IPA65R190C7 – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Elektronikprojekten
Entdecken Sie den IPA65R190C7, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seiner robusten Bauweise neue Maßstäbe in der Leistungselektronik setzt. Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein zuverlässiger Partner für all Ihre anspruchsvollen Projekte, der Ihnen hilft, Ihre Visionen in die Realität umzusetzen. Erleben Sie die perfekte Balance aus Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung – mit dem IPA65R190C7.
Technische Daten im Überblick
Der IPA65R190C7 ist ein N-Kanal MOSFET, der für seine herausragende Leistung und seine vielseitigen Einsatzmöglichkeiten bekannt ist. Hier sind die wichtigsten technischen Daten, die ihn zu einer idealen Wahl für Ihre Projekte machen:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Spannung (Vds): 650V
- Strom (Id): 8A
- Leistung (Pd): 30W
- Widerstand (Rds(on)): 0,19 Ohm
- Gehäuse: TO220-Fullpak
Diese Spezifikationen machen den IPA65R190C7 zu einem leistungsstarken und effizienten Bauteil, das in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann.
Anwendungsbereiche des IPA65R190C7
Die Vielseitigkeit des IPA65R190C7 kennt kaum Grenzen. Er findet Anwendung in einer breiten Palette von Bereichen, in denen eine zuverlässige und effiziente Schaltleistung gefragt ist. Hier sind einige Beispiele:
- Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Schaltnetzteile mit dem schnellen Schaltverhalten und dem geringen Durchlasswiderstand des IPA65R190C7.
- Motorsteuerungen: Profitieren Sie von der robusten Bauweise und der hohen Spannungsfestigkeit des MOSFET für präzise und zuverlässige Motorsteuerungen.
- Wechselrichter: Nutzen Sie die hohe Effizienz des IPA65R190C7, um Ihre Wechselrichter leistungsstärker und energieeffizienter zu gestalten.
- LED-Beleuchtung: Sorgen Sie für eine stabile und effiziente Stromversorgung Ihrer LED-Beleuchtungssysteme.
- Leistungsverstärker: Erreichen Sie eine hohe Klangqualität und Leistung in Ihren Audio-Verstärkern mit dem geringen Rauschen und der schnellen Schaltgeschwindigkeit des MOSFET.
Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, der IPA65R190C7 bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie für Ihre Projekte benötigen.
Die Vorteile des TO220-Fullpak Gehäuses
Das TO220-Fullpak Gehäuse ist nicht nur ein Standard, sondern ein Garant für optimale Wärmeableitung und einfache Montage. Hier sind die Vorteile im Detail:
- Optimale Wärmeableitung: Die spezielle Bauform des TO220-Fullpak Gehäuses sorgt für eine effiziente Wärmeableitung, wodurch der MOSFET auch bei hohen Belastungen zuverlässig arbeitet.
- Einfache Montage: Dank der standardisierten Abmessungen lässt sich der IPA65R190C7 problemlos in bestehende Systeme integrieren und auf Kühlkörpern montieren.
- Robustheit: Das TO220-Fullpak Gehäuse bietet einen hervorragenden Schutz vor mechanischen Belastungen und Umwelteinflüssen, was die Lebensdauer des MOSFET verlängert.
- Isolation: Die isolierte Bauweise des Fullpak Gehäuses ermöglicht eine sichere Montage ohne zusätzliche Isolationsmaßnahmen.
Mit dem TO220-Fullpak Gehäuse des IPA65R190C7 können Sie sich auf eine einfache Handhabung und eine lange Lebensdauer verlassen.
Warum der IPA65R190C7 die richtige Wahl ist
Die Entscheidung für den richtigen MOSFET ist entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Der IPA65R190C7 bietet Ihnen eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von anderen Bauteilen abheben:
- Hohe Effizienz: Der geringe Durchlasswiderstand (Rds(on)) minimiert die Verluste und sorgt für eine hohe Effizienz in Ihren Anwendungen.
- Zuverlässigkeit: Die robuste Bauweise und die hochwertigen Materialien garantieren eine lange Lebensdauer und einen zuverlässigen Betrieb.
