IRFB 4115 – MOSFET, N-Kanal, 150 V, 104 A, RDS(on) 0,0093 Ohm, TO-220-AB

IRFB4115PBF , HEXFETPower MOSFETVorteile• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode• Bleifrei• RoHS-konform, halogenfreiAnwendungen• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen