BUZ 11 – MOSFET, N-Kanal, 50 V, 35 A, RDS(on) 0,04 Ohm, TO-220AB

BUZ 11, N-Kanal Power MOSFET 50V, 30A, 40 mOBeschreibungDies ist ein N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-Feldeffekttransistor im Anreicherungsmodus, der für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber, Relaistreiber und Treiber für bipolare Hochleistungs-Schalttransistoren entwickelt wurde, die eine hohe Geschwindigkeit und eine geringe Gate-Treiberleistung erfordern. Dieser Typ kann direkt über integrierte Schaltungen betrieben werden.Merkmale• 30A, 50V• RDS(ON)= 0,040O• SOA ist verlustleistungsbegrenzt• Nanosekunden-Schaltgeschwindigkeiten• Lineare Übertragungseigenschaften• Hohe Eingangsimpedanz• Mehrheits-Träger-Bauelement