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2N 7000 - MOSFET

2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92

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Artikelnummer: 80e192ede486 Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Hocheffizienter N-Kanal MOSFET für präzise Schaltungen: 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92
  • Die Überlegenheit des 2N 7000 MOSFETs
  • Anwendungsgebiete und Funktionsweise
  • Technische Spezifikationen und Vorteile
  • Produkteigenschaften im Überblick
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92
    • Kann der 2N 7000 MOSFET als direkter Ersatz für andere MOSFETs verwendet werden?
    • Welche Gate-Spannung ist erforderlich, um den 2N 7000 vollständig einzuschalten?
    • Ist der 2N 7000 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?
    • Welche Kühlung wird für den 2N 7000 empfohlen?
    • Wie schützt man den 2N 7000 vor Überspannungen am Gate?
    • Kann der 2N 7000 auch für analoge Verstärkerschaltungen verwendet werden?
    • Was bedeutet N-Kanal und warum ist das wichtig?

Hocheffizienter N-Kanal MOSFET für präzise Schaltungen: 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92

Benötigen Sie eine zuverlässige und präzise Schaltkomponente für Ihre elektronischen Projekte oder industrielle Anwendungen? Der 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92 ist die ideale Lösung für Entwickler, Ingenieure und Hobbyisten, die eine stabile und effiziente Steuerung von Strömen mit niedriger bis mittlerer Leistung suchen. Dieser N-Kanal-MOSFET mit seiner kompakten TO-92 Bauform ermöglicht die einfache Integration in komplexe Schaltungen und bietet eine überlegene Performance gegenüber herkömmlichen Bipolartransistoren in vielen Schaltanwendungen.

Die Überlegenheit des 2N 7000 MOSFETs

Der 2N 7000 hebt sich durch seine spezifischen elektrischen Eigenschaften und seine bewährte Zuverlässigkeit von generischen MOSFETs ab. Seine Fähigkeit, Spannungen bis 60V zu schalten und einen kontinuierlichen Strom von 0,115A zu verarbeiten, macht ihn zur ersten Wahl für präzise Logiksteuerungen, Signalverarbeitung und diverse Schaltregler. Im Vergleich zu älteren Technologien bietet der MOSFET eine höhere Eingangsimpedanz, was zu geringeren Steuerströmen und damit zu einer effizienteren Energieverwendung führt. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit des 2N 7000 minimiert Verluste und ermöglicht eine reaktionsschnelle Schaltung, ein entscheidender Vorteil in dynamischen Systemen.

Anwendungsgebiete und Funktionsweise

Der 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92 ist ein Feld Effekt Transistor, der durch die Anlegung einer Spannung am Gate den Stromfluss zwischen Drain und Source steuert. Seine N-Kanal-Konfiguration bedeutet, dass er durch eine positive Gate-Source-Spannung eingeschaltet wird. Dies macht ihn ideal für:

  • Schaltanwendungen: Von einfachen Ein/Aus-Schaltern bis hin zu komplexen Pulsweitenmodulations-Schaltungen (PWM) zur Steuerung von Motoren oder Helligkeit von LEDs.
  • Logikschaltungen: Als Baustein in digitalen Logikgattern und zur Pegelanpassung zwischen verschiedenen digitalen Systemen.
  • Signalverstärkung: Obwohl primär als Schalter konzipiert, kann er in bestimmten Konfigurationen auch zur Verstärkung von schwachen Signalen eingesetzt werden.
  • Stromquellen: Zur präzisen Regelung von Stromflüssen in Labornetzteilen oder anderen Stromversorgungen.
  • Automatisierungstechnik: Als Schlüsselelement in Steuerungen für industrielle Maschinen und Robotik.

Die maximale Verlustleistung von 0,4W bei typischen Umgebungsbedingungen unterstreicht seine Eignung für Anwendungen, bei denen Energieeffizienz im Vordergrund steht.

Technische Spezifikationen und Vorteile

Die sorgfältige Auswahl von Komponenten ist entscheidend für die Performance und Langlebigkeit elektronischer Geräte. Der 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92 bietet eine Reihe von Vorteilen, die ihn zu einer erstklassigen Wahl machen:

  • Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung (VDS) von 60V ist er für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, die eine sichere Trennung erfordern.
  • Präzise Stromsteuerung: Ein kontinuierlicher Drain-Strom (ID) von 0,115A ermöglicht eine feinfühlige Steuerung von Verbrauchern.
  • Geringe Gate-Ladung: Dies resultiert in schnellen Schaltzeiten und minimierten Schaltverlusten, was die Effizienz des Gesamtsystems steigert.
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: Ermöglicht den Einsatz in verschiedensten Umgebungsbedingungen.
  • Robuste TO-92 Gehäuse: Bietet mechanische Stabilität und erleichtert die Montage auf Leiterplatten, auch bei begrenztem Platzangebot.
  • Niedriger On-Widerstand (RDS(on)): Obwohl nicht explizit in den Spezifikationen genannt, ist dieser typisch für solche MOSFETs und trägt zur Minimierung von Leistungsverlusten im eingeschalteten Zustand bei.

