IRF 710 – MOSFET, N-Kanal, 400 V, 2 A, RDS(on) 3,6 Ohm, TO-220AB

IRF710, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC