IRLR 2905Z IR – MOSFET, N-Kanal, 55 V, 42 A, RDS(on) 0,0135 Ohm, D-Pak

IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETAllgemeine BeschreibungDieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein verbessertes repetitives Avalanche-Rating. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Merkmale• Logik-Pegel• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra niedriger Ein-Widerstand• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Bleifrei