Produkteigenschaften im Überblick

Merkmal Beschreibung
Transistortyp N-Kanal-MOSFET
Maximale Drain-Source-Spannung (VDS) 60V
Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom (ID) 0,115A
Maximale Verlustleistung (PD) 0,4W
Gehäuseform TO-92
Schaltgeschwindigkeit Hoch (charakteristisch für MOSFET-Technologie)
Steuerungsprinzip Spannungsgesteuert über Gate-Source-Spannung (VGS)
Anwendungsbereich Schalten, Logik, Signalverarbeitung, Niedrigstromanwendungen

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu 2N 7000 – MOSFET, N-CH, 60V, 0,115A, 0,4W, TO-92

Kann der 2N 7000 MOSFET als direkter Ersatz für andere MOSFETs verwendet werden?

Ob der 2N 7000 als direkter Ersatz dienen kann, hängt von den spezifischen elektrischen Anforderungen Ihrer Schaltung ab. Während die grundsätzliche Funktion als N-Kanal-MOSFET gleich ist, müssen Sie die Spannungsfestigkeit (VDS), den maximalen Drain-Strom (ID) und insbesondere den On-Widerstand (RDS(on)) und die Gate-Ladung des zu ersetzenden MOSFETs vergleichen. Eine exakte Übereinstimmung ist nicht immer gegeben, aber die spezifizierten Werte des 2N 7000 machen ihn für viele Niedrig- und Mittelstromanwendungen geeignet.

Welche Gate-Spannung ist erforderlich, um den 2N 7000 vollständig einzuschalten?

Die Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) bestimmt, ab welcher Spannung der MOSFET beginnt zu leiten. Typische Werte für den 2N 7000 liegen im Bereich von 1V bis 3V. Um sicherzustellen, dass der MOSFET vollständig durchschaltet und den maximal spezifizierten Strom führen kann, sollte die Gate-Source-Spannung (VGS) deutlich über diesem Schwellenwert liegen, oft im Bereich von 5V bis 10V, abhängig von der konkreten Anwendung und dem gewünschten On-Widerstand.

Ist der 2N 7000 für Hochfrequenzanwendungen geeignet?

Der 2N 7000 ist ein moderner MOSFET, der für seine relativ schnelle Schaltgeschwindigkeit bekannt ist, was ihn für viele Schaltungen im Kilohertz-Bereich geeignet macht. Für sehr hohe Frequenzen im Megahertz-Bereich oder darüber hinaus sind jedoch spezialisierte HF-MOSFETs mit optimierten Parametern wie geringer Gate-Kapazität und schnelleren Übergangszeiten oft die bessere Wahl. Die Eignung hängt vom spezifischen Anwendungsfall und den Frequenzanforderungen ab.

Welche Kühlung wird für den 2N 7000 empfohlen?

Bei der maximalen Verlustleistung von 0,4W ist in vielen typischen Anwendungen keine zusätzliche Kühlung erforderlich, da die Wärmeabfuhr über die Leiterplatte und das TO-92 Gehäuse ausreichend ist. Wenn der MOSFET jedoch dauerhaft nahe seiner maximalen Leistung betrieben wird oder die Umgebungstemperatur hoch ist, kann eine angemessene Wärmeableitung durch eine größere Kupferfläche auf der Leiterplatte um die Drain-Anschlussfläche herum von Vorteil sein, um die Lebensdauer und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Wie schützt man den 2N 7000 vor Überspannungen am Gate?

Die Gate-Source-Spannung sollte niemals die maximal zulässige Spannung überschreiten (typischerweise um ± 20V für Standard-MOSFETs). Empfindliche Gate-Schaltungen können durch die Verwendung von Schutzwiderständen im Gate-Pfad oder durch zusätzliche Schutzdioden gegen transiente Überspannungen geschützt werden. Bei der Ansteuerung durch Mikrocontroller ist es ratsam, die Ausgangspegel des Controllers zu überprüfen und gegebenenfalls Pegelwandler zu verwenden.

Kann der 2N 7000 auch für analoge Verstärkerschaltungen verwendet werden?

Obwohl der 2N 7000 primär als Schalter konzipiert ist, kann er in bestimmten Schaltungstopologien auch für analoge Verstärkeranwendungen eingesetzt werden, insbesondere in Common-Source-Konfigurationen. Hierbei wird der MOSFET im linearen Bereich betrieben. Die Verstärkungseigenschaften (Transkonduktanz, gm) und der Frequenzgang sind dabei entscheidende Faktoren. Für hochpräzise Audio- oder Hochfrequenzverstärker werden jedoch oft spezialisierte Operationsverstärker oder andere Transistortypen bevorzugt.

Was bedeutet N-Kanal und warum ist das wichtig?

N-Kanal bezieht sich auf den Aufbau des MOSFETs, bei dem die Ladungsträger, die den Strom leiten, Elektronen sind. Dies bedeutet, dass der MOSFET durch eine positive Spannung am Gate (relativ zur Source) eingeschaltet wird. N-Kanal-MOSFETs sind in der Regel etwas schneller und haben einen geringeren On-Widerstand als P-Kanal-MOSFETs bei vergleichbaren Spezifikationen. Dies macht sie zur bevorzugten Wahl für viele allgemeine Schalt- und Logikanwendungen, insbesondere wenn sie mit Mikrocontrollern arbeiten, die typischerweise positive Logikpegel ausgeben.

Bewertungen: 4.9 / 5. 332

Zusätzliche Informationen
Marke

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES

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