Der STB18NF25 – Dein Schlüssel zu zuverlässiger Leistung in der Leistungselektronik
Entdecke den STB18NF25, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit seiner beeindruckenden Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem Einschaltwiderstand und robuster Bauweise im D2Pak Gehäuse bietet dieser MOSFET eine herausragende Performance und Zuverlässigkeit, die deine Projekte auf ein neues Level heben wird. Egal, ob du ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Bastler bist, der STB18NF25 ist die ideale Wahl für Anwendungen, die höchste Effizienz und Stabilität erfordern.
Technische Meisterleistung im Detail
Der STB18NF25 überzeugt mit seinen herausragenden technischen Daten:
- Spannungsfestigkeit: 250V – Bietet einen großzügigen Spielraum für verschiedenste Anwendungen und schützt vor Überspannungen.
- Dauerstrom: 17A – Ermöglicht den Betrieb von leistungsstarken Lasten ohne Kompromisse.
- Einschaltwiderstand (RDS(on)): 0,165R – Minimiert Verluste und sorgt für einen hohen Wirkungsgrad deiner Schaltungen.
- Gehäuse: D2Pak – Bietet eine ausgezeichnete Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage.
Diese Eigenschaften machen den STB18NF25 zu einem unverzichtbaren Bauteil für alle, die Wert auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit legen. Stell dir vor, wie deine Projekte von der optimierten Performance und der reduzierten Wärmeentwicklung profitieren werden!
Anwendungsbereiche, die begeistern
Die Vielseitigkeit des STB18NF25 kennt kaum Grenzen. Hier sind einige der spannendsten Anwendungsbereiche:
- Schaltnetzteile: Optimiert die Effizienz und Zuverlässigkeit deiner Stromversorgungen.
- Motorsteuerungen: Ermöglicht präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren.
- DC-DC Wandler: Wandelt Spannungen mit minimalen Verlusten und maximaler Effizienz.
- Wechselrichter: Wandelt Gleichstrom in Wechselstrom für Solaranlagen, USV-Systeme und mehr.
- Leistungsverstärker: Verstärkt Signale mit minimaler Verzerrung und hoher Leistung.
Ob in industriellen Anwendungen, in der Automobiltechnik oder in deinen eigenen innovativen Projekten – der STB18NF25 bietet die Leistung und Zuverlässigkeit, die du brauchst, um deine Visionen zu verwirklichen.
Die Vorteile, die überzeugen
Warum solltest du dich für den STB18NF25 entscheiden? Hier sind einige der wichtigsten Vorteile, die dich begeistern werden:
- Hohe Effizienz: Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert Verluste und spart Energie.
- Hohe Zuverlässigkeit: Die robuste Bauweise und die hohe Spannungsfestigkeit sorgen für einen langen und störungsfreien Betrieb.
- Einfache Montage: Das D2Pak Gehäuse ermöglicht eine einfache und sichere Montage auf Kühlkörpern.
- Vielseitigkeit: Der STB18NF25 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
- Kosteneffektivität: Bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis.
Mit dem STB18NF25 investierst du in ein Bauteil, das nicht nur deine technischen Anforderungen erfüllt, sondern auch deine Erwartungen übertrifft. Erlebe die Freiheit, deine Ideen ohne Kompromisse umzusetzen!
Technische Daten im Überblick
Hier findest du eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des STB18NF25:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (VDS) | 250 | V |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±20 | V |
| Dauerstrom (ID) | 17 | A |
| Pulsstrom (IDM) | 68 | A |
| Verlustleistung (PD) | 125 | W |
| Einschaltwiderstand (RDS(on)) @ VGS = 10V | 0,165 | Ω |
| Gate-Ladung (Qg) | 20 | nC |
| Gehäuse | D2Pak | – |
| Betriebstemperatur | -55 bis +175 | °C |
Diese Tabelle bietet dir einen umfassenden Überblick über die wichtigsten Parameter des STB18NF25 und hilft dir, die richtige Entscheidung für deine Anwendung zu treffen.
Dein nächster Schritt zu innovativen Lösungen
Der STB18NF25 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu innovativen Lösungen und grenzenloser Kreativität. Bestelle jetzt und entdecke die Möglichkeiten, die dieser leistungsstarke MOSFET dir bietet. Lass dich von seiner Performance inspirieren und realisiere Projekte, die die Welt verändern!
FAQ – Häufig gestellte Fragen
Hier findest du Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STB18NF25:
- Was bedeutet „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Er wird durch Anlegen einer positiven Spannung an das Gate aktiviert.
- Wie berechne ich die benötigte Kühlleistung für den STB18NF25?
Die benötigte Kühlleistung hängt von der Verlustleistung des MOSFET ab. Berechne die Verlustleistung (PD) anhand des Stroms und des Einschaltwiderstands (RDS(on)). Wähle dann einen Kühlkörper, der die Wärme effizient abführen kann, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten.
- Kann ich den STB18NF25 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Achte jedoch darauf, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind und gleiche Temperaturprofile aufweisen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zu gewährleisten. Ggf. sind auch kleine Source-Widerstände zur Lastverteilung hilfreich.
- Welche Schutzmaßnahmen sind beim Betrieb des STB18NF25 zu beachten?
Es ist wichtig, den MOSFET vor Überspannungen und Überströmen zu schützen. Verwende TVS-Dioden oder Snubber-Schaltungen, um Spannungsspitzen zu reduzieren. Eine Strombegrenzung kann den MOSFET vor Beschädigungen durch Überlast schützen.
- Was ist der Unterschied zwischen D2Pak und anderen Gehäusetypen?
Das D2Pak Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und ist für die Oberflächenmontage (SMD) geeignet. Es ist größer als beispielsweise ein TO-220 Gehäuse, bietet aber auch eine bessere Wärmeableitung und ermöglicht höhere Ströme.
- Wo finde ich ein Datenblatt für den STB18NF25?
Ein Datenblatt für den STB18NF25 findest du in der Regel auf der Webseite des Herstellers (z.B. STMicroelectronics) oder auf einschlägigen Elektronik-Webseiten und Distributor-Seiten.
- Kann ich den STB18NF25 in einer H-Brücke verwenden?
Ja, der STB18NF25 eignet sich hervorragend für den Einsatz in H-Brücken-Schaltungen zur Steuerung von Motoren oder anderen Lasten. Achte auf die korrekte Ansteuerung der MOSFETs und die Einhaltung der Spannungs- und Stromgrenzen.
