IRFB 38N20D – Der N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den IRFB 38N20D, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit seinen herausragenden Eigenschaften und seiner robusten Bauweise setzt dieser MOSFET neue Maßstäbe in Bezug auf Effizienz, Zuverlässigkeit und Performance. Egal ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbyist sind, der IRFB 38N20D wird Sie begeistern und Ihnen helfen, Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben.
Technische Highlights, die überzeugen
Der IRFB 38N20D ist mehr als nur ein MOSFET – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Seine technischen Daten sprechen für sich und versprechen eine Performance, auf die Sie sich verlassen können:
- N-Kanal MOSFET: Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
- Spannung (Vds): 200 V – Ideal für Anwendungen mit höheren Spannungsanforderungen.
- Strom (Id): 38 A – Ermöglicht den Betrieb mit hohen Strömen für maximale Leistung.
- Rds(on): 0,054 Ohm – Minimiert die Verluste und sorgt für eine effiziente Energieübertragung.
- Gehäuse: TO-220AB – Gewährleistet eine einfache Montage und effektive Wärmeableitung.
Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den IRFB 38N20D zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen es auf hohe Leistung und Zuverlässigkeit ankommt. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte optimiert und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.
Anwendungsbereiche: Grenzenlose Möglichkeiten
Der IRFB 38N20D ist ein echter Allrounder und findet in den unterschiedlichsten Bereichen Anwendung. Seine Vielseitigkeit macht ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für Ingenieure, Entwickler und Elektronik-Enthusiasten. Hier sind einige Beispiele, wo der IRFB 38N20D seine Stärken ausspielen kann:
- Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und reduzieren Sie die Verluste.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient, egal ob in Robotern, Drohnen oder Elektrowerkzeugen.
- DC-DC Wandler: Wandeln Sie Gleichspannungen effizient um und versorgen Sie Ihre Schaltungen zuverlässig.
- Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichspannung in Wechselspannung um, beispielsweise für Solarstromanlagen oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
- Leistungsverstärker: Verstärken Sie Signale mit hoher Leistung und minimalen Verzerrungen.
Diese Liste ist nur ein kleiner Ausschnitt der unzähligen Anwendungsmöglichkeiten. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie, wie der IRFB 38N20D Ihre Ideen zum Leben erweckt.
Warum der IRFB 38N20D die richtige Wahl ist
In der Welt der Leistungselektronik gibt es viele MOSFETs, aber der IRFB 38N20D sticht durch seine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit hervor. Hier sind einige Gründe, warum Sie sich für diesen MOSFET entscheiden sollten:
- Hohe Effizienz: Dank des niedrigen Rds(on) werden die Verluste minimiert und die Energie optimal genutzt. Das spart nicht nur Kosten, sondern schont auch die Umwelt.
- Robuste Bauweise: Der IRFB 38N20D ist für den anspruchsvollen Einsatz konzipiert und hält auch hohen Belastungen stand. Sie können sich auf seine Zuverlässigkeit verlassen, auch unter extremen Bedingungen.
- Einfache Integration: Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Wärmeableitung. Sie sparen Zeit und Aufwand bei der Integration in Ihre Schaltungen.
- Vielseitigkeit: Der IRFB 38N20D ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet und bietet Ihnen maximale Flexibilität bei der Entwicklung Ihrer Projekte.
- Langfristige Verfügbarkeit: Sie können sich darauf verlassen, dass der IRFB 38N20D auch in Zukunft verfügbar sein wird. Das gibt Ihnen Planungssicherheit für Ihre Projekte.
Mit dem IRFB 38N20D investieren Sie in ein Qualitätsprodukt, das Ihnen langfristig Freude bereiten wird. Erleben Sie den Unterschied und profitieren Sie von seiner überlegenen Performance.
Technische Daten im Detail
Für eine detaillierte Übersicht über die technischen Daten des IRFB 38N20D haben wir Ihnen eine Tabelle zusammengestellt:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Vds (Drain-Source Spannung) | 200 | V |
| Id (Drain Strom) | 38 | A |
| Rds(on) (Drain-Source Widerstand) | 0.054 | Ohm |
| Vgs (Gate-Source Spannung) | ±20 | V |
| Pd (Verlustleistung) | 130 | W |
| Gehäuse | TO-220AB | – |
| Technologie | N-Kanal MOSFET | – |
Diese Tabelle gibt Ihnen einen umfassenden Überblick über die wichtigsten Parameter des IRFB 38N20D. Nutzen Sie diese Informationen, um den MOSFET optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und das volle Potenzial auszuschöpfen.
Die Zukunft der Leistungselektronik beginnt jetzt
Der IRFB 38N20D ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zur Zukunft der Leistungselektronik. Seine herausragenden Eigenschaften und seine Vielseitigkeit machen ihn zu einem unverzichtbaren Werkzeug für alle, die innovative und effiziente Lösungen entwickeln wollen. Treten Sie ein in die Welt der Hochleistungselektronik und erleben Sie, wie der IRFB 38N20D Ihre Projekte beflügelt.
Bestellen Sie noch heute Ihren IRFB 38N20D und starten Sie in eine Zukunft voller Möglichkeiten! Wir sind überzeugt, dass Sie von seiner Performance begeistert sein werden.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IRFB 38N20D
Wir haben für Sie die häufigsten Fragen zum IRFB 38N20D zusammengestellt, um Ihnen bei Ihrer Entscheidung zu helfen:
- Was bedeutet Rds(on)?
Rds(on) steht für den Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand des MOSFET. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringere Verluste und eine höhere Effizienz.
- Für welche Anwendungen ist der IRFB 38N20D besonders geeignet?
Der IRFB 38N20D eignet sich hervorragend für Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, DC-DC Wandler, Wechselrichter und Leistungsverstärker.
- Wie kühle ich den IRFB 38N20D richtig?
Aufgrund der Verlustleistung des MOSFET ist eine gute Kühlung wichtig. Verwenden Sie einen Kühlkörper, der für das TO-220AB Gehäuse geeignet ist, und achten Sie auf eine ausreichende Luftzirkulation.
- Kann ich den IRFB 38N20D auch mit niedrigeren Spannungen betreiben?
Ja, der IRFB 38N20D kann auch mit niedrigeren Spannungen betrieben werden. Achten Sie jedoch darauf, dass die Gate-Source-Spannung (Vgs) innerhalb der zulässigen Grenzen liegt.
- Was passiert, wenn ich den maximalen Strom überschreite?
Das Überschreiten des maximalen Stroms (Id) kann zu einer Beschädigung des MOSFET führen. Achten Sie darauf, dass der Strom innerhalb der spezifizierten Grenzen bleibt.
- Ist der IRFB38N20D ESD-empfindlich?
Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IRFB38N20D empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Beachten Sie die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen bei der Handhabung und Installation.
- Wo finde ich das Datenblatt für den IRFB38N20D?
Das Datenblatt für den IRFB38N20D finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder auf einschlägigen Elektronik-Portalen. Es enthält detaillierte Informationen und Diagramme zur optimalen Verwendung des MOSFET.
