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IXFK140N20P - MOSFET N-Ch 200V 140A 830W 0

IXFK140N20P – MOSFET N-Ch 200V 140A 830W 0,018R TO264AA

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Artikelnummer: 77a511e931c0 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

Toggle
  • Leistungsstarke N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen: IXFK140N20P von IXYS
  • Maximale Leistung, minimale Verluste: Die überlegene Wahl für Ihren Erfolg
  • Schlüsselspezifikationen und technologische Vorteile
  • Technische Eigenschaften im Detail
  • Anwendungsgebiete: Wo der IXFK140N20P seine Stärken ausspielt
  • Häufig gestellte Fragen zu IXFK140N20P – MOSFET N-Ch 200V 140A 830W 0,018R TO264AA
    • Was ist die primäre Anwendung des IXFK140N20P?
    • Wie unterscheidet sich der IXFK140N20P von Standard-MOSFETs in Bezug auf Effizienz?
    • Ist das TO-264AA Gehäuse für hohe Temperaturen geeignet?
    • Welche Kühlungsmaßnahmen sind für den Betrieb des IXFK140N20P erforderlich?
    • Kann der IXFK140N20P für Schaltungen mit sehr hohen Schaltfrequenzen verwendet werden?
    • Woher bezieht Lan.de die IXFK140N20P MOSFETs?
    • Welche Art von Anwendungen profitiert am meisten von der hohen Spannungsfestigkeit von 200V?

Leistungsstarke N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen: IXFK140N20P von IXYS

Sie suchen nach einer extrem belastbaren und effizienten Schalteinheit für Ihre Hochleistungsanwendungen im Bereich Stromversorgung, Motorsteuerung oder industrielle Automation? Der IXFK140N20P N-Kanal MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 200V und einem Dauerstrom von 140A ist die ideale Lösung, wenn höchste Zuverlässigkeit und minimale Verluste gefordert sind. Entwickelt für anspruchsvollste Umgebungen, bietet dieser MOSFET eine herausragende Performance, die Standardkomponenten weit übertrifft.

Maximale Leistung, minimale Verluste: Die überlegene Wahl für Ihren Erfolg

Der IXFK140N20P repräsentiert die Spitze der MOSFET-Technologie, optimiert für maximale Effizienz und Langlebigkeit. Seine Konstruktion zielt darauf ab, die typischen Schwachstellen von Standard-MOSFETs in Hochstromanwendungen zu eliminieren. Dazu gehören übermäßige Erwärmung durch hohe Durchlassverluste und begrenzte Schaltfrequenzen. Mit einem extrem niedrigen RDS(on) von nur 0,018 Ohm bei 25°C und einer maximalen Verlustleistung von 830W setzt dieser MOSFET neue Maßstäbe in Sachen Energieeffizienz. Dies führt direkt zu geringeren Betriebskosten, einer reduzierten Notwendigkeit für aufwendige Kühlkörper und einer insgesamt höheren Systemzuverlässigkeit. Die Wahl des IXFK140N20P bedeutet, dass Sie sich auf eine Komponente verlassen können, die entwickelt wurde, um auch unter extremen Bedingungen Spitzenleistungen zu erbringen, und somit Ihre technischen Herausforderungen mit Bravour meistert.

Schlüsselspezifikationen und technologische Vorteile

Der IXFK140N20P ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die neuesten Fortschritte in der Silizium-Halbleitertechnologie nutzt, um eine außergewöhnliche Kombination aus hoher Stromtragfähigkeit, niedriger Durchlasswiderstand und hoher Spannungsfestigkeit zu erreichen. Diese Eigenschaften sind entscheidend für die Entwicklung moderner, energieeffizienter Stromversorgungssysteme.

  • Hohe Stromtragfähigkeit: Mit einem Dauerstrom von 140A ist dieser MOSFET für Anwendungen mit sehr hohem Energiebedarf konzipiert.
  • Niedriger RDS(on): Der minimale Durchlasswiderstand von nur 0,018 Ohm minimiert Leistungsverluste in Form von Wärme, was die Effizienz des Gesamtsystems erheblich steigert.
  • Hohe Spannungsfestigkeit: Eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 200V bietet ausreichend Spielraum für transiente Spannungsspitzen und gewährleistet einen sicheren Betrieb in vielen industriellen Umgebungen.
  • Hohe Verlustleistung: Die Fähigkeit, bis zu 830W zu dissipieren, unterstreicht die Robustheit und Eignung für Hochleistungsanwendungen.
  • TO-264AA Gehäuse: Dieses robuste und gut gekühlte Gehäuse ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung, was für den Dauerbetrieb unter hoher Last unerlässlich ist.

Technische Eigenschaften im Detail

Die Präzision und Leistungsfähigkeit des IXFK140N20P lassen sich anhand seiner detaillierten technischen Spezifikationen nachvollziehen. Diese Daten sind essenziell für Ingenieure, die präzise und zuverlässige Schaltungen entwerfen.

