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UJ3D1205TS - SiC-Schottkydiode 1200V

UJ3D1205TS – SiC-Schottkydiode 1200V, MPS, 5A, Gen-III, TO-220-2L

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Artikelnummer: 9430b43b9519 Kategorie: Schottkydioden
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  • UJ3D1205TS – SiC-Schottkydiode: Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik
  • Technische Brillanz trifft auf praktische Anwendung
    • Warum SiC-Schottkydioden die Zukunft sind
  • Die Vorteile der UJ3D1205TS im Detail
    • Anwendungsbereiche, die begeistern
  • Technische Daten im Überblick
    • Optimieren Sie Ihre Designs
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen

UJ3D1205TS – SiC-Schottkydiode: Revolutionieren Sie Ihre Leistungselektronik

In der Welt der Leistungselektronik, wo Effizienz und Zuverlässigkeit an erster Stelle stehen, präsentiert die UJ3D1205TS SiC-Schottkydiode eine wegweisende Lösung. Diese Diode, die auf der fortschrittlichen Gen-III-Technologie basiert, bietet nicht nur eine überlegene Leistung, sondern eröffnet auch völlig neue Möglichkeiten für Ihre Anwendungen. Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dieser Diode Ihre Systeme optimieren, Energieverluste minimieren und die Lebensdauer Ihrer Geräte verlängern können. Die UJ3D1205TS ist mehr als nur ein Bauteil – sie ist der Schlüssel zu einer neuen Ära der Leistungselektronik.

Technische Brillanz trifft auf praktische Anwendung

Die UJ3D1205TS ist eine 1200V SiC-Schottkydiode, die mit einem MPS (Merged PiN Schottky) Design und einem Nennstrom von 5A beeindruckt. Ihr TO-220-2L Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in bestehende und neue Schaltungen. Aber was diese Diode wirklich auszeichnet, ist ihre Fähigkeit, höchste Effizienz mit extremer Zuverlässigkeit zu kombinieren. Die Gen-III-Technologie sorgt für minimale Schaltverluste und ein außergewöhnliches thermisches Verhalten. Das bedeutet für Sie: weniger Wärmeentwicklung, höhere Betriebsfrequenzen und eine verbesserte Systemleistung.

Warum SiC-Schottkydioden die Zukunft sind

Siliziumkarbid (SiC) ist ein revolutionäres Halbleitermaterial, das Silizium in vielen Hochleistungsanwendungen übertrifft. SiC-Dioden bieten einen deutlich geringeren Durchlassspannungsabfall und schnellere Schaltzeiten als herkömmliche Siliziumdioden. Dies führt zu erheblichen Effizienzsteigerungen, insbesondere bei hohen Frequenzen und Temperaturen. Die UJ3D1205TS nutzt diese Vorteile voll aus und bietet Ihnen eine unübertroffene Leistung in einem kompakten und benutzerfreundlichen Format.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues Solarinverter-System. Mit der UJ3D1205TS können Sie die Umwandlungseffizienz maximieren, die Wärmeentwicklung reduzieren und die Lebensdauer des Inverters verlängern. Oder vielleicht arbeiten Sie an einer hochmodernen Motorsteuerung für Elektrofahrzeuge. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit und die geringen Verluste der UJ3D1205TS ermöglichen eine präzisere und effizientere Steuerung des Motors, was zu einer höheren Reichweite und einer besseren Leistung führt. Die Möglichkeiten sind endlos.

Die Vorteile der UJ3D1205TS im Detail

Lassen Sie uns einen genaueren Blick auf die spezifischen Vorteile werfen, die die UJ3D1205TS SiC-Schottkydiode bietet:

  • Hohe Sperrspannung: 1200V Sperrspannung ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Spannungsspitzen.
  • Niedriger Durchlassspannungsabfall: Reduziert die Leistungsverluste und erhöht die Effizienz.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Minimiert die Schaltverluste und ermöglicht höhere Betriebsfrequenzen.
  • Geringe Sperrstromleckage: Verbessert die Effizienz und reduziert die Wärmeentwicklung.
  • Hohe Betriebstemperatur: Kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, was die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen erhöht.
  • TO-220-2L Gehäuse: Einfache Integration und Kühlung.
  • Gen-III Technologie: Bietet eine optimierte Leistung und Zuverlässigkeit.
  • MPS Design: Verbessert die Schaltleistung und reduziert das Risiko von Störungen.

