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TSM090N03CP - MOSFET N-Ch 30V 55A 0

TSM090N03CP – MOSFET N-Ch 30V 55A 0,009R TO252

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Artikelnummer: 614107b27934 Kategorie: MOSFETs
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  • TSM090N03CP – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
    • Technische Daten im Überblick
    • Anwendungsbereiche des TSM090N03CP
    • Die Vorteile des TO-252 Gehäuses (DPAK)
    • Warum der TSM090N03CP die richtige Wahl ist
    • Installation und Handhabung
    • Alternativen zum TSM090N03CP
    • Häufig gestellte Fragen (FAQ)

TSM090N03CP – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche

Entdecken Sie den TSM090N03CP, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser Transistor vereint Effizienz, Zuverlässigkeit und kompakte Bauweise in einem Bauteil und bietet somit die ideale Lösung für eine Vielzahl von Projekten, von DC-DC-Wandlern bis hin zu Motorsteuerungen. Tauchen Sie ein in die Welt der fortschrittlichen Leistungselektronik und erleben Sie, wie der TSM090N03CP Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.

Technische Daten im Überblick

Der TSM090N03CP zeichnet sich durch seine herausragenden technischen Daten aus, die ihn zu einer idealen Wahl für leistungsorientierte Anwendungen machen. Hier eine detaillierte Übersicht:

Parameter Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung (VDS) 30 V
Dauerstrom (ID) 55 A
Einschaltwiderstand (RDS(on)) 0,009 Ω (typisch)
Gehäuse TO-252 (DPAK)
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) 1 V bis 2,5 V

Diese Werte sprechen für sich: Der TSM090N03CP bietet eine hohe Strombelastbarkeit, einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und ist somit ideal für Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und geringe Verluste ankommt.

Anwendungsbereiche des TSM090N03CP

Die Vielseitigkeit des TSM090N03CP MOSFETs ermöglicht seinen Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele:

  • DC-DC-Wandler: Durch seinen niedrigen Einschaltwiderstand minimiert der TSM090N03CP die Verluste und erhöht den Wirkungsgrad von DC-DC-Wandlern.
  • Motorsteuerungen: Die hohe Strombelastbarkeit ermöglicht den Einsatz in Motorsteuerungen für Elektrowerkzeuge, Modellbau und andere Anwendungen.
  • Akkumanagementsysteme (BMS): In BMS-Systemen sorgt der MOSFET für eine effiziente Ladung und Entladung von Akkus.
  • Lastschalter: Der TSM090N03CP kann als effizienter und zuverlässiger Lastschalter in verschiedenen elektronischen Schaltungen eingesetzt werden.
  • LED-Beleuchtung: In modernen LED-Beleuchtungssystemen trägt der MOSFET zur Steuerung und Dimmung von LEDs bei.

Der TSM090N03CP ist somit ein echter Allrounder, der in nahezu jedem Bereich der Leistungselektronik seine Stärken ausspielen kann.

Die Vorteile des TO-252 Gehäuses (DPAK)

Das TO-252 (DPAK) Gehäuse bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber anderen Gehäuseformen. Es ist kompakt, robust und ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung. Dies ist besonders wichtig bei Anwendungen, bei denen hohe Ströme fließen und der MOSFET Wärme erzeugt. Dank der oberflächenmontierbaren Bauweise (SMD) lässt sich der TSM090N03CP einfach in bestehende Schaltungen integrieren und automatisiert bestücken. Die gute Wärmeableitung des Gehäuses trägt dazu bei, die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des MOSFETs zu erhöhen.

Warum der TSM090N03CP die richtige Wahl ist

In der Welt der elektronischen Bauelemente ist die Auswahl groß. Doch der TSM090N03CP sticht hervor. Er ist nicht nur ein weiteres Produkt, sondern eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Seine Leistungsfähigkeit, Effizienz und Zuverlässigkeit machen ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil jeder modernen elektronischen Schaltung. Stellen Sie sich vor, wie Ihre Projekte mit diesem MOSFET zum Leben erwachen, wie sie effizienter und zuverlässiger arbeiten als je zuvor. Das ist die Magie des TSM090N03CP.

