IPA65R095C7 – Der ultimative MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen
Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem IPA65R095C7, einem herausragenden N-Kanal MOSFET, der neue Maßstäbe in Effizienz und Zuverlässigkeit setzt. Dieser Transistor ist nicht einfach nur ein Bauteil, sondern ein Schlüssel zu innovativen Lösungen in einer Vielzahl von Anwendungen. Von Netzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu erneuerbaren Energien – der IPA65R095C7 ist Ihr zuverlässiger Partner.
Technische Brillanz im Detail
Der IPA65R095C7 vereint modernste Technologie mit robuster Bauweise. Mit einer Sperrspannung von 650V, einem kontinuierlichen Drainstrom von 12A und einer Verlustleistung von 34W bietet dieser MOSFET die perfekte Balance zwischen Leistung und Stabilität. Der niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 0,095 Ohm minimiert Verluste und sorgt für einen hocheffizienten Betrieb. Dies führt nicht nur zu einer geringeren Wärmeentwicklung, sondern auch zu einer längeren Lebensdauer Ihrer Geräte.
Eigenschaften, die überzeugen:
- N-Kanal MOSFET: Ermöglicht effiziente Schaltungen und hohe Schaltgeschwindigkeiten.
- 650V Sperrspannung: Bietet einen großen Sicherheitsspielraum für anspruchsvolle Anwendungen.
- 12A kontinuierlicher Drainstrom: Ermöglicht die Steuerung von mittelgroßen Lasten.
- 34W Verlustleistung: Optimale Wärmeableitung für zuverlässigen Betrieb.
- 0,095 Ohm Einschaltwiderstand (Rds(on)): Minimiert Verluste und verbessert die Effizienz.
- TO220-Fullpak Gehäuse: Bietet eine hervorragende Wärmeableitung und einfache Montage.
Vielseitigkeit in der Anwendung
Der IPA65R095C7 ist mehr als nur ein einzelnes Bauteil – er ist ein vielseitiges Werkzeug für Ingenieure und Entwickler. Seine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen:
- Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz Ihrer Netzteile und reduzieren Sie die Wärmeentwicklung.
- Motorsteuerungen: Erzielen Sie eine präzise und zuverlässige Steuerung von Elektromotoren.
- LED-Beleuchtung: Schaffen Sie energieeffiziente und langlebige Beleuchtungslösungen.
- Wechselrichter für erneuerbare Energien: Wandeln Sie Solar- und Windenergie effizient in nutzbaren Strom um.
- Industrielle Automatisierung: Steuern Sie Prozesse zuverlässig und effizient.
TO220-Fullpak: Robuste Bauweise für maximale Performance
Das TO220-Fullpak Gehäuse des IPA65R095C7 ist speziell für eine optimale Wärmeableitung konzipiert. Dieses robuste Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern und sorgt dafür, dass der MOSFET auch unter Volllast kühl bleibt. Die Fullpak-Bauweise bietet zudem eine verbesserte Isolation, was die Sicherheit und Zuverlässigkeit der Anwendung erhöht.
Warum der IPA65R095C7 Ihre erste Wahl sein sollte
In einer Welt, in der Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind, setzt der IPA65R095C7 neue Maßstäbe. Er bietet Ihnen die Möglichkeit, Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben und innovative Lösungen zu entwickeln. Seine robuste Bauweise, kombiniert mit seinen herausragenden elektrischen Eigenschaften, macht ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen. Investieren Sie in den IPA65R095C7 und profitieren Sie von seiner überlegenen Leistung und Zuverlässigkeit. Erleben Sie die Freude, innovative Lösungen zu entwickeln, die nicht nur funktionieren, sondern begeistern!
Technische Daten im Überblick
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Sperrspannung (Vds) | 650V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (Id) | 12A |
| Verlustleistung (Pd) | 34W |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) | 0,095 Ohm |
| Gehäuse | TO220-Fullpak |
Entdecken Sie die Möglichkeiten!
Lassen Sie sich vom IPA65R095C7 inspirieren und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobby-Elektroniker sind – dieser MOSFET wird Ihre Erwartungen übertreffen. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie die Zukunft der Leistungselektronik!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum IPA65R095C7
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum IPA65R095C7:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt über die Spannung an der Gate-Elektrode.
- Welche Vorteile bietet das TO220-Fullpak Gehäuse?
Das TO220-Fullpak Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung und eine verbesserte Isolation im Vergleich zu herkömmlichen TO220 Gehäusen. Dies ermöglicht einen zuverlässigeren Betrieb bei höheren Temperaturen.
- Kann ich den IPA65R095C7 für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der IPA65R095C7 eignet sich hervorragend für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen. Seine schnellen Schaltzeiten und der niedrige Einschaltwiderstand ermöglichen eine effiziente Steuerung von Lasten.
- Wie berechne ich den Kühlkörper, der für den IPA65R095C7 benötigt wird?
Die Berechnung des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Verwenden Sie die Formel Rth = (Tj – Ta) / Pd, wobei Rth der thermische Widerstand des Kühlkörpers, Tj die maximale Junction-Temperatur, Ta die Umgebungstemperatur und Pd die Verlustleistung ist. Beachten Sie auch den thermischen Widerstand des MOSFETs selbst.
- Ist der IPA65R095C7 ESD-geschützt?
Der IPA65R095C7 ist mit einem gewissen ESD-Schutz ausgestattet, jedoch ist es ratsam, beim Umgang mit dem Bauteil ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, um Schäden zu vermeiden.
- Wo finde ich ein Datenblatt für den IPA65R095C7?
Ein detailliertes Datenblatt für den IPA65R095C7 finden Sie auf der Webseite des Herstellers Infineon oder bei autorisierten Distributoren.
- Welche alternativen MOSFETs gibt es zum IPA65R095C7?
Es gibt verschiedene alternative MOSFETs mit ähnlichen Spezifikationen. Einige Beispiele sind der STP12NM60N von STMicroelectronics oder der FDP18N50 von Fairchild Semiconductor (jetzt Onsemi). Vergleichen Sie die Datenblätter, um den passenden MOSFET für Ihre Anwendung zu finden.
