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IRFIB7N50APBF - MOSFET N-Kanal

IRFIB7N50APBF – MOSFET N-Kanal, 500 V, 6,6 A, Rds(on) 0,52 Ohm, TO-220-Fullpak

1,90 €

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Artikelnummer: 4b79462db301 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

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  • IRFIB7N50APBF – Der zuverlässige N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
    • Technische Daten im Überblick
    • Die Vorteile des TO-220-Fullpak Gehäuses
    • Anwendungsbereiche des IRFIB7N50APBF
    • Warum Sie sich für den IRFIB7N50APBF entscheiden sollten
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFIB7N50APBF

IRFIB7N50APBF – Der zuverlässige N-Kanal MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IRFIB7N50APBF, einem robusten und vielseitigen N-Kanal MOSFET, der Ihre Schaltungen mit beeindruckender Effizienz und Zuverlässigkeit beflügelt. Dieser Transistor ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zu innovativen Lösungen in den Bereichen Stromversorgung, Motorsteuerung und vielem mehr. Stellen Sie sich vor, wie Sie mit diesem kleinen Kraftpaket Ihre Ideen in die Realität umsetzen und Ihre Projekte auf ein neues Level heben.

Der IRFIB7N50APBF besticht durch seine hervorragenden Leistungsdaten: Eine Sperrspannung von 500 V, ein kontinuierlicher Drainstrom von 6,6 A und ein niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on)) von lediglich 0,52 Ohm. Diese Kombination ermöglicht es Ihnen, Ihre Schaltungen effizienter zu gestalten und Energieverluste zu minimieren. Das TO-220-Fullpak-Gehäuse sorgt für eine optimale Wärmeableitung und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen.

Ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein begeisterter Bastler oder ein ambitionierter Student sind, der IRFIB7N50APBF bietet Ihnen die Leistung und Flexibilität, die Sie für Ihre Projekte benötigen. Lassen Sie sich von seinen Möglichkeiten inspirieren und entdecken Sie neue Wege, Ihre elektronischen Schaltungen zu optimieren.

Technische Daten im Überblick

Für einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten des IRFIB7N50APBF haben wir Ihnen eine übersichtliche Tabelle zusammengestellt:

Eigenschaft Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Sperrspannung (Vds) 500 V
Kontinuierlicher Drainstrom (Id) 6,6 A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 0,52 Ohm
Gehäuse TO-220-Fullpak

Die Vorteile des TO-220-Fullpak Gehäuses

Das TO-220-Fullpak Gehäuse des IRFIB7N50APBF bietet entscheidende Vorteile gegenüber herkömmlichen TO-220 Gehäusen. Durch die vollständige Isolation des Kühlkörpers ist keine zusätzliche Isolierung erforderlich, was die Montage vereinfacht und das Risiko von Kurzschlüssen reduziert. Dies macht den IRFIB7N50APBF besonders sicher und zuverlässig im Einsatz.

Die verbesserte Wärmeableitung des TO-220-Fullpak Gehäuses ermöglicht zudem den Betrieb bei höheren Temperaturen und trägt so zur Langlebigkeit des MOSFET bei. Dies ist besonders wichtig in Anwendungen, bei denen hohe Leistung und Zuverlässigkeit gefordert sind.

Anwendungsbereiche des IRFIB7N50APBF

Der IRFIB7N50APBF ist ein wahrer Allrounder und findet in einer Vielzahl von Anwendungen Verwendung. Hier sind einige Beispiele, die Sie inspirieren sollen:

  • Schaltnetzteile: Effiziente und zuverlässige Stromversorgung für Ihre elektronischen Geräte.
  • Motorsteuerungen: Präzise Steuerung von Motoren in Robotern, Drohnen und anderen Anwendungen.
  • LED-Beleuchtung: Helle und energieeffiziente Beleuchtungslösungen für Innen- und Außenbereiche.
  • DC-DC-Wandler: Umwandlung von Gleichspannung für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen.
  • Wechselrichter: Umwandlung von Gleichspannung in Wechselspannung für netzunabhängige Stromversorgung.

Die Vielseitigkeit des IRFIB7N50APBF ermöglicht es Ihnen, kreative Lösungen für Ihre spezifischen Anforderungen zu entwickeln. Lassen Sie Ihrer Fantasie freien Lauf und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die dieser MOSFET bietet.

Warum Sie sich für den IRFIB7N50APBF entscheiden sollten

Der IRFIB7N50APBF ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil – er ist ein zuverlässiger Partner für Ihre Projekte. Seine herausragenden Eigenschaften, die hohe Qualität und die einfache Handhabung machen ihn zur idealen Wahl für alle, die Wert auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit legen.

Mit dem IRFIB7N50APBF können Sie Ihre Schaltungen optimieren, Energie sparen und die Lebensdauer Ihrer Geräte verlängern. Er ist die perfekte Lösung für alle, die ihre elektronischen Projekte auf ein neues Level heben möchten.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFIB7N50APBF

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IRFIB7N50APBF. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

  1. Was bedeutet die Abkürzung MOSFET?

    MOSFET steht für Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, auf Deutsch Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Es handelt sich um einen spannungsgesteuerten Schalter.

  2. Was bedeutet N-Kanal bei einem MOSFET?

    Ein N-Kanal MOSFET leitet Strom zwischen Drain und Source, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird. Er ist einer der beiden Haupttypen von MOSFETs, der andere ist der P-Kanal MOSFET.

  3. Was ist der Unterschied zwischen einem TO-220 und einem TO-220-Fullpak Gehäuse?

    Der Hauptunterschied besteht in der Isolation des Kühlkörpers. Beim TO-220-Fullpak Gehäuse ist der Kühlkörper vollständig isoliert, was eine einfachere Montage ohne zusätzliche Isolierung ermöglicht und das Risiko von Kurzschlüssen reduziert.

  4. Wie berechne ich die benötigte Kühlung für den IRFIB7N50APBF?

    Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung des MOSFET ab. Berechnen Sie die Verlustleistung (P = I^2 * Rds(on)) und wählen Sie einen Kühlkörper, der diese Wärme abführen kann. Beachten Sie die Umgebungstemperatur und den maximal zulässigen Wert für die Gehäusetemperatur (Tjmax).

  5. Kann ich den IRFIB7N50APBF auch für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der IRFIB7N50APBF ist für PWM-Anwendungen geeignet. Achten Sie jedoch darauf, die maximal zulässige Schaltfrequenz und die Schaltverluste zu berücksichtigen, um eine Überhitzung zu vermeiden.

  6. Welche alternativen MOSFETs gibt es zum IRFIB7N50APBF?

    Alternativen hängen von Ihren spezifischen Anforderungen ab. Einige mögliche Alternativen sind der IRF840 (höherer Strom, höheres Rds(on)) oder der IRFP460 (höherer Strom, höheres Rds(on), TO-247 Gehäuse). Vergleichen Sie die Datenblätter, um den passenden MOSFET für Ihre Anwendung zu finden.

  7. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRFIB7N50APBF?

    Sie finden das offizielle Datenblatt des Herstellers (Infineon) auf deren Website oder auf gängigen Elektronik-Websites wie AllDataSheet oder DigiKey.

Wir hoffen, diese Produktbeschreibung hat Ihnen alle wichtigen Informationen zum IRFIB7N50APBF geliefert. Bestellen Sie noch heute und starten Sie Ihr nächstes Elektronikprojekt mit diesem leistungsstarken MOSFET!

Bewertungen: 4.8 / 5. 409

Zusätzliche Informationen
Marke

Vishay

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