IXFR180N15P – Der ultimative N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den IXFR180N15P, einen N-Kanal MOSFET, der in Sachen Leistung und Zuverlässigkeit neue Maßstäbe setzt. Dieser Transistor ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zu innovativen Lösungen in Ihren Elektronikprojekten. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seiner robusten Bauweise ist er die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und Stabilität ankommt.
Tauchen Sie ein in die Welt der Hochleistungselektronik und erleben Sie, wie der IXFR180N15P Ihre Projekte beflügeln kann. Ob in der Industrieautomation, in der Leistungselektronik oder in innovativen Energieversorgungssystemen – dieser MOSFET bietet Ihnen die Power, die Sie benötigen, um Ihre Visionen zu verwirklichen.
Technische Highlights des IXFR180N15P
Der IXFR180N15P überzeugt mit einer Reihe herausragender technischer Eigenschaften, die ihn von anderen MOSFETs abheben. Hier sind einige der wichtigsten Merkmale:
- N-Kanal MOSFET: Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
- Sperrspannung (Vds): 150V – Ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit höheren Spannungen.
- Dauerstrom (Id): 100A – Sorgt für eine hohe Belastbarkeit und Leistungsfähigkeit.
- Verlustleistung (Pd): 300W – Garantiert eine effiziente Wärmeableitung und Stabilität.
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,013 Ohm – Minimiert Verluste und erhöht den Wirkungsgrad.
- Gehäuse: TO247-Isoplus – Bietet eine hervorragende Isolation und einfache Montage.
Diese technischen Daten machen den IXFR180N15P zu einem echten Kraftpaket, das auch unter extremen Bedingungen zuverlässig arbeitet. Er ist die perfekte Wahl für alle, die höchste Ansprüche an ihre elektronischen Bauteile stellen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Die Vielseitigkeit des IXFR180N15P kennt kaum Grenzen. Er ist die ideale Lösung für eine breite Palette von Anwendungen, darunter:
- Schaltregler: Optimieren Sie Ihre Schaltregler mit diesem leistungsstarken MOSFET.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient.
- Wechselrichter: Erzeugen Sie sauberen und stabilen Wechselstrom.
- Leistungsverstärker: Verstärken Sie Signale ohne Kompromisse bei der Qualität.
- Industrielle Automatisierung: Steuern Sie Prozesse zuverlässig und präzise.
- Erneuerbare Energien: Nutzen Sie die Kraft der Sonne und des Windes effizient.
- Elektromobilität: Bringen Sie Ihre Elektrofahrzeuge auf die nächste Stufe.
Der IXFR180N15P ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Partner, der Ihnen hilft, Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen. Er bietet Ihnen die Flexibilität und Leistung, die Sie benötigen, um innovative Lösungen zu entwickeln und Ihre Ideen zu verwirklichen.
Das TO247-Isoplus Gehäuse – Robust und zuverlässig
Das TO247-Isoplus Gehäuse des IXFR180N15P ist nicht nur robust, sondern auch speziell für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Isolation erfordern. Diese Bauform bietet eine Reihe von Vorteilen:
- Hervorragende Isolation: Schützt Ihre Schaltungen vor Überspannungen und Kurzschlüssen.
- Einfache Montage: Ermöglicht eine schnelle und unkomplizierte Installation.
- Effiziente Wärmeableitung: Sorgt für eine optimale Kühlung und verlängert die Lebensdauer des MOSFETs.
- Robuste Bauweise: Widersteht auch anspruchsvollen Umgebungsbedingungen.
