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UJ3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET

UJ3C120040K3S – SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 65 A, Rdson 0,035 Ohm, TO-247-3L

33,70 €

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Artikelnummer: 731c0229c3ee Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

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  • UJ3C120040K3S – Die Zukunft der Leistungselektronik in Ihren Händen
    • Technische Daten, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche – Grenzenlose Möglichkeiten
    • Warum SiC-Kaskode-FETs? – Ein Blick auf die Vorteile
    • Die Kaskoden-Architektur – Intelligente Technologie für höchste Performance
    • Der UJ3C120040K3S – Ihr Schlüssel zu innovativen Lösungen
    • Technische Daten im Detail
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum UJ3C120040K3S

UJ3C120040K3S – Die Zukunft der Leistungselektronik in Ihren Händen

Entdecken Sie den UJ3C120040K3S, einen revolutionären SiC-Kaskode-FET, der die Grenzen der Leistungselektronik neu definiert. Dieses Bauteil vereint die Vorteile von Siliziumkarbid (SiC) mit der bewährten Kaskoden-Architektur, um Ihnen eine Performance zu bieten, die Sie begeistern wird. Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Systeme effizienter, kompakter und zuverlässiger gestalten – der UJ3C120040K3S macht es möglich.

In einer Welt, die immer stärker von elektronischen Geräten und nachhaltigen Energielösungen geprägt ist, kommt es mehr denn je auf Effizienz und Zuverlässigkeit an. Der UJ3C120040K3S ist Ihre Antwort auf diese Herausforderungen. Ob in der Antriebstechnