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TSM110NB04LCR - MOSFET N-Ch 40V 54A 0

TSM110NB04LCR – MOSFET N-Ch 40V 54A 0,011R PDFN56

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Artikelnummer: 00e672007764 Kategorie: MOSFETs
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  • TSM110NB04LCR – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
    • Ungezügelte Leistung für deine Innovationen
    • Technische Daten im Überblick
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
    • Das PDFN56 Gehäuse – Kompakte Größe, maximale Leistung
    • Qualität, die überzeugt
    • Der TSM110NB04LCR – Dein Schlüssel zum Erfolg
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04LCR

TSM110NB04LCR – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche

Stell dir vor, du könntest deine Elektronikprojekte mit einem Bauteil ausstatten, das nicht nur Leistung, sondern auch Effizienz und Zuverlässigkeit in Perfektion vereint. Der TSM110NB04LCR N-Kanal MOSFET ist genau das – ein Kraftpaket in einem kompakten PDFN56 Gehäuse, das deine Projekte auf das nächste Level hebt. Erlebe die Freiheit, anspruchsvolle Anwendungen mit Bravour zu meistern und dich auf die Performance deiner Schaltungen voll und ganz zu verlassen.

Ungezügelte Leistung für deine Innovationen

Der TSM110NB04LCR ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist der Schlüssel zu ungeahnter Leistung und eröffnet dir eine Welt voller Möglichkeiten. Mit einer Drain-Source-Spannung von 40V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 54A meistert er auch anspruchsvollste Aufgaben mit Leichtigkeit. Ob in der Motorsteuerung, im DC-DC-Wandler oder in der Lastschaltung – dieser MOSFET ist dein zuverlässiger Partner für jedes Projekt.

Die geringe Durchlasswiderstand (Rds(on)) von lediglich 0,011 Ohm minimiert die Verlustleistung und sorgt für einen effizienten Betrieb deiner Schaltungen. Weniger Wärme bedeutet eine längere Lebensdauer deiner Komponenten und eine höhere Gesamtperformance deines Systems. Das Ergebnis: Du sparst Energie, reduzierst Kosten und schonst die Umwelt.

Technische Daten im Überblick

Um dir einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des TSM110NB04LCR zu verschaffen, haben wir die wichtigsten Informationen in folgender Tabelle zusammengefasst:

Parameter Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vds) 40V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 54A
Durchlasswiderstand (Rds(on)) 0,011 Ohm
Gehäuse PDFN56

Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den TSM110NB04LCR zu einem idealen Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Der TSM110NB04LCR ist ein wahrer Allrounder und findet in den unterschiedlichsten Bereichen Anwendung. Lass dich von den vielfältigen Einsatzmöglichkeiten inspirieren:

  • Motorsteuerung: Ob in Robotern, Modellbau oder in industriellen Anwendungen – der TSM110NB04LCR ermöglicht eine präzise und effiziente Steuerung von Motoren.
  • DC-DC-Wandler: In der Stromversorgung von elektronischen Geräten sorgt er für eine stabile und effiziente Umwandlung von Spannungen.
  • Lastschaltung: Zum Schalten von Lasten in der Automatisierungstechnik oder in der Leistungselektronik ist er die perfekte Wahl.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schütze deine wertvollen Akkus und optimiere ihre Leistung mit dem TSM110NB04LCR.
  • Leistungsverstärker: Sorge für eine saubere und kraftvolle Verstärkung von Signalen in Audio- und HF-Anwendungen.

Diese Liste ist nur ein kleiner Ausschnitt der unzähligen Möglichkeiten, die dir der TSM110NB04LCR bietet. Lass deiner Kreativität freien Lauf und entdecke neue Anwendungen für dieses vielseitige Bauteil.

Das PDFN56 Gehäuse – Kompakte Größe, maximale Leistung

Das PDFN56 Gehäuse des TSM110NB04LCR überzeugt durch seine kompakte Bauweise und seine hervorragenden thermischen Eigenschaften. Trotz seiner geringen Größe bietet es eine exzellente Wärmeableitung, die eine hohe Leistungsfähigkeit des MOSFETs gewährleistet. Die flache Bauform ermöglicht zudem eine einfache Integration in deine Schaltungen und spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.

Die optimierte Pinbelegung des PDFN56 Gehäuses sorgt für eine einfache und sichere Kontaktierung des MOSFETs. Das Ergebnis: Du sparst Zeit und minimierst das Risiko von Fehlern beim Aufbau deiner Schaltungen.

Qualität, die überzeugt

Beim TSM110NB04LCR setzen wir auf höchste Qualitätsstandards. Jedes Bauteil wird sorgfältig geprüft, um sicherzustellen, dass es unseren hohen Ansprüchen genügt. Du kannst dich darauf verlassen, dass du ein Produkt erhältst, das zuverlässig funktioniert und eine lange Lebensdauer hat.

Wir wissen, dass deine Projekte wichtig sind und dass du dich auf deine Komponenten verlassen musst. Deshalb investieren wir viel Zeit und Mühe in die Qualitätssicherung unserer Produkte. Denn wir wollen, dass du mit unseren Produkten erfolgreich bist.

Der TSM110NB04LCR – Dein Schlüssel zum Erfolg

Der TSM110NB04LCR N-Kanal MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil. Er ist ein Werkzeug, das dir hilft, deine Visionen zu verwirklichen. Mit seiner Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ist er der ideale Partner für deine Elektronikprojekte.

Warte nicht länger und bestelle jetzt den TSM110NB04LCR. Erlebe die Freiheit, anspruchsvolle Anwendungen mit Bravour zu meistern und deine Projekte auf das nächste Level zu heben. Dein Erfolg ist unser Ziel.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04LCR

Hier findest du Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04LCR. Solltest du weitere Fragen haben, zögere nicht, uns zu kontaktieren.

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Dotierungsmaterial im Kanal zwischen Drain und Source.

  2. Was bedeutet die Angabe „40V“ bei der Drain-Source-Spannung?

    Die Drain-Source-Spannung von 40V gibt die maximale Spannung an, die zwischen Drain und Source angelegt werden darf, ohne dass der MOSFET beschädigt wird. Diese Spannung sollte nicht überschritten werden.

  3. Was bedeutet der Wert „54A“ beim kontinuierlichen Drain-Strom?

    Der kontinuierliche Drain-Strom von 54A gibt den maximalen Strom an, der dauerhaft durch den MOSFET fließen darf, ohne dass er überhitzt oder beschädigt wird. Dieser Wert ist abhängig von der Kühlung des Bauteils.

  4. Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und dem normalen Widerstand?

    Rds(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand des MOSFETs. Je geringer dieser Wert, desto geringer die Verlustleistung und desto effizienter der MOSFET.

  5. Wie kühle ich den TSM110NB04LCR am besten?

    Die Kühlung des TSM110NB04LCR hängt von der Anwendung und dem Strom ab, der durch den MOSFET fließt. Bei höheren Strömen empfiehlt es sich, einen Kühlkörper zu verwenden oder das Bauteil auf einer Leiterplatte mit guter Wärmeableitung zu montieren. Die Angaben im Datenblatt des Herstellers geben Auskunft.

  6. Kann ich den TSM110NB04LCR auch für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der TSM110NB04LCR eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen. Seine schnellen Schaltzeiten ermöglichen eine präzise Steuerung von Lasten.

  7. Wo finde ich das Datenblatt für den TSM110NB04LCR?

    Das Datenblatt für den TSM110NB04LCR findest du in unserem Onlineshop auf der Produktseite unter „Downloads“ oder auf der Webseite des Herstellers.

Bewertungen: 4.9 / 5. 592

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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