Der SPA11N80C3: Ihr Schlüssel zu effizienter Leistung in der Leistungselektronik
Entdecken Sie den SPA11N80C3, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und der robusten Bauweise im TO220-Fullpak-Gehäuse bietet dieser MOSFET die perfekte Kombination aus Effizienz, Zuverlässigkeit und einfacher Integration. Erleben Sie, wie der SPA11N80C3 Ihre Projekte auf ein neues Level hebt und Ihnen die Kontrolle über Ihre elektronischen Schaltungen ermöglicht.
Technische Daten, die überzeugen
Der SPA11N80C3 ist ein N-Kanal MOSFET, der mit einer Sperrspannung von 800V und einem Dauerstrom von 11A beeindruckt. Diese Kombination ermöglicht es Ihnen, auch anspruchsvolle Lasten sicher und effizient zu schalten. Der niedrige Einschaltwiderstand von nur 0,45 Ohm minimiert die Verluste und sorgt für eine optimale Wärmeableitung. Mit einer Verlustleistung von 41W bietet der SPA11N80C3 genügend Spielraum für vielfältige Anwendungen. Ob Sie Schaltnetzteile, Motorsteuerungen oder andere leistungselektronische Schaltungen realisieren möchten, dieser MOSFET ist die ideale Wahl.
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Sperrspannung (Vds): 800V
- Dauerstrom (Id): 11A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,45 Ohm
- Verlustleistung (Pd): 41W
- Gehäuse: TO220-Fullpak
Das TO220-Fullpak-Gehäuse: Robustheit und Isolation in Perfektion
Das TO220-Fullpak-Gehäuse des SPA11N80C3 bietet nicht nur eine ausgezeichnete Wärmeableitung, sondern auch eine verbesserte Isolation. Im Vergleich zum herkömmlichen TO220-Gehäuse ist das Fullpak-Gehäuse vollständig isoliert, was die Montage vereinfacht und das Risiko von Kurzschlüssen minimiert. Diese Eigenschaft ist besonders in Anwendungen mit hohen Spannungen von Vorteil, da sie die Sicherheit und Zuverlässigkeit Ihrer Schaltung erhöht. Dank der robusten Bauweise ist der SPA11N80C3 widerstandsfähig gegenüber mechanischen Belastungen und Umwelteinflüssen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Der SPA11N80C3 ist ein vielseitiger MOSFET, der in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann. Seine hohe Sperrspannung und der niedrige Einschaltwiderstand machen ihn zur idealen Wahl für:
- Schaltnetzteile (SMPS): Effiziente und zuverlässige Stromversorgung für elektronische Geräte.
- Motorsteuerungen: Präzise und kraftvolle Steuerung von Elektromotoren.
- LED-Beleuchtung: Hocheffiziente Ansteuerung von LED-Leuchten.
- Wechselrichter: Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom für Photovoltaikanlagen und USV-Systeme.
- Leistungsverstärker: Verstärkung von elektrischen Signalen mit hoher Leistung.
Darüber hinaus eignet sich der SPA11N80C3 auch für kundenspezifische Anwendungen, bei denen eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit erforderlich sind. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie die vielfältigen Möglichkeiten, die dieser MOSFET bietet.
Vorteile, die überzeugen
Der SPA11N80C3 bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von anderen MOSFETs abheben:
- Hohe Sperrspannung: 800V für anspruchsvolle Anwendungen.
- Niedriger Einschaltwiderstand: 0,45 Ohm für minimale Verluste.
- TO220-Fullpak-Gehäuse: Verbesserte Isolation und einfache Montage.
- Robust und zuverlässig: Langlebig und widerstandsfähig gegenüber Umwelteinflüssen.
- Vielseitig einsetzbar: Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Mit dem SPA11N80C3 investieren Sie in ein Qualitätsprodukt, das Ihnen langfristig Freude bereiten wird. Profitieren Sie von seiner hohen Leistung, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit.
Warum der SPA11N80C3 die richtige Wahl ist
In der Welt der Leistungselektronik ist die Wahl des richtigen MOSFET entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Der SPA11N80C3 bietet Ihnen die perfekte Kombination aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit seiner hohen Sperrspannung, dem niedrigen Einschaltwiderstand und dem robusten TO220-Fullpak-Gehäuse ist er für anspruchsvolle Anwendungen bestens geeignet. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Bastler sind, der SPA11N80C3 wird Ihre Erwartungen übertreffen.
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem MOSFET Ihre eigenen innovativen Projekte realisieren, die die Welt verändern. Ob es sich um eine hocheffiziente Stromversorgung für erneuerbare Energien, eine präzise Motorsteuerung für Robotik oder eine intelligente LED-Beleuchtung für Ihr Zuhause handelt, der SPA11N80C3 ist Ihr Schlüssel zum Erfolg. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und gestalten Sie die Zukunft der Leistungselektronik mit diesem herausragenden MOSFET.
Technische Daten im Detail
Für die detaillierte Planung und Integration in Ihre Schaltungen finden Sie hier eine detaillierte Übersicht der technischen Daten:
Parameter | Wert | Einheit |
---|---|---|
Drain-Source-Spannung (Vds) | 800 | V |
Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±30 | V |
Drain-Strom (Id) | 11 | A |
Puls-Drain-Strom (Idm) | 33 | A |
Verlustleistung (Pd) | 41 | W |
Einschaltwiderstand (Rds(on)) | 0,45 | Ohm |
Gate-Ladung (Qg) | 20 | nC |
Gate-Source-Schwellspannung (Vgs(th)) | 3 – 5 | V |
Betriebstemperatur (Tj) | -55 bis +150 | °C |
Gehäuse | TO220-Fullpak |
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum SPA11N80C3
Wir haben die häufigsten Fragen unserer Kunden zum SPA11N80C3 für Sie zusammengefasst:
- Was bedeutet „N-Kanal“ bei einem MOSFET?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird, das durch die Spannung am Gate erzeugt wird. Im „normalen“ Zustand ist der Kanal gesperrt und leitet erst, wenn eine positive Spannung am Gate anliegt.
- Was ist der Unterschied zwischen TO220 und TO220-Fullpak?
Das TO220-Fullpak-Gehäuse ist eine isolierte Variante des Standard-TO220-Gehäuses. Es bietet eine verbesserte elektrische Isolation zwischen dem Chip und dem Kühlkörper, was die Montage vereinfacht und das Risiko von Kurzschlüssen reduziert.
- Kann ich den SPA11N80C3 ohne Kühlkörper verwenden?
In den meisten Anwendungen ist die Verwendung eines Kühlkörpers empfehlenswert, um die Wärmeableitung zu verbessern und die Betriebstemperatur des MOSFET im zulässigen Bereich zu halten. Ohne Kühlkörper kann die Verlustleistung überschritten werden, was zu einer Beschädigung des Bauteils führen kann.
- Welche Schutzmaßnahmen sollte ich beim Umgang mit dem SPA11N80C3 treffen?
Achten Sie darauf, den MOSFET vor statischer Entladung (ESD) zu schützen. Verwenden Sie eine ESD-sichere Arbeitsumgebung und tragen Sie ein Antistatikarmband. Vermeiden Sie außerdem, die Anschlüsse des MOSFET unnötig zu berühren.
- Welche alternativen Produkte gibt es zum SPA11N80C3?
Es gibt verschiedene alternative MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen. Die Wahl des geeigneten Produkts hängt von den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung ab. Beispiele wären MOSFETs von anderen Herstellern mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten.
- Wo finde ich das Datenblatt für den SPA11N80C3?
Das Datenblatt für den SPA11N80C3 finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder in unserem Downloadbereich. Im Datenblatt sind alle wichtigen technischen Daten und Anwendungshinweise detailliert beschrieben.
- Wie berechne ich den passenden Kühlkörper für den SPA11N80C3?
Die Berechnung des passenden Kühlkörpers hängt von der erwarteten Verlustleistung und der maximal zulässigen Betriebstemperatur ab. Verwenden Sie die Formel Rth = (Tjmax – Ta) / Pd, wobei Rth der Gesamtwärmewiderstand, Tjmax die maximale Betriebstemperatur, Ta die Umgebungstemperatur und Pd die Verlustleistung ist. Berücksichtigen Sie dabei den Wärmewiderstand des MOSFET und des Kühlkörpers.