TSM048NB06LCR – Der N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollsten Projekte
Entdecken Sie den TSM048NB06LCR, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seiner Robustheit neue Maßstäbe setzt. Ob für industrielle Anwendungen, moderne Schaltungen oder anspruchsvolle Bastelprojekte – dieser MOSFET bietet die Performance und Zuverlässigkeit, die Sie suchen. Tauchen Sie ein in die Welt der effizienten Leistungselektronik und erleben Sie, wie der TSM048NB06LCR Ihre Projekte beflügeln kann!
Technische Highlights, die überzeugen
Der TSM048NB06LCR besticht durch seine herausragenden technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen. Hier sind einige der wichtigsten Spezifikationen:
- N-Kanal MOSFET: Ermöglicht effiziente Schaltvorgänge und hohe Stromtragfähigkeit.
- Spannung: 60V – Ideal für Anwendungen, die eine moderate Spannungsfestigkeit erfordern.
- Strom: 107A – Bewältigt problemlos hohe Stromlasten und sorgt für zuverlässige Leistung.
- Widerstand (Rds(on)): 0,0048 Ohm – Minimaler Einschaltwiderstand für maximale Effizienz und geringe Verluste.
- Gehäuse: PDFN56 – Kompaktes und robustes Gehäuse für optimale Wärmeableitung und einfache Integration.
Diese beeindruckenden technischen Eigenschaften machen den TSM048NB06LCR zu einem echten Kraftpaket in der Welt der Leistungselektronik. Aber was bedeutet das konkret für Ihre Projekte?
Anwendungsbereiche: Vielseitigkeit in Perfektion
Die Vielseitigkeit des TSM048NB06LCR ist beeindruckend. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen MOSFET gewinnbringend in Ihren Projekten einsetzen können:
- Motorsteuerungen: Die hohe Stromtragfähigkeit und der geringe Einschaltwiderstand machen ihn ideal für die effiziente Steuerung von Elektromotoren in Robotern, Drohnen oder Elektrowerkzeugen.
- DC-DC Wandler: Nutzen Sie den TSM048NB06LCR in Ihren DC-DC Wandlern, um eine stabile und effiziente Stromversorgung für Ihre elektronischen Geräte zu gewährleisten.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und optimieren Sie deren Lebensdauer mit einem zuverlässigen MOSFET, der die hohen Anforderungen an Strom und Spannung in BMS-Systemen erfüllt.
- LED-Beleuchtung: Steuern Sie LED-Beleuchtungssysteme effizient und präzise, um Energie zu sparen und die Lebensdauer Ihrer LEDs zu verlängern.
- Leistungsschalter: Verwenden Sie den TSM048NB06LCR als elektronischen Schalter für hohe Ströme und Spannungen, um Ihre Schaltungen vor Überlastung und Kurzschlüssen zu schützen.
Die Liste der möglichen Anwendungen ist nahezu unbegrenzt. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die vielfältigen Einsatzmöglichkeiten des TSM048NB06LCR!
Warum der TSM048NB06LCR die richtige Wahl ist
Neben seinen beeindruckenden technischen Daten und seiner Vielseitigkeit bietet der TSM048NB06LCR noch weitere Vorteile, die ihn zur idealen Wahl für Ihre Projekte machen:
- Hohe Effizienz: Der geringe Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und sorgt für eine hohe Energieeffizienz, was sich positiv auf die Lebensdauer Ihrer Geräte und den Stromverbrauch auswirkt.
- Zuverlässigkeit: Der TSM048NB06LCR ist robust und langlebig, was ihn zu einer zuverlässigen Komponente in Ihren Schaltungen macht.
- Einfache Integration: Das kompakte PDFN56-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre bestehenden Schaltungen und reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
- Optimale Wärmeableitung: Das Gehäuse ist so konzipiert, dass die Wärme optimal abgeleitet wird, was die Lebensdauer des MOSFETs verlängert und die Zuverlässigkeit erhöht.
Mit dem TSM048NB06LCR investieren Sie in eine Komponente, die Ihnen nicht nur Leistung, sondern auch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit bietet. Erleben Sie den Unterschied!
Technische Daten im Detail
Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des TSM048NB06LCR:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 60 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Drain-Strom (Id) | 107 | A |
| Puls-Drain-Strom (Idm) | 300 | A |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=10V | 0.0048 | Ohm |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=4.5V | 0.007 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 45 | nC |
| Leistungsverlust (Pd) | 96 | W |
| Betriebstemperatur | -55 bis +150 | °C |
| Gehäuse | PDFN56 |
Diese detaillierten technischen Daten ermöglichen es Ihnen, den TSM048NB06LCR optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und das Beste aus ihm herauszuholen.
Der TSM048NB06LCR: Mehr als nur ein MOSFET
Der TSM048NB06LCR ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil. Er ist ein Schlüssel zu innovativen Lösungen, effizienteren Schaltungen und zuverlässigeren Produkten. Er ist die Basis für Ihre kreativen Ideen und technischen Innovationen. Lassen Sie sich von der Leistung und Vielseitigkeit dieses MOSFETs inspirieren und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik mit!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM048NB06LCR
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der den Stromfluss zwischen Drain und Source steuert, indem er ein elektrisches Feld am Gate anlegt. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Halbleitermaterial, das für den Kanal verwendet wird, durch den die Elektronen fließen.
2. Für welche Anwendungen ist der TSM048NB06LCR besonders geeignet?
Der TSM048NB06LCR eignet sich hervorragend für Motorsteuerungen, DC-DC Wandler, Batteriemanagementsysteme (BMS), LED-Beleuchtung und Leistungsschalter, überall dort, wo hohe Ströme und moderate Spannungen geschaltet werden müssen.
3. Was bedeutet der Wert „Rds(on)“ und warum ist er wichtig?
Rds(on) steht für den Drain-Source-Einschaltwiderstand. Es ist der Widerstand, den der MOSFET bietet, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedriger Rds(on)-Wert bedeutet weniger Leistungsverluste und eine höhere Effizienz der Schaltung.
4. Wie kann ich den TSM048NB06LCR am besten kühlen?
Um den TSM048NB06LCR optimal zu kühlen, sollten Sie sicherstellen, dass er auf einer Leiterplatte mit ausreichend Kupferfläche montiert ist, um die Wärme abzuleiten. Bei Bedarf können Sie auch einen Kühlkörper verwenden, der auf das Gehäuse des MOSFETs aufgeklebt wird.
5. Welche Vorsichtsmaßnahmen sollte ich beim Umgang mit dem TSM048NB06LCR beachten?
Beachten Sie die maximalen Spannungs- und Stromwerte, um Schäden am MOSFET zu vermeiden. Vermeiden Sie statische Entladungen, da diese den MOSFET beschädigen können. Verwenden Sie beim Löten eine ESD-sichere Arbeitsumgebung.
6. Wo finde ich das Datenblatt für den TSM048NB06LCR?
Das Datenblatt für den TSM048NB06LCR finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers oder auf Elektronik-Distributionsplattformen. Suchen Sie einfach nach „TSM048NB06LCR datasheet“ in einer Suchmaschine.
7. Kann ich den TSM048NB06LCR auch für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der TSM048NB06LCR ist sehr gut für PWM-Anwendungen geeignet. Seine schnelle Schaltgeschwindigkeit und der geringe Einschaltwiderstand machen ihn zu einer idealen Wahl für die effiziente Steuerung von Lasten mit Pulsweitenmodulation.
