Mini-Array, Silizium-NPN-FototransistorMerkmale:• Gehäuse: klares Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 … 1100 nm• Einstelliges Array-Paket• Hohe Linearität• Verfügbar in GruppenAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)
BPX 81 – Fototransistor, NPN, 450…1100nm, 36°, THT-Mini-Array
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