Das TO247-Isoplus Gehäuse ist ein Garant für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit. Es sorgt dafür, dass der IXFR180N15P auch unter extremen Bedingungen seine volle Leistung entfalten kann.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen noch besseren Überblick über die Leistungsfähigkeit des IXFR180N15P zu geben, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (Vds) | 150 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Dauerstrom (Id) bei Tc = 25°C | 100 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 300 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei Tc = 25°C | 300 | W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs = 10V | 0.013 | Ohm |
| Gate Ladung (Qg) | 85 | nC |
| Gate-Source-Ladung (Qgs) | 14 | nC |
| Gate-Drain-Ladung (Qgd) | 35 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (td(on)) | 15 | ns |
| Anstiegszeit (tr) | 25 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (td(off)) | 40 | ns |
| Abfallzeit (tf) | 20 | ns |
| Sperrschichttemperatur (Tj) | -55 bis +175 | °C |
| Montageart | THT | |
| Gehäuse | TO-247-ISOPLUS |
Diese Tabelle gibt Ihnen einen umfassenden Einblick in die technischen Fähigkeiten des IXFR180N15P. Sie zeigt, dass dieser MOSFET nicht nur leistungsstark, sondern auch äußerst präzise und zuverlässig ist.
Warum Sie sich für den IXFR180N15P entscheiden sollten
Der IXFR180N15P ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil. Er ist ein Versprechen für Qualität, Leistung und Zuverlässigkeit. Hier sind einige Gründe, warum Sie sich für diesen MOSFET entscheiden sollten:
- Höchste Leistung: Erleben Sie eine unvergleichliche Leistungsfähigkeit in Ihren Projekten.
- Maximale Zuverlässigkeit: Verlassen Sie sich auf einen MOSFET, der auch unter extremen Bedingungen zuverlässig arbeitet.
- Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Nutzen Sie den IXFR180N15P in einer breiten Palette von Anwendungen.
- Einfache Integration: Profitieren Sie von der einfachen Montage und der robusten Bauweise.
- Innovationstreiber: Verwirklichen Sie Ihre innovativen Ideen mit einem MOSFET, der Ihre Visionen beflügelt.
Der IXFR180N15P ist die perfekte Wahl für alle, die keine Kompromisse eingehen wollen. Er bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen, um Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen und Ihre Ziele zu erreichen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IXFR180N15P
Hier finden Sie Antworten auf einige häufig gestellte Fragen zum IXFR180N15P:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
- Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Halbleitermaterial, das den Kanal zwischen Source und Drain bildet.
- Welche Vorteile bietet das TO247-Isoplus Gehäuse?
- Das TO247-Isoplus Gehäuse bietet eine verbesserte Isolation, eine einfache Montage und eine effiziente Wärmeableitung. Es ist besonders geeignet für Anwendungen, bei denen eine hohe Spannungsfestigkeit und eine gute Kühlung erforderlich sind.
- Kann ich den IXFR180N15P auch bei höheren Temperaturen einsetzen?
- Der IXFR180N15P ist für eine Sperrschichttemperatur von -55°C bis +175°C ausgelegt. Es ist jedoch wichtig, die Verlustleistung zu berücksichtigen und gegebenenfalls zusätzliche Kühlmaßnahmen zu ergreifen, um eine Überhitzung zu vermeiden.
- Wie berechne ich die benötigte Kühlkörpergröße für den IXFR180N15P?
- Die benötigte Kühlkörpergröße hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Verwenden Sie die thermischen Widerstände (RthJC und RthCA) aus dem Datenblatt, um die erforderliche Kühlkörpergröße zu berechnen. Es gibt auch Online-Rechner, die Ihnen bei der Berechnung helfen können.
- Wo finde ich detaillierte technische Daten und Anwendungsbeispiele für den IXFR180N15P?
- Detaillierte technische Daten und Anwendungsbeispiele finden Sie im offiziellen Datenblatt des Herstellers. Sie können das Datenblatt in der Regel auf der Website des Herstellers oder bei Ihrem Elektronikdistributor herunterladen.
- Ist der IXFR180N15P ESD-empfindlich?
- Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IXFR180N15P ESD-empfindlich. Achten Sie darauf, bei der Handhabung und Installation ESD-Schutzmaßnahmen zu treffen, um Beschädigungen zu vermeiden.
- Kann ich den IXFR180N15P parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
- Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Achten Sie jedoch darauf, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind und die Stromverteilung gleichmäßig ist. Verwenden Sie idealerweise MOSFETs aus derselben Charge und mit ähnlichen Kennlinien.
