Entdecken Sie Höchstleistung und Zuverlässigkeit mit dem SPA11N80C3 N-Kanal MOSFET
Für Ingenieure, Entwickler und Technikbegeisterte, die nach einer robusten und effizienten Lösung für anspruchsvolle Schaltanwendungen suchen, bietet der SPA11N80C3 N-Kanal MOSFET von Lan.de herausragende Leistung. Dieses Bauteil ist die ideale Wahl, um Energieverluste zu minimieren und die Stabilität in Hochspannungs- und Hochstromsystemen zu gewährleisten, insbesondere dort, wo herkömmliche MOSFETs an ihre Grenzen stoßen.
Überlegene Leistung und Designvorteile
Der SPA11N80C3 N-Kanal MOSFET zeichnet sich durch seine außergewöhnliche Spannungsfestigkeit von 800V und einen Dauerstrom von 11A aus. Mit einer geringen Durchlasswiderstand von nur 0,45 Ohm minimiert er signifikant Leistungsverluste in Form von Wärme, was ihn zu einer überlegenen Wahl gegenüber Standardlösungen macht, die oft höhere Verluste und damit verbundenen Kühlungsaufwand aufweisen. Seine Konzeption im TO220-Fullpak-Gehäuse gewährleistet eine exzellente Wärmeableitung und mechanische Robustheit, was für den Langzeiteinsatz unter anspruchsvollen Bedingungen unerlässlich ist.
Anwendungsbereiche und technische Überlegenheit
Dieser N-Kanal MOSFET ist prädestiniert für eine Vielzahl von anspruchsvollen Applikationen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit an erster Stelle stehen. Seine hohe Sperrspannung von 800V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit erheblichen Spannungsspitzen, wie sie in Schaltnetzteilen, industriellen Stromversorgungen, Motorsteuerungen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) vorkommen. Die Fähigkeit, hohe Ströme zu schalten, ohne übermäßige Hitze zu entwickeln, reduziert den Bedarf an komplexen und kostspieligen Kühllösungen. Die geringe RDS(on) (Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand) von 0,45 Ohm ist ein Schlüsselindikator für hohe Effizienz, da weniger Energie in Wärme umgewandelt wird, wenn Strom fließt. Dies führt zu einer längeren Lebensdauer des Bauteils und des Gesamtsystems.
Herausragende Merkmale des SPA11N80C3
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit 800V Nennspannung ist der MOSFET für den Einsatz in Hochspannungsapplikationen bestens geeignet und bietet eine signifikante Sicherheitsreserve.
- Effiziente Stromschaltung: 11A Dauerstrombelastbarkeit ermöglichen den Einsatz in leistungsstarken Schaltungen.
- Minimale Leistungsverluste: Ein niedriger Durchlasswiderstand von nur 0,45 Ohm reduziert die Wärmeentwicklung und erhöht die Gesamteffizienz des Systems.
- Robuste Gehäuseform: Das TO220-Fullpak-Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische Eigenschaften und eine einfache Montage in PCB-Designs.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeiten: Optimiert für schnelle Ein- und Ausschaltzeiten, was für moderne Schaltregler und Umrichter entscheidend ist.
- Hohe Zuverlässigkeit: Konzipiert für den Dauerbetrieb unter anspruchsvollen Bedingungen, was die Betriebszeit und Lebensdauer Ihrer Geräte verlängert.
Technische Spezifikationen im Überblick
| Spezifikation | Wert / Eigenschaft |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Spannungsfestigkeit (Vds) | 800 V |
| Dauerstrom (Id) | 11 A |
| RDS(on) | 0,45 Ω (typisch bei Vgs = 10V, Id = 5,5A) |
| Gauss-Gate-Spannung (Vgs) | ±30 V (maximal) |
| Schwellenspannung (Vgs(th)) | Ca. 3,5 V bis 4,5 V (typisch) |
| Leistung (Pd) | 41 W (bei 25°C Gehäusetemperatur) |
| Gehäuse | TO220-Fullpak |
| Anschlussart | Through-Hole (THT) |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C bis +150 °C |
| Transienten-Strom (Idm) | Ca. 33 A (Impulsstrom) |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu SPA11N80C3 – MOSFET N-Ch 800V 11A 41W 0,45R TO220-Fullpak
Für welche Hauptanwendungen ist der SPA11N80C3 N-Kanal MOSFET am besten geeignet?