Wählen Sie den TSM090N03CP und erleben Sie den Unterschied. Er ist mehr als nur ein Bauteil – er ist der Schlüssel zu Ihren erfolgreichsten Projekten.

Installation und Handhabung

Die Installation des TSM090N03CP erfordert grundlegende Kenntnisse in der Elektronik und im Umgang mit SMD-Bauteilen. Es ist wichtig, die ESD-Schutzmaßnahmen zu beachten, um Schäden am MOSFET zu vermeiden. Verwenden Sie eine ESD-sichere Arbeitsumgebung und tragen Sie eine Erdungsarmband. Beim Löten sollte die empfohlene Löttemperatur und -dauer eingehalten werden, um eine Überhitzung des Bauteils zu vermeiden. Vor der Inbetriebnahme ist es ratsam, die Schaltung sorgfältig zu überprüfen, um Kurzschlüsse oder andere Fehler zu vermeiden.

Alternativen zum TSM090N03CP

Obwohl der TSM090N03CP eine ausgezeichnete Wahl für viele Anwendungen ist, gibt es Situationen, in denen Alternativen in Betracht gezogen werden sollten. Hier sind einige Optionen:

  • Für höhere Spannungen: Wenn Ihre Anwendung höhere Spannungen erfordert, sollten Sie MOSFETs mit einer höheren VDS-Spezifikation in Betracht ziehen, z.B. Modelle mit 60V oder 100V.
  • Für geringere Ströme: In Anwendungen, die geringere Ströme benötigen, können MOSFETs mit niedrigeren ID-Werten und kleineren Gehäusen eine kostengünstigere und platzsparendere Alternative sein.
  • Für spezielle Anforderungen: Für bestimmte Anwendungen, wie z.B. Hochfrequenzschaltungen, gibt es spezielle MOSFETs mit optimierten Parametern.

Es ist wichtig, die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung sorgfältig zu analysieren, um den optimalen MOSFET auszuwählen.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM090N03CP:

Frage 1: Was bedeutet „N-Kanal“ bei einem MOSFET?

Antwort: Ein N-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird, wodurch ein leitfähiger Kanal zwischen Drain und Source entsteht.

Frage 2: Kann ich den TSM090N03CP ohne Kühlkörper verwenden?

Antwort: Das hängt von der Anwendung und dem Strom ab, der durch den MOSFET fließt. Bei höheren Strömen ist ein Kühlkörper erforderlich, um eine Überhitzung zu vermeiden. Bitte beachten Sie die Angaben im Datenblatt.

Frage 3: Wie bestimme ich den richtigen Gate-Vorwiderstand?

Antwort: Der Gate-Vorwiderstand beeinflusst die Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs. Ein kleinerer Widerstand führt zu schnellerem Schalten, kann aber auch zu höheren Stromspitzen führen. Ein größerer Widerstand reduziert die Stromspitzen, verlangsamt aber das Schalten. Die richtige Wahl hängt von der spezifischen Anwendung ab.

Frage 4: Was passiert, wenn ich die maximale Drain-Source-Spannung überschreite?

Antwort: Das Überschreiten der maximalen Drain-Source-Spannung kann zu einem Durchbruch des MOSFETs führen, wodurch er dauerhaft beschädigt wird.

Frage 5: Ist der TSM090N03CP ESD-empfindlich?

Antwort: Ja, MOSFETs sind generell ESD-empfindlich. Es ist wichtig, ESD-Schutzmaßnahmen zu beachten, um Schäden am Bauteil zu vermeiden.

Frage 6: Wo finde ich das Datenblatt für den TSM090N03CP?

Antwort: Das Datenblatt finden Sie auf der Website des Herstellers oder über eine Suche im Internet mit dem Suchbegriff „TSM090N03CP Datenblatt“.

Frage 7: Kann ich den TSM090N03CP für PWM-Anwendungen verwenden?

Antwort: Ja, der TSM090N03CP ist für PWM-Anwendungen geeignet, solange die Schaltfrequenz und die Verlustleistung innerhalb der spezifizierten Grenzen liegen.

Bewertungen: 4.6 / 5. 303

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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