverlässigen P-Kanal MOSFET mit niedrigem Rds(on) erfordern. Dazu gehören Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Lastschalter, Batteriemanagementsysteme und mobile Geräte.

  7. Wo finde ich das vollständige Datenblatt des TSM160P02CS?

    Das vollständige Datenblatt des TSM160P02CS finden Sie auf der Website des Herstellers oder über eine einfache Google-Suche nach „TSM160P02CS datasheet“. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den elektrischen Eigenschaften, den thermischen Eigenschaften und den Anwendungsrichtlinien.

Bewertungen: 4.9 / 5. 380

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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