ISC019N03L5S – Der N-Kanal MOSFET, der Ihre Leistungselektronik revolutioniert
Sind Sie bereit, die Grenzen Ihrer Leistungselektronik zu sprengen? Der ISC019N03L5S ist mehr als nur ein MOSFET; er ist das Herzstück einer neuen Generation effizienter, zuverlässiger und leistungsstarker Schaltungen. Dieser N-Kanal MOSFET mit 30V, 100A und einem unglaublich niedrigen RDS(on) von 0,0019 Ohm im TDSON-8 Gehäuse definiert die Standards neu. Tauchen Sie ein in die Welt der kompromisslosen Leistung und entdecken Sie, was der ISC019N03L5S für Ihre Projekte bedeuten kann.
Entfesseln Sie das Potenzial: Leistungsmerkmale im Detail
Der ISC019N03L5S ist ein Meisterwerk der Ingenieurskunst, das auf jahrelanger Erfahrung und modernster Technologie basiert. Seine herausragenden Leistungsmerkmale machen ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen:
- N-Kanal Technologie: Bietet eine effiziente und schnelle Schaltleistung für eine Vielzahl von Anwendungen.
- 30V Drain-Source-Spannung (Vds): Geeignet für Systeme mit niedriger bis mittlerer Spannung.
- 100A Dauerstrom (Id): Ermöglicht die Steuerung hoher Ströme mit minimalen Verlusten.
- Extrem niedriger RDS(on) von 0,0019 Ohm: Minimiert die Verlustleistung und verbessert die Effizienz Ihrer Schaltung. Weniger Verlustleistung bedeutet weniger Wärmeentwicklung und damit eine höhere Zuverlässigkeit und Lebensdauer Ihrer Anwendung.
- TDSON-8 Gehäuse: Kompaktes und thermisch optimiertes Gehäuse für eine effiziente Wärmeableitung. Das TDSON-8 Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in moderne Leiterplattenlayouts und trägt zur Miniaturisierung Ihrer Elektronik bei.
Der ISC019N03L5S ist nicht nur ein Bauteil; er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Seine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit garantieren eine lange Lebensdauer und reduzieren das Risiko von Ausfällen.
Technische Daten im Überblick
Für den schnellen Überblick hier die wichtigsten technischen Daten des ISC019N03L5S in einer übersichtlichen Tabelle:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET | – |
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 30 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Dauerstrom (Id) | 100 | A |
| Pulsstrom (Idm) | 300 | A |
| RDS(on) (Vgs=10V) | 0,0019 | Ohm |
| Gesamtverlustleistung (Pd) | 50 | W |
| Betriebstemperatur | -55 bis +175 | °C |
| Gehäuse | TDSON-8 | – |
Diese Spezifikationen verdeutlichen, dass der ISC019N03L5S für eine breite Palette von Anwendungen geeignet ist, bei denen hohe Leistung und Effizienz gefordert sind.
Anwendungsbereiche: Wo der ISC019N03L5S glänzt
Die Vielseitigkeit des ISC019N03L5S kennt kaum Grenzen. Hier sind einige typische Anwendungsbereiche, in denen dieser MOSFET seine Stärken voll ausspielen kann:
- DC-DC Wandler: Optimieren Sie die Effizienz und Leistung Ihrer DC-DC Wandler durch den Einsatz des ISC019N03L5S. Seine geringen Verluste tragen dazu bei, die Wärmeentwicklung zu reduzieren und die Lebensdauer Ihrer Wandler zu verlängern.
- Motorsteuerungen: Erzielen Sie eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren in verschiedenen Anwendungen, von Robotik bis hin zu Elektrowerkzeugen.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und optimieren Sie deren Leistung in BMS-Anwendungen für Elektrofahrzeuge, Energiespeicher und tragbare Geräte.
- Lastschalter: Implementieren Sie zuverlässige und energieeffiziente Lastschalter für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Servern, Telekommunikationsgeräten und industriellen Steuerungen.
- Synchron-Gleichrichter: Verbessern Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und Ladegeräte durch den Einsatz des ISC019N03L5S als Synchron-Gleichrichter.
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf! Der ISC019N03L5S ist ein Werkzeug, das Ihnen hilft, innovative Lösungen zu entwickeln und Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben.
Der ISC019N03L5S: Mehr als nur ein Bauteil
Der ISC019N03L5S ist nicht einfach nur ein MOSFET. Er ist ein Versprechen. Ein Versprechen für höhere Effizienz, gesteigerte Leistung und unübertroffene Zuverlässigkeit. Er ist die Basis für Innovationen und die treibende Kraft für die nächste Generation von Leistungselektronik. Stellen Sie sich vor, was Sie mit einem Bauteil erreichen können, das keine Kompromisse eingeht. Ein Bauteil, das Ihnen die Freiheit gibt, Ihre Visionen zu verwirklichen. Der ISC019N03L5S ist Ihr Schlüssel zu dieser Welt.
Vertrauen ist gut, Kontrolle ist besser: Qualität und Zuverlässigkeit
Wir wissen, dass Sie bei Ihren Projekten auf höchste Qualität und Zuverlässigkeit angewiesen sind. Deshalb wird der ISC019N03L5S strengen Qualitätskontrollen unterzogen, um sicherzustellen, dass er Ihre Erwartungen übertrifft. Jeder MOSFET wird sorgfältig geprüft, um sicherzustellen, dass er die spezifizierten Parameter erfüllt und eine lange Lebensdauer gewährleistet. Wir stehen hinter unseren Produkten und sind stolz darauf, Ihnen ein Bauteil anzubieten, auf das Sie sich verlassen können.
Der Schritt in die Zukunft: Investieren Sie in den ISC019N03L5S
Warten Sie nicht länger und erleben Sie selbst die Vorteile des ISC019N03L5S. Bestellen Sie noch heute und entdecken Sie das Potenzial, das in diesem außergewöhnlichen MOSFET steckt. Bringen Sie Ihre Projekte auf ein neues Level und setzen Sie auf die Leistung und Zuverlässigkeit des ISC019N03L5S. Die Zukunft der Leistungselektronik beginnt hier.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum ISC019N03L5S
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum ISC019N03L5S:
- Was bedeutet RDS(on)?
RDS(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand des MOSFET. Ein niedriger RDS(on) Wert bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz.
- Für welche Anwendungen ist der ISC019N03L5S besonders geeignet?
Der ISC019N03L5S eignet sich besonders gut für DC-DC Wandler, Motorsteuerungen, Batteriemanagementsysteme (BMS), Lastschalter und Synchron-Gleichrichter.
- Kann ich den ISC019N03L5S auch bei höheren Temperaturen einsetzen?
Ja, der ISC019N03L5S ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C spezifiziert.
- Wie kann ich den ISC019N03L5S am besten kühlen?
Das TDSON-8 Gehäuse ist für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt. Zusätzliche Kühlmaßnahmen wie Kühlkörper können bei hohen Lasten erforderlich sein.
- Was ist der Unterschied zwischen einem N-Kanal und einem P-Kanal MOSFET?
Ein N-Kanal MOSFET wird durch eine positive Spannung am Gate eingeschaltet, während ein P-Kanal MOSFET durch eine negative Spannung am Gate eingeschaltet wird. N-Kanal MOSFETs haben in der Regel eine höhere Leistungsfähigkeit als P-Kanal MOSFETs.
- Wo finde ich ein Datenblatt für den ISC019N03L5S?
Das Datenblatt für den ISC019N03L5S finden Sie auf der Website des Herstellers oder in unserer Produktdokumentation.
- Ist der ISC019N03L5S RoHS-konform?
Ja, der ISC019N03L5S ist RoHS-konform und erfüllt die aktuellen Umweltstandards.