Eigenschaft Spezifikation
Typ N-Kanal MOSFET
Hersteller IXYS (Originalteil)
Maximale Drain-Source Spannung (VDS) 200 V
Dauerhafter Drain-Strom (ID) bei 25°C 140 A
Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei 100°C 90 A (Typische Angabe, spezifische Datenblätter konsultieren)
Maximale Verlustleistung (PD) 830 W
Typischer RDS(on) bei VGS=10V, ID=70A 0,018 Ω
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) 2 V bis 4 V (Typischer Bereich)
Gate-Ladung (QG) Hohe Ladung für effizientes Schalten
Betriebstemperaturbereich -55°C bis +150°C
Gehäuse TO-264AA (Isoliert/Nicht isoliert je nach Variante, Standard ist oft nicht isoliert)
Schaltgeschwindigkeit Sehr schnell, optimiert für hohe Frequenzen
Anwendungspotenzial Hochstrom-Schaltanwendungen, Motorsteuerungen, Stromversorgungen, Inverter

Anwendungsgebiete: Wo der IXFK140N20P seine Stärken ausspielt

Die herausragenden technischen Eigenschaften des IXFK140N20P prädestinieren ihn für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen, in denen Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit von größter Bedeutung sind. Sein breites Einsatzspektrum macht ihn zu einer Schlüsselkomponente für moderne Elektronikentwicklungen.

  • Industrielle Stromversorgungen: In Hochleistungsnetzteilen, die stabile und effiziente Energie für komplexe Maschinen und Systeme liefern müssen, spielt der IXFK140N20P seine Stärken aus. Seine Fähigkeit, hohe Ströme bei geringen Verlusten zu schalten, ist hierbei entscheidend.
  • Motorsteuerung und -antriebe: Ob in großen Servoantrieben, Elektrofahrzeugen oder industriellen Roboterarmen – die präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren erfordert MOSFETs, die hohe Ströme schalten können, ohne zu überhitzen. Der IXFK140N20P erfüllt diese Anforderungen mit Bravour.
  • Wechselrichter und Inverter-Technologie: Für die Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom in Photovoltaik-Anlagen, Notstromaggregaten oder professionellen Audio-Verstärkern bietet dieser MOSFET die notwendige Leistung und Zuverlässigkeit.
  • Schweißgeräte und Hochstromanwendungen: In Bereichen, die kurzzeitig extrem hohe Ströme erfordern, wie beispielsweise in industriellen Schweißgeräten, gewährleistet der IXFK140N20P eine robuste und sichere Performance.
  • Energieverteilungssysteme: In Systemen, die eine effiziente und sichere Verteilung von Energie auf verschiedene Komponenten übernehmen, trägt der IXFK140N20P zur Optimierung der Energieflüsse bei.

Häufig gestellte Fragen zu IXFK140N20P – MOSFET N-Ch 200V 140A 830W 0,018R TO264AA

Was ist die primäre Anwendung des IXFK140N20P?

Der IXFK140N20P ist primär für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert, die hohe Ströme (bis zu 140A) und Spannungen (bis zu 200V) erfordern, wie beispielsweise in industriellen Stromversorgungen, Motorsteuerungen und Wechselrichtern. Seine Hauptvorteile liegen in der extrem niedrigen Durchlasswiderstand und der hohen Leistungsverlustfähigkeit.

Wie unterscheidet sich der IXFK140N20P von Standard-MOSFETs in Bezug auf Effizienz?

Der IXFK140N20P zeichnet sich durch einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on) von nur 0,018 Ohm aus. Dies bedeutet, dass er deutlich weniger Energie in Form von Wärme verliert, wenn Strom durch ihn fließt, verglichen mit Standard-MOSFETs mit höherem RDS(on). Dies führt zu einer signifikant höheren Gesamteffizienz des Systems und reduziert die Notwendigkeit für aufwendige Kühlsysteme.

Ist das TO-264AA Gehäuse für hohe Temperaturen geeignet?

Ja, das TO-264AA Gehäuse ist ein robustes Leistungsgehäuse, das für eine effektive Wärmeableitung ausgelegt ist. Es unterstützt den Betrieb des IXFK140N20P bei hohen Strömen und Temperaturen, was für seine Leistung in anspruchsvollen Anwendungen unerlässlich ist.

Welche Kühlungsmaßnahmen sind für den Betrieb des IXFK140N20P erforderlich?

Aufgrund seiner hohen Stromtragfähigkeit und der potenziellen Verlustleistung ist eine angemessene Kühlung für den Dauerbetrieb unerlässlich. Die genauen Kühlungsanforderungen hängen von der spezifischen Anwendung und den Umgebungsbedingungen ab. Typischerweise wird die Montage auf einem geeigneten Kühlkörper empfohlen, um die Betriebstemperatur innerhalb der zulässigen Grenzen zu halten.

Kann der IXFK140N20P für Schaltungen mit sehr hohen Schaltfrequenzen verwendet werden?

Ja, der IXFK140N20P ist für schnelle Schaltvorgänge optimiert. Seine geringe Gate-Ladung und schnelle Schaltzeiten machen ihn gut geeignet für Anwendungen, die hohe Schaltfrequenzen erfordern, vorausgesetzt, die gesamte Schaltung ist entsprechend ausgelegt, um die Schaltverluste zu minimieren.

Woher bezieht Lan.de die IXFK140N20P MOSFETs?

Lan.de bezieht seine IXFK140N20P MOSFETs direkt von autorisierten Distributoren oder dem Hersteller IXYS. Dies gewährleistet, dass Sie stets Originalteile von höchster Qualität erhalten, die den Spezifikationen des Herstellers entsprechen.

Welche Art von Anwendungen profitiert am meisten von der hohen Spannungsfestigkeit von 200V?

Die hohe Spannungsfestigkeit von 200V ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, die mit Netzspannungen arbeiten oder wo es zu signifikanten Spannungsspitzen kommen kann. Dazu gehören unter anderem Wechselrichter, Hochspannungs-Gleichstromversorgungen (HVDC) und Systeme, die in Umgebungen mit variablen Stromnetzen eingesetzt werden.

Bewertungen: 4.7 / 5. 348

Zusätzliche Informationen
Marke

IXYS

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