- Vielseitigkeit: Der IPA65R190C7 eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, von Schaltnetzteilen bis hin zu Motorsteuerungen.
- Einfache Handhabung: Das TO220-Fullpak Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Wärmeableitung.
- Kosteneffizienz: Der IPA65R190C7 bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis und hilft Ihnen, Ihre Projektkosten zu senken.
Mit dem IPA65R190C7 investieren Sie in ein Bauteil, das Ihre Erwartungen übertrifft und Ihnen hilft, Ihre Ziele zu erreichen.
Technische Details im Detail
Um Ihnen ein noch besseres Verständnis des IPA65R190C7 zu ermöglichen, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Parametern:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 650 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Drain-Strom (Id) | 8 | A |
| Puls-Drain-Strom (Idm) | 24 | A |
| Gesamtverlustleistung (Pd) | 30 | W |
| Durchlasswiderstand (Rds(on)) | 0,19 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) | 12 | nC |
| Anstiegszeit (tr) | 12 | ns |
| Fallzeit (tf) | 10 | ns |
| Betriebstemperatur (Tj) | -55 bis +150 | °C |
Diese detaillierten Informationen helfen Ihnen, den IPA65R190C7 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.
Sicherheitshinweise
Beim Umgang mit elektronischen Bauteilen, insbesondere mit MOSFETs, ist es wichtig, bestimmte Sicherheitsvorkehrungen zu beachten, um Schäden am Bauteil und Verletzungen zu vermeiden:
- ESD-Schutz: MOSFETs sind empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Verwenden Sie beim Umgang mit dem IPA65R190C7 immer eine ESD-Schutzmatte und ein Erdungsband.
- Überspannungsschutz: Schützen Sie den MOSFET vor Überspannungen, die durch induktive Lasten oder Schaltvorgänge entstehen können. Verwenden Sie geeignete Schutzschaltungen wie TVS-Dioden.
- Wärmeableitung: Stellen Sie sicher, dass der MOSFET ausreichend gekühlt wird, um eine Überhitzung zu vermeiden. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper und Wärmeleitpaste.
- Sichere Arbeitsumgebung: Arbeiten Sie in einer sauberen und trockenen Umgebung, um Kurzschlüsse und Beschädigungen zu vermeiden.
Die Beachtung dieser Sicherheitshinweise trägt dazu bei, die Lebensdauer des IPA65R190C7 zu verlängern und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IPA65R190C7
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPA65R190C7:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf die Art des Halbleitermaterials, das den Kanal bildet, durch den die Elektronen fließen.
- Welchen Kühlkörper benötige ich für den IPA65R190C7?
Die Größe des benötigten Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Verwenden Sie einen Kühlkörper, der die Wärme ausreichend ableiten kann, um die Betriebstemperatur des MOSFET unterhalb des maximal zulässigen Wertes zu halten.
- Kann ich den IPA65R190C7 für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der IPA65R190C7 eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) aufgrund seiner schnellen Schaltzeiten und seines geringen Durchlasswiderstandes.
- Wie schütze ich den IPA65R190C7 vor ESD-Schäden?
Tragen sie beim Umgang mit dem Bauteil immer ein Erdungsband und arbeiten Sie auf einer ESD-sicheren Matte. Vermeiden Sie das Berühren der Anschlüsse direkt mit den Fingern.
- Wo finde ich das Datenblatt für den IPA65R190C7?
Das Datenblatt für den IPA65R190C7 finden Sie auf der Herstellerseite (z.B. Infineon) oder auf unserer Webseite im Bereich „Downloads“.
- Ist der IPA65R190C7 RoHS-konform?
Ja, der IPA65R190C7 ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen der Europäischen Union zur Beschränkung gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
- Kann ich den IPA65R190C7 auch in Hochfrequenzanwendungen einsetzen?
Der IPA65R190C7 ist primär für Anwendungen konzipiert, die nicht im Hochfrequenzbereich liegen. Für Hochfrequenzanwendungen sind spezielle MOSFETs mit optimierten Parametern besser geeignet.
Wir hoffen, diese FAQ helfen Ihnen bei der Verwendung des IPA65R190C7. Bei weiteren Fragen stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung.
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