Anwendungsbereiche, die begeistern

Die UJ3D1205TS ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter:

  • Leistungselektronik: PFC (Power Factor Correction) Schaltungen, DC-DC Wandler, AC-DC Wandler
  • Erneuerbare Energien: Solarinverter, Windkraftanlagen
  • Motorsteuerungen: Elektrofahrzeuge, Industriemotoren
  • Schweißgeräte: Hochfrequenz-Schweißgeräte
  • USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Gewährleistet eine zuverlässige Stromversorgung bei Netzausfällen
  • Induktionserwärmung: Präzise und effiziente Erwärmungsprozesse

Ob Sie nun ein erfahrener Ingenieur oder ein begeisterter Hobbybastler sind, die UJ3D1205TS bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen, um Ihre Projekte auf die nächste Stufe zu heben. Erleben Sie die Freiheit, innovative Lösungen zu entwickeln, die effizienter, zuverlässiger und leistungsstärker sind als je zuvor.

Technische Daten im Überblick

Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht der technischen Daten der UJ3D1205TS:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (VRRM) 1200 V
Durchlassstrom (IF) 5 A
Spitzenstrom (IFRM) 25 A
Durchlassspannung (VF) 1.7 V (bei IF = 5A, Tj = 25°C)
Sperrstrom (IR) 50 µA (bei VR = 1200V, Tj = 25°C)
Sperrverzögerungsladung (QC) 18 nC
Betriebstemperatur (Tj) -55 bis +175 °C
Gehäuse TO-220-2L –

Optimieren Sie Ihre Designs

Mit der UJ3D1205TS können Sie nicht nur Ihre bestehenden Designs verbessern, sondern auch völlig neue Konzepte entwickeln. Die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit dieser Diode ermöglichen es Ihnen, die Grenzen der Leistungselektronik zu verschieben und innovative Lösungen zu schaffen, die einen echten Unterschied machen. Nutzen Sie die Vorteile der SiC-Technologie und erleben Sie, wie die UJ3D1205TS Ihre Projekte beflügelt.

FAQ – Häufig gestellte Fragen

Hier finden Sie Antworten auf einige häufig gestellte Fragen zur UJ3D1205TS SiC-Schottkydiode:

  1. Was ist der Unterschied zwischen einer SiC- und einer Siliziumdiode?

    SiC-Dioden bieten im Vergleich zu Siliziumdioden eine höhere Schaltgeschwindigkeit, einen geringeren Durchlassspannungsabfall und eine bessere thermische Leistung. Dies führt zu höheren Effizienzgraden und geringeren Verlusten, insbesondere bei hohen Frequenzen und Temperaturen.

  2. Welche Vorteile bietet die Gen-III-Technologie?

    Die Gen-III-Technologie optimiert die Leistung und Zuverlässigkeit der Diode. Sie bietet verbesserte Schaltcharakteristiken, geringere Leckströme und eine höhere Robustheit gegenüber Überspannungen.

  3. Kann ich die UJ3D1205TS in bestehenden Schaltungen einsetzen?

    Ja, das TO-220-2L Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in bestehende Schaltungen. Achten Sie jedoch darauf, die technischen Daten zu überprüfen und sicherzustellen, dass die Diode für Ihre spezifische Anwendung geeignet ist.

  4. Wie kühle ich die UJ3D1205TS richtig?

    Die Kühlung hängt von der spezifischen Anwendung und dem Betriebsstrom ab. In den meisten Fällen ist ein Kühlkörper erforderlich. Verwenden Sie Wärmeleitpaste zwischen Diode und Kühlkörper, um eine optimale Wärmeübertragung zu gewährleisten.

  5. Was bedeutet MPS (Merged PiN Schottky)?

    MPS steht für Merged PiN Schottky. Dieses Design kombiniert die Vorteile einer Schottky-Diode (schnelle Schaltgeschwindigkeit) mit denen einer PiN-Diode (hohe Spannungsfestigkeit). Dies führt zu einer Diode mit optimalen Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.

  6. Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur der UJ3D1205TS?

    Die maximale Betriebstemperatur (Tj) beträgt +175°C.

  7. Wo finde ich detailliertere technische Informationen und Datenblätter?

    Detailliertere technische Informationen und Datenblätter finden Sie auf der Website des Herstellers oder in unserer umfangreichen Datenbank mit technischen Dokumentationen.

Die UJ3D1205TS SiC-Schottkydiode ist mehr als nur ein Bauteil – sie ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Leistungselektronik. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die diese Diode bietet, und erleben Sie, wie Sie Ihre Designs optimieren, Energie sparen und die Lebensdauer Ihrer Geräte verlängern können. Bestellen Sie noch heute und starten Sie in eine neue Ära der Effizienz und Zuverlässigkeit!

Bewertungen: 4.7 / 5. 311

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