IXFH 26N50 – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den IXFH 26N50, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der in puncto Effizienz und Zuverlässigkeit neue Maßstäbe setzt. Dieser Transistor ist die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Leistungselektronik, Schaltnetzteile, Motorsteuerungen und Frequenzumrichter. Mit seinen herausragenden technischen Daten und seiner robusten Bauweise bietet der IXFH 26N50 eine Performance, auf die Sie sich verlassen können – Tag für Tag.
Tauchen Sie ein in die Welt der Spitzentechnologie und erleben Sie, wie der IXFH 26N50 Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Dieser MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Versprechen für Leistung, Stabilität und Langlebigkeit.
Technische Daten im Überblick
Der IXFH 26N50 besticht durch seine beeindruckenden technischen Spezifikationen. Hier sind die wichtigsten Daten im Überblick:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Drain-Source-Spannung (Vds): 500 V
- Dauerstrom (Id): 26 A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,20 Ohm (bei Vgs = 10 V)
- Gehäuse: TO-247
Diese Kennzahlen verdeutlichen das enorme Potenzial des IXFH 26N50. Die hohe Drain-Source-Spannung ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit hohen Spannungsanforderungen, während der hohe Dauerstrom eine zuverlässige Leistungsübertragung gewährleistet. Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und sorgt für einen effizienten Betrieb.
Herausragende Eigenschaften und Vorteile
Der IXFH 26N50 bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von anderen MOSFETs abheben:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Dank der Drain-Source-Spannung von 500 V ist der IXFH 26N50 auch für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Spannungen geeignet.
- Geringer Einschaltwiderstand: Der niedrige Rds(on) Wert von 0,20 Ohm minimiert die Verluste und verbessert den Wirkungsgrad Ihrer Schaltung.
- Schnelle Schaltzeiten: Der IXFH 26N50 ermöglicht schnelle Schaltvorgänge, was ihn ideal für Schaltnetzteile und Frequenzumrichter macht.
- Robuste Bauweise: Das TO-247 Gehäuse sorgt für eine effektive Wärmeableitung und eine hohe mechanische Stabilität.
- Hohe Zuverlässigkeit: Der IXFH 26N50 wird nach höchsten Qualitätsstandards gefertigt und bietet eine lange Lebensdauer.
Diese Eigenschaften machen den IXFH 26N50 zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen, bei denen es auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte beflügelt und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.
Anwendungsbereiche des IXFH 26N50
Der IXFH 26N50 ist ein vielseitiger MOSFET, der in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann:
- Schaltnetzteile: Der IXFH 26N50 eignet sich hervorragend für den Einsatz in Schaltnetzteilen, wo er für eine effiziente und zuverlässige Spannungsversorgung sorgt.
- Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen ermöglicht der IXFH 26N50 eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren.
- Frequenzumrichter: Der IXFH 26N50 ist ideal für den Einsatz in Frequenzumrichtern, wo er für eine variable Drehzahlregelung von Elektromotoren sorgt.
- Leistungsverstärker: In Leistungsverstärkern kann der IXFH 26N50 für eine hohe Ausgangsleistung und einen geringen Klirrfaktor sorgen.
- Induktionserwärmung: Der IXFH 26N50 ist auch für Anwendungen in der Induktionserwärmung geeignet, wo er für eine schnelle und effiziente Erwärmung von Metallen sorgt.
Die Vielseitigkeit des IXFH 26N50 macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für jeden Elektronikentwickler und -bastler. Entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die Ihnen dieser MOSFET bietet, und lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf.
Das TO-247 Gehäuse – Robustheit und Effizienz vereint
Das TO-247 Gehäuse des IXFH 26N50 ist nicht nur robust und widerstandsfähig, sondern auch speziell für eine effektive Wärmeableitung konzipiert. Diese Konstruktion ermöglicht es dem MOSFET, auch bei hohen Belastungen seine optimale Leistung zu erbringen. Die großzügige Oberfläche des Gehäuses sorgt für eine effiziente Wärmeübertragung an den Kühlkörper, wodurch die Betriebstemperatur des Bauteils gesenkt und seine Lebensdauer verlängert wird.
Das TO-247 Gehäuse ist ein Garant für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, selbst unter anspruchsvollen Bedingungen. Vertrauen Sie auf die bewährte Qualität dieses Gehäusestandards und profitieren Sie von der hohen Leistungsfähigkeit des IXFH 26N50.
Vergleich mit anderen MOSFETs
Um die Vorteile des IXFH 26N50 noch deutlicher hervorzuheben, hier ein kurzer Vergleich mit anderen gängigen MOSFETs:
| Merkmal | IXFH 26N50 | IRF840 | BUZ11 |
|---|---|---|---|
| Vds (V) | 500 | 500 | 50 |
| Id (A) | 26 | 8 | 30 |
| Rds(on) (Ohm) | 0,20 | 0,85 | 0,04 |
| Gehäuse | TO-247 | TO-220 | TO-220 |
Dieser Vergleich zeigt, dass der IXFH 26N50 in Bezug auf Spannungsfestigkeit und Strombelastbarkeit eine hervorragende Leistung bietet. Der niedrige Einschaltwiderstand sorgt zudem für eine hohe Effizienz. Während der BUZ11 einen noch geringeren Rds(on) hat, ist seine Spannungsfestigkeit deutlich geringer. Der IRF840 bietet zwar auch 500V, aber bei weitaus geringerem Strom. Der IXFH 26N50 ist somit eine ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen, die eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.
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FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IXFH 26N50
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IXFH 26N50:
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Halbleitermaterial, das den Kanal bildet, durch den die Elektronen fließen.
2. Wie berechne ich die Verlustleistung des IXFH 26N50?
Die Verlustleistung (P) kann grob mit der Formel P = Id² * Rds(on) berechnet werden, wobei Id der Drain-Strom und Rds(on) der Einschaltwiderstand ist. Für genauere Berechnungen müssen auch die Schaltverluste berücksichtigt werden.
3. Benötige ich einen Kühlkörper für den IXFH 26N50?
In den meisten Anwendungen, in denen der IXFH 26N50 bei höheren Strömen betrieben wird, ist ein Kühlkörper erforderlich, um eine Überhitzung zu vermeiden und die Lebensdauer des Bauteils zu verlängern. Die Größe des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab.
4. Kann ich den IXFH 26N50 als Schalter verwenden?
Ja, der IXFH 26N50 eignet sich hervorragend als Schalter in einer Vielzahl von Anwendungen. Seine schnellen Schaltzeiten und der geringe Einschaltwiderstand machen ihn zu einer effizienten und zuverlässigen Wahl.
5. Welche Gate-Ansteuerspannung benötige ich für den IXFH 26N50?
Der IXFH 26N50 benötigt typischerweise eine Gate-Ansteuerspannung (Vgs) von 10 V, um seinen vollen Strom zu leiten und den spezifizierten Rds(on) zu erreichen. Beachten Sie das Datenblatt für detaillierte Informationen und empfohlene Betriebsparameter.
6. Ist der IXFH 26N50 ESD-empfindlich?
Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IXFH 26N50 ESD-empfindlich. Es ist wichtig, ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands und die Verwendung einer ESD-sicheren Arbeitsfläche, um Schäden am Bauteil zu vermeiden.
7. Wo finde ich das Datenblatt für den IXFH 26N50?
Das Datenblatt für den IXFH 26N50 finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers (z.B. IXYS/Littelfuse) oder bei gängigen Elektronik-Distributoren. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den technischen Daten, den Betriebsparametern und den Anwendungsrichtlinien.
