IPA65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 8A 30W 0,19R TO220-Fullpak: Präzision für anspruchsvolle Schaltanwendungen
Sie suchen nach einer zuverlässigen Lösung für effiziente und hochperformante Schaltkreise in Ihren anspruchsvollen Elektronikprojekten? Der IPA65R190C7 ist ein N-Kanal MOSFET, der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Spannungsfestigkeit, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste erfordern. Ideal für Entwickler, Ingenieure und fortgeschrittene Hobbyisten, die kompromisslose Leistung in Stromversorgungen, Motorsteuerungen und anderen leistungselektronischen Systemen benötigen.
Überragende Leistung und Effizienz
Der IPA65R190C7 zeichnet sich durch seine herausragenden elektrischen Eigenschaften aus, die ihn von herkömmlichen MOSFETs abheben. Mit einer maximalen Sperrspannung von 650V ist er bestens für Anwendungen mit hohen Spannungsspitzen gerüstet, während der geringe eingeschaltete Widerstand (RDS(on)) von nur 0,19 Ohm bei 25°C zu signifikant reduzierten Leitungsverlusten führt. Dies resultiert in einer gesteigerten Gesamteffizienz Ihrer Schaltungen, was besonders in energiebewussten Designs und bei hoher Dauerbelastung von entscheidender Bedeutung ist. Die optimierte Gate-Ladung (Qg) und die geringen Kapazitäten tragen zu schnellen Schaltübergängen bei, minimieren die Schaltverluste und ermöglichen den Betrieb bei höheren Frequenzen. Dies ist ein kritischer Vorteil gegenüber MOSFETs mit älterer Technologie, die oft mit höheren Schaltzeiten und entsprechenden Energieverlusten kämpfen.
Fortschrittliche Halbleitertechnologie
Die Basis des IPA65R190C7 bildet eine fortschrittliche Silizium-basiertes Halbleitertechnologie, die für ihre Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bekannt ist. Durch präzise Fertigungsprozesse wird eine hohe Gleichmäßigkeit der Bauteileigenschaften gewährleistet, was eine vorhersagbare Leistung und einfache Integration in komplexe Schaltungen ermöglicht. Das Design ist auf maximale Stromtragfähigkeit bei gleichzeitig geringer thermischer Belastung optimiert. Die hohe Güte des MOSFETs, gemessen an Parametern wie Avalanche-Energie (EAS), verspricht Robustheit gegenüber unerwarteten Spannungsspitzen, ein häufiges Problem in der Leistungselektronik. Diese fortgeschrittene Technologie erlaubt es dem IPA65R190C7, auch unter extremen Bedingungen stabil zu arbeiten, wo Standard-MOSFETs an ihre Grenzen stoßen würden.
Anwendungsbereiche und Einsatzmöglichkeiten
Der IPA65R190C7 ist eine vielseitige Komponente, die in einer breiten Palette von leistungselektronischen Anwendungen eingesetzt werden kann. Seine hohe Spannungsfestigkeit und der geringe RDS(on) machen ihn zur idealen Wahl für:
- Schaltnetzteile (SMPS): Insbesondere für Hochfrequenzanwendungen, bei denen Effizienz und kompakte Bauweise entscheidend sind.
- Motorsteuerungen: Für präzise und energieeffiziente Steuerung von Gleich- und Wechselstrommotoren in industriellen und automobilen Applikationen.
- Wechselrichter und Umrichter: Zur Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom oder zur Anpassung von Spannungspegeln in Energieerzeugungssystemen, wie z.B. Solaranlagen.
- LED-Treiber: Für effiziente und stabile Stromversorgung von Hochleistungs-LEDs.
- Industrielle Stromversorgungen: Wo Zuverlässigkeit und Langlebigkeit unter hoher Last gefordert sind.
- Power-over-Ethernet (PoE) Injektoren: Für die sichere und effiziente Stromversorgung von Netzwerkgeräten.
Die Fähigkeit des IPA65R190C7, hohe Ströme von 8A zu schalten, gepaart mit seiner thermischen Belastbarkeit von 30W, macht ihn zu einer robusten Lösung für anspruchsvolle Dauerbetriebsanwendungen.
Technische Spezifikationen im Detail
Die präzisen technischen Merkmale des IPA65R190C7 sind entscheidend für die Auswahl der richtigen Komponente für Ihre spezifische Anwendung. Diese detaillierten Daten ermöglichen eine fundierte Auslegung Ihrer Schaltung und eine Optimierung der Leistungsparameter.
| Spezifikation | Wert |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Maximale Drain-Source Spannung (UDS) | 650 V |
| Maximale Drain-Strom (ID) | 8 A (bei TC = 25°C) |
| Eingeschalteter Widerstand (RDS(on)) | 0.19 Ω (bei VGS = 10V, ID = 4A, TJ = 25°C) |
| Gate-Schwellenspannung (UGS(th)) | 2.4 V (typisch) |
| Gesamtgate-Ladung (Qg) | 18 nC (typisch) |
| Maximale Verlustleistung (PD) | 30 W (bei TC = 25°C, TO220-Fullpak) |
| Gehäuse | TO220-Fullpak |
| Betriebstemperaturbereich (TJ) | -55°C bis +150°C |
| Schaltgeschwindigkeit | Schnell (optimiert für hohe Frequenzen) |
| Anwendungsbereiche | Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Wechselrichter, LED-Treiber, industrielle Stromversorgungen |
Vorteile des IPA65R190C7 auf einen Blick
- Hohe Spannungsfestigkeit: 650V Nennspannung für den Einsatz in Hochspannungsanwendungen und zum Schutz vor Spannungsspitzen.