Der SPA11N80C3 N-Kanal MOSFET eignet sich hervorragend für Hochspannungs-Schaltnetzteile, industrielle Stromversorgungen, Motorsteuerungen, LED-Treiber, Wechselrichter und andere energieeffiziente Schaltungen, bei denen eine hohe Spannungsfestigkeit und geringe Leistungsverluste erforderlich sind.
Was bedeutet die Angabe „RDS(on) von 0,45 Ohm“?
RDS(on) steht für den Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand. Ein niedriger Wert wie 0,45 Ohm bedeutet, dass der MOSFET bei Stromfluss sehr wenig Widerstand leistet. Dies führt zu minimalen Energieverlusten in Form von Wärme, was die Effizienz des Systems erhöht und die Notwendigkeit für aufwendige Kühlkörper reduziert.
Ist das TO220-Fullpak-Gehäuse für hohe Leistung geeignet?
Ja, das TO220-Fullpak-Gehäuse ist speziell für Anwendungen mit moderater bis hoher Leistung konzipiert. Es bietet eine gute thermische Anbindung, um die Wärme vom Halbleiterkern effektiv an die Umgebung oder an einen Kühlkörper abzuführen. Dies ist entscheidend für die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des MOSFETs.
Wie unterscheidet sich dieser MOSFET von einem Standard-Silizium-MOSFET?
Dieser MOSFET bietet eine deutlich höhere Spannungsfestigkeit von 800V im Vergleich zu vielen Standard-Silizium-MOSFETs, die typischerweise bei 600V oder niedriger liegen. Zudem ist die Kombination aus hoher Spannung, moderatem Strom und niedrigem RDS(on) auf Leistung und Effizienz optimiert, was ihn für anspruchsvollere Anwendungen überlegen macht.
Welche Gate-Treiber-Spannung wird für den SPA11N80C3 empfohlen?
Für eine vollständige Durchschaltung (Sättigung) des MOSFETs wird typischerweise eine Gate-Source-Spannung (Vgs) von etwa 10V bis 15V empfohlen. Die genauen Werte für die optimale Leistung und Schaltgeschwindigkeit können im Datenblatt des Herstellers gefunden werden. Die maximale zulässige Vgs liegt bei ±30V.
Kann der SPA11N80C3 für Schaltfrequenzen im Kilohertz-Bereich verwendet werden?
Ja, MOSFETs wie der SPA11N80C3 sind für schnelle Schaltvorgänge optimiert und können problemlos in Schaltnetzteilen und anderen Anwendungen eingesetzt werden, die im Bereich von Dutzenden bis Hunderten von Kilohertz arbeiten. Die genaue Eignung für sehr hohe Frequenzen hängt von der spezifischen Schaltungstopologie und den Designanforderungen ab.
Welche Sicherheitsvorkehrungen sind beim Umgang mit diesem Hochspannungs-MOSFET zu beachten?
Beim Umgang mit Hochspannungsbauteilen wie dem SPA11N80C3 sind strenge Sicherheitsvorkehrungen zu treffen. Stellen Sie sicher, dass die Stromversorgung vollständig getrennt ist, bevor Sie mit der Schaltung arbeiten. Verwenden Sie geeignete Isolationsmaßnahmen und Schutzausrüstung. Die Arbeit an Hochspannungsschaltungen sollte nur von qualifiziertem Personal durchgeführt werden.
