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IRF8910PBF - MOSFET 2xN-Ch 20V 10A 0

IRF8910PBF – MOSFET 2xN-Ch 20V 10A 0,0134R SO8

1,15 €

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Artikelnummer: 736e7fcc78fa Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • IRF8910PBF: Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Schaltungen
  • Technische Brillanz im Detail: Was den IRF8910PBF auszeichnet
    • Doppelte Power: Dual-N-Kanal-Konfiguration
    • Kompakte Bauweise, maximale Performance: SO8-Gehäuse
    • Geringer Durchlasswiderstand: 0,0134R für höchste Effizienz
    • Sicherheit und Zuverlässigkeit: 20V und 10A für anspruchsvolle Anwendungen
  • Anwendungsbereiche: Wo der IRF8910PBF glänzt
  • Technische Daten im Überblick
  • Ihr Vorteil: Warum Sie sich für den IRF8910PBF entscheiden sollten
  • FAQ: Häufig gestellte Fragen zum IRF8910PBF

IRF8910PBF: Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Schaltungen

Sind Sie auf der Suche nach einem zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET für Ihre anspruchsvollen Elektronikprojekte? Der IRF8910PBF ist mehr als nur ein Bauteil – er ist die Antwort auf Ihre Bedürfnisse nach Effizienz, Präzision und Langlebigkeit. Dieser Dual-N-Kanal-MOSFET mit 20V und 10A ist ein Meisterwerk der Ingenieurskunst, verpackt in einem kompakten SO8-Gehäuse. Erleben Sie, wie der IRF8910PBF Ihre Schaltungen transformiert und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnet.

Technische Brillanz im Detail: Was den IRF8910PBF auszeichnet

Der IRF8910PBF vereint fortschrittliche Technologie und durchdachtes Design, um Ihnen eine unübertroffene Leistung zu bieten. Seine herausragenden Eigenschaften machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen.

Doppelte Power: Dual-N-Kanal-Konfiguration

Mit seiner Dual-N-Kanal-Konfiguration bietet der IRF8910PBF die Flexibilität, zwei separate Schaltungen mit einem einzigen Bauteil zu steuern. Dies spart Platz auf der Leiterplatte und reduziert die Komplexität Ihrer Designs. Stellen Sie sich vor, wie einfach Sie redundante Systeme oder Brückenschaltungen implementieren können, ohne Kompromisse bei der Leistung einzugehen.

Kompakte Bauweise, maximale Performance: SO8-Gehäuse

Das SO8-Gehäuse des IRF8910PBF ist nicht nur platzsparend, sondern auch robust und einfach zu handhaben. Es ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und eine zuverlässige Verbindung zur Leiterplatte. Das Ergebnis ist eine verbesserte Systemleistung und eine längere Lebensdauer Ihrer Schaltungen.

Geringer Durchlasswiderstand: 0,0134R für höchste Effizienz

Der niedrige Durchlasswiderstand (Rds(on)) von 0,0134 Ohm minimiert die Verluste und maximiert die Effizienz Ihrer Schaltungen. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung, eine höhere Leistung und eine längere Batterielaufzeit für Ihre tragbaren Geräte. Stellen Sie sich vor, wie viel Energie Sie sparen können, wenn Sie den IRF8910PBF in Ihren Designs einsetzen.

Sicherheit und Zuverlässigkeit: 20V und 10A für anspruchsvolle Anwendungen

Mit einer Spannungsfestigkeit von 20V und einem maximalen Strom von 10A bietet der IRF8910PBF ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen. Er ist ideal für den Einsatz in DC-DC-Wandlern, Motorsteuerungen, Lastschaltern und vielen anderen Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind. Vertrauen Sie auf den IRF8910PBF, um Ihre Schaltungen sicher und effizient zu betreiben.

