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SPP 20N60 S5 - Cool MOS MOSFET 600V

SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET 600V, 20A, 0,19R, TO-220

5,30 €

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Artikelnummer: 1ae5cc4f2f13 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Leistungsstarke Schaltlösungen für höchste Ansprüche: Der SPP 20N60 S5 Cool MOS MOSFET
  • Warum der SPP 20N60 S5 die überlegene Wahl ist
  • Exzellente elektrische und thermische Eigenschaften
  • Vorteile des SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET
  • Technische Spezifikationen im Detail
  • Anwendungsgebiete und Einsatzmöglichkeiten
  • FAQs – Häufig gestellte Fragen zu SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET 600V, 20A, 0,19R, TO-220
    • Was sind die Hauptvorteile der Cool MOS-Technologie im SPP 20N60 S5?
    • Für welche Anwendungen ist der SPP 20N60 S5 besonders gut geeignet?
    • Wie unterscheidet sich der SPP 20N60 S5 von einem herkömmlichen Silizium-MOSFET?
    • Ist die TO-220-Bauform für alle Anwendungen ausreichend?
    • Welche Bedeutung hat der Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 0,19 Ohm?
    • Benötige ich spezielle Ansteuerungs-Schaltkreise für diesen MOSFET?
    • Wie kann ich die Lebensdauer des SPP 20N60 S5 maximieren?

Leistungsstarke Schaltlösungen für höchste Ansprüche: Der SPP 20N60 S5 Cool MOS MOSFET

Sie suchen nach einem extrem zuverlässigen und effizienten Leistungshalbleiter für anspruchsvolle Schaltungen, bei denen es auf höchste Spannungsfestigkeit und Schaltgeschwindigkeit ankommt? Der SPP 20N60 S5 – ein Cool MOS MOSFET mit 600V Spannungsfestigkeit, 20A Strombelastbarkeit und einem geringen Durchlasswiderstand von nur 0,19 Ohm im bewährten TO-220 Gehäuse – ist die ideale Komponente für Entwickler und Ingenieure, die Spitzenleistung ohne Kompromisse benötigen.

Warum der SPP 20N60 S5 die überlegene Wahl ist

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs bietet die Cool MOS-Technologie des SPP 20N60 S5 signifikante Vorteile, insbesondere in Bezug auf die Energieeffizienz und die Leistungsdichte. Die innovative Zellstruktur ermöglicht einen deutlich reduzierten Gate-Ladung und einen extrem niedrigen RDS(on) (Durchlasswiderstand) bei gleichzeitig hoher Spannungsfestigkeit. Dies resultiert in geringeren Schaltverlusten und einer reduzierten Wärmeentwicklung, was insbesondere in Hochfrequenzanwendungen und bei hoher Last entscheidend ist. Die TO-220-Bauform gewährleistet zudem eine einfache Montage und eine gute Wärmeabfuhr, was die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bauteils weiter erhöht. Der SPP 20N60 S5 setzt neue Maßstäbe in der Leistungselektronik.

Exzellente elektrische und thermische Eigenschaften

Der SPP 20N60 S5 zeichnet sich durch seine herausragenden elektrischen Kenndaten aus, die ihn für eine Vielzahl von anspruchsvollen Anwendungen prädestinieren. Die 600V-Spannungsfestigkeit ermöglicht den Einsatz in Systemen mit hohen Spannungsspitzen, während die kontinuierliche Strombelastbarkeit von 20A auch für leistungsintensive Schaltungen ausreicht. Der niedrige Durchlasswiderstand von nur 0,19 Ohm minimiert Leistungsverluste und trägt somit zu einer gesteigerten Effizienz Ihrer Schaltung bei. Die Kombination dieser Parameter macht den SPP 20N60 S5 zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen, bei denen geringe Verluste und hohe Zuverlässigkeit oberste Priorität haben.

Vorteile des SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET

  • Hohe Effizienz: Dank der Cool MOS-Technologie werden Schaltverluste und der Durchlasswiderstand minimiert, was zu einer gesteigerten Energieeffizienz führt.
  • Hervorragende Spannungsfestigkeit: Die 600V-Nennspannung ermöglicht den Einsatz in Systemen mit hohen Spannungsanforderungen und bietet Reserven für Spannungsspitzen.
  • Hohe Strombelastbarkeit: Mit einer Dauerstrombelastbarkeit von 20A ist der MOSFET für eine Vielzahl von leistungshungrigen Anwendungen geeignet.
  • Geringer Durchlasswiderstand (RDS(on)): Der Wert von 0,19 Ohm minimiert Leistungsverluste im eingeschalteten Zustand und reduziert die Wärmeentwicklung.
  • Schnelle Schaltzeiten: Die Cool MOS-Architektur ermöglicht schnelle Schaltdynamiken, was für Hochfrequenzanwendungen essentiell ist.
  • Robuste TO-220-Bauform: Das Standardgehäuse erleichtert die Integration in bestehende Designs und gewährleistet eine gute Wärmeableitung.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Die fortschrittliche Halbleitertechnologie und das bewährte Gehäusedesign sorgen für eine lange Lebensdauer und Betriebssicherheit.
  • Reduzierte Gate-Ladung: Dies führt zu einer verbesserten Schaltleistung und geringeren Ansteuerungsverlusten.

Technische Spezifikationen im Detail

Merkmal Spezifikation
Typ N-Kanal MOSFET
Serienname Cool MOS S5
Spannungsfestigkeit (UDS) 600 V
Dauerstrombelastbarkeit (ID @ 25°C) 20 A
Durchlasswiderstand (RDS(on)) 0,19 Ω
Gate-Source-Schwellenspannung (UGS(th)) Typisch 3,5 V
Maximale Verlustleistung (PD) Typisch 150 W (bei ausreichender Kühlung)
Gehäuse TO-220
Schaltgeschwindigkeit Sehr schnell (charakteristisch für Cool MOS)
Anwendungen Netzteile, Wechselrichter, Motorsteuerungen, LED-Treiber, Schaltregler

Anwendungsgebiete und Einsatzmöglichkeiten

Der SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET ist aufgrund seiner herausragenden Leistungsmerkmale eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette von Hochleistungsanwendungen. Dazu gehören:

  • Schaltnetzteile (SMPS): Insbesondere für primärseitige Schaltungen, wo hohe Spannungen und effizientes Schalten gefragt sind, beispielsweise in Computernetzteilen, Servernetzteilen und industriellen Stromversorgungen.
  • Wechselrichter: Ob für Photovoltaik-Systeme, USVs (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen) oder mobile Stromerzeuger – die hohe Spannungsfestigkeit und Effizienz des SPP 20N60 S5 sind hier von entscheidendem Vorteil.
  • Motorsteuerungen: Für die Ansteuerung von Elektromotoren in industriellen Anwendungen, Elektrofahrzeugen oder Haushaltsgeräten, wo präzise und effiziente Leistungsübertragung gefragt ist.
  • LED-Treiber: In Hochleistungs-LED-Beleuchtungssystemen ermöglicht der MOSFET eine effiziente und zuverlässige Stromregelung.
  • Oszillatoren und Leistungsumwandler: Seine schnelle Schaltfähigkeit macht ihn ideal für den Einsatz in verschiedenen Oszillator- und Konvertertopologien.
  • Industrielle Automatisierung: Überall dort, wo robuste und energieeffiziente Leistungshalbleiter für Steuerungs- und Regelungsaufgaben benötigt werden.

Die fortschrittliche Cool MOS-Technologie minimiert die Energieverluste, was zu einer höheren Gesamteffizienz des Systems führt und die Betriebskosten senkt. Dies ist besonders in Anwendungen mit kontinuierlichem Betrieb und hoher Leistung von großer Bedeutung. Die einfache Handhabung im TO-220-Gehäuse erleichtert zudem die Integration in unterschiedliche Schaltungsdesigns.

FAQs – Häufig gestellte Fragen zu SPP 20N60 S5 – Cool MOS MOSFET 600V, 20A, 0,19R, TO-220

Was sind die Hauptvorteile der Cool MOS-Technologie im SPP 20N60 S5?

Die Cool MOS-Technologie zeichnet sich durch eine optimierte Zellstruktur aus, die zu einem niedrigeren Gate-Ladung und einem signifikant reduzierten Durchlasswiderstand (RDS(on)) bei hoher Spannungsfestigkeit führt. Dies resultiert in geringeren Schaltverlusten und einer höheren Energieeffizienz im Vergleich zu Standard-MOSFETs.

Für welche Anwendungen ist der SPP 20N60 S5 besonders gut geeignet?

Der SPP 20N60 S5 eignet sich hervorragend für Hochleistungsanwendungen wie Schaltnetzteile, Wechselrichter, Motorsteuerungen, LED-Treiber und industrielle Leistungsumwandler, bei denen hohe Spannungsfestigkeit, hohe Strombelastbarkeit und maximale Effizienz gefordert sind.

Wie unterscheidet sich der SPP 20N60 S5 von einem herkömmlichen Silizium-MOSFET?

Der Hauptunterschied liegt in der proprietären Cool MOS-Architektur, die eine bessere Balance zwischen Durchlasswiderstand, Gate-Ladung und Spannungsfestigkeit ermöglicht. Dies führt zu geringeren Verlusten und einer höheren Effizienz, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen und Lasten.

Ist die TO-220-Bauform für alle Anwendungen ausreichend?

Die TO-220-Bauform ist ein industrieller Standard und bietet eine gute thermische Anbindung. Für Anwendungen mit sehr hoher Dauerverlustleistung kann jedoch eine zusätzliche Kühlung, wie ein Kühlkörper, notwendig sein, um die spezifizierten Betriebstemperaturen einzuhalten.

Welche Bedeutung hat der Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 0,19 Ohm?

Ein niedriger RDS(on)-Wert von 0,19 Ohm bedeutet, dass im eingeschalteten Zustand nur wenig Energie in Form von Wärme verloren geht. Dies trägt direkt zur Effizienz der Schaltung bei und reduziert die Notwendigkeit für aufwendige Kühlmaßnahmen.

Benötige ich spezielle Ansteuerungs-Schaltkreise für diesen MOSFET?

Der SPP 20N60 S5 hat eine typische Gate-Source-Schwellenspannung von 3,5V. Er kann mit gängigen MOSFET-Gate-Treibern angesteuert werden. Aufgrund der schnellen Schaltzeiten empfiehlt sich die Verwendung von Treibern, die für schnelle MOSFETs optimiert sind, um die vollen Vorteile der Cool MOS-Technologie zu nutzen.

Wie kann ich die Lebensdauer des SPP 20N60 S5 maximieren?

Die Maximierung der Lebensdauer hängt von der Einhaltung der maximal zulässigen elektrischen und thermischen Parameter ab. Dies beinhaltet die Beachtung der maximalen Strom- und Spannungsbelastung, die Vermeidung von Überschreitungen der maximalen Betriebstemperatur durch ausreichende Kühlung und die korrekte Ansteuerung des Gate.

Bewertungen: 4.9 / 5. 389

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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