- Geringer RDS(on): Minimiert Leitungsverluste und verbessert die Gesamteffizienz der Schaltung.
- Schnelle Schaltzeiten: Reduziert Schaltverluste und ermöglicht den Betrieb bei höheren Frequenzen.
- Robuste Bauweise: Zuverlässige Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.
- Breites Anwendungsspektrum: Vielseitig einsetzbar in verschiedensten leistungselektronischen Systemen.
- Standardisiertes Gehäuse: TO220-Fullpak für einfache Montage und Integration in bestehende Designs.
- Hohe Energieeffizienz: Wichtig für Energieeinsparung und Reduzierung der Wärmeentwicklung.
- Gleichmäßige Bauteileigenschaften: Gewährleistet vorhersagbare Leistung und einfache Schaltungsentwicklung.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zu IPA65R190C7 – MOSFET N-Ch 650V 8A 30W 0,19R TO220-Fullpak
Was sind die Hauptvorteile des IPA65R190C7 gegenüber herkömmlichen MOSFETs?
Der IPA65R190C7 bietet eine höhere Spannungsfestigkeit (650V) und einen deutlich geringeren eingeschalteten Widerstand (0,19 Ohm) bei vergleichbarer Strombelastbarkeit. Dies führt zu geringeren Leitungs- und Schaltverlusten, was die Gesamteffizienz der Schaltung verbessert und die Wärmeentwicklung reduziert. Seine optimierte Gate-Ladung ermöglicht zudem schnellere Schaltvorgänge.
Für welche Art von Anwendungen ist der IPA65R190C7 am besten geeignet?
Er eignet sich hervorragend für leistungselektronische Anwendungen, die hohe Spannungen, effizientes Schalten und Zuverlässigkeit erfordern. Dazu gehören Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Wechselrichter, industrielle Stromversorgungen und LED-Treiber.
Ist das TO220-Fullpak-Gehäuse für hohe Verlustleistungen geeignet?
Das TO220-Fullpak-Gehäuse bietet eine gute thermische Anbindung und ermöglicht die Abführung von bis zu 30W Verlustleistung bei 25°C Gehäusetemperatur. Für höhere Verlustleistungen oder intensive Dauerbetriebsanwendungen wird jedoch die Verwendung eines geeigneten Kühlkörpers empfohlen, um die optimale Betriebstemperatur zu gewährleisten.
Wie beeinflusst der geringe RDS(on) die Schaltungsleistung?
Ein niedriger RDS(on) minimiert den Spannungsabfall über dem MOSFET, wenn er eingeschaltet ist. Dies reduziert die Leitungsverluste (I²R-Verluste) erheblich. Eine geringere Verlustleistung bedeutet weniger Wärmeentwicklung, eine höhere Effizienz und potenziell eine längere Lebensdauer der Komponente und des Gesamtsystems.
Was bedeutet die Angabe „N-Kanal“ bei diesem MOSFET?
N-Kanal beschreibt die Art des Kanals im MOSFET, durch den der Strom fließt. N-Kanal-MOSFETs werden typischerweise als „Low-Side“-Schalter verwendet, können aber auch in geeigneten Topologien als „High-Side“-Schalter eingesetzt werden. Sie sind verbreitet wegen ihrer guten Leistungseigenschaften und der Möglichkeit, sie mit geringeren Gate-Spannungen anzusteuern.
Kann der IPA65R190C7 auch in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, der IPA65R190C7 ist durch seine schnellen Schaltzeiten und geringen Kapazitäten gut für Hochfrequenzanwendungen geeignet. Dies ermöglicht kompaktere Designs von Schaltnetzteilen und anderen leistungselektronischen Schaltungen, da kleinere Induktivitäten und Kondensatoren verwendet werden können.
Was ist die maximale empfohlene Betriebstemperatur für den IPA65R190C7?
Die maximale Sperrschichttemperatur (TJ) beträgt 150°C. Es ist jedoch ratsam, die Bauteile innerhalb eines konservativeren Temperaturbereichs zu betreiben, um die Zuverlässigkeit und Lebensdauer zu maximieren. Eine sorgfältige thermische Auslegung mit Kühlkörpern ist entscheidend, um diese Grenze nicht zu überschreiten.
