IRFR 13N20D – MOSFET, N-CH, 200V, 13A, 0,235R, D-PAK

Der IRFR13N20DPBF ist ein HEXFET®-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit geringer Gate-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Er ist für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler geeignet. Vollständig charakterisierte Avalanchespannung und -stromstärke Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem COSS zur Vereinfachung des Designs