MSC400SMA330B4 – SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 11 A, Rds(on) 0,416 Ohm, TO-247-4L

MSC400SMA330B4, 3300 V, 400 mOhm SiC N-Kanal Leistungs-MOSFETProduktübersichtDie Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microsemi steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. Der MSC400SMA330B4 ist ein 3300 V, 400 mO SiC-MOSFET in einem TO-247 4-Leiter-Gehäuse mit Source-Sense.Merkmale• Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung• Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des niedrigen internen Gate-Widerstands (ESR)• Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = 150 °C• Schnelle und zuverlässige Body-Diode• Hervorragende Avalanche-Robustheit• RoHS-konformVorteile• Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung• Hoher Wirkungsgrad für ein leichteres, kompakteres System• Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste• Keine externe Freilaufdiode mehr erforderlich• Geringere Betriebskosten für das SystemAnwendungen• PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe• Intelligente Netzübertragung und -verteilung• Induktionserwärmung und Schweißen• H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegeräte• Energieversorgung und -verteilung