Anwendungsbereiche: Wo der IRF8910PBF glänzt

Die Vielseitigkeit des IRF8910PBF macht ihn zur perfekten Wahl für eine breite Palette von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen leistungsstarken MOSFET in Ihren Projekten einsetzen können:

  • DC-DC-Wandler: Steigern Sie die Effizienz Ihrer Stromversorgungen und minimieren Sie die Verluste.
  • Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und zuverlässige Motorsteuerungen für Robotik, Automatisierung und mehr.
  • Lastschalter: Schalten Sie Lasten sicher und effizient mit dem IRF8910PBF als Lastschalter.
  • Batteriemanagementsysteme: Optimieren Sie die Batterielaufzeit Ihrer tragbaren Geräte und schützen Sie Ihre Akkus vor Überlastung.
  • LED-Beleuchtung: Steuern Sie LEDs präzise und effizient für eine optimale Lichtausbeute.

Technische Daten im Überblick

Hier finden Sie eine übersichtliche Zusammenfassung der wichtigsten technischen Daten des IRF8910PBF:

Parameter Wert
Typ MOSFET
Kanaltyp 2x N-Kanal
Spannung Vds 20V
Strom Id 10A
Durchlasswiderstand Rds(on) 0,0134 Ohm
Gehäuse SO8

Ihr Vorteil: Warum Sie sich für den IRF8910PBF entscheiden sollten

Die Entscheidung für den IRF8910PBF ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Elektronikprojekte. Hier sind die wichtigsten Vorteile, die Sie erwarten können:

  • Höhere Effizienz: Minimieren Sie Verluste und maximieren Sie die Leistung Ihrer Schaltungen.
  • Platzersparnis: Das kompakte SO8-Gehäuse ermöglicht eine dichte Bestückung der Leiterplatte.
  • Zuverlässigkeit: Der IRF8910PBF ist robust und langlebig, auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • Flexibilität: Die Dual-N-Kanal-Konfiguration bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten.
  • Einfache Handhabung: Das SO8-Gehäuse ist einfach zu löten und zu installieren.

FAQ: Häufig gestellte Fragen zum IRF8910PBF

Wir haben die am häufigsten gestellten Fragen zum IRF8910PBF für Sie zusammengestellt:

  1. Was bedeutet „PBF“ in der Bezeichnung IRF8910PBF?

    PBF steht für „Pb-Free“ und bedeutet, dass der IRF8910PBF bleifrei ist und den RoHS-Richtlinien entspricht.

  2. Kann ich den IRF8910PBF parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

    Ja, es ist möglich, MOSFETs wie den IRF8910PBF parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings sollte man dabei auf eine gleichmäßige Stromverteilung achten und gegebenenfalls Vorwiderstände verwenden.

  3. Welche Kühlmaßnahmen sind für den IRF8910PBF erforderlich?

    Die Notwendigkeit von Kühlmaßnahmen hängt von der Anwendung und der Verlustleistung ab. Bei höheren Strömen und längeren Betriebszeiten kann ein Kühlkörper erforderlich sein, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten.

  4. Ist der IRF8910PBF ESD-empfindlich?

    Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der IRF8910PBF ESD-empfindlich. Es ist wichtig, ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, um Schäden während der Handhabung und Installation zu vermeiden.

  5. Wo finde ich ein Datenblatt für den IRF8910PBF?

    Ein Datenblatt für den IRF8910PBF finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers (Infineon) oder bei verschiedenen Elektronikdistributoren.

  6. Kann ich den IRF8910PBF als High-Side-Schalter verwenden?

    Ja, der IRF8910PBF kann als High-Side-Schalter verwendet werden. Beachten Sie jedoch, dass Sie eine geeignete Ansteuerschaltung benötigen, um den MOSFET korrekt anzusteuern.

  7. Welche Alternativen gibt es zum IRF8910PBF?

    Es gibt verschiedene Alternativen zum IRF8910PBF, abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen. Einige Beispiele sind MOSFETs mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten sowie Durchlasswiderständen von anderen Herstellern.

Der IRF8910PBF ist mehr als nur ein MOSFET – er ist ein Partner für Ihre kreativen Elektronikprojekte. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit dieses außergewöhnlichen Bauteils!

Bewertungen: 4.7 / 5. 792

Zusätzliche Informationen
Marke

Infineon

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