UJ3D06520KSD – SiC-Dual-Schottkydiode 650V, MPS, 2x10A, Gen-III, TO-247-3L

Gen-III | 2x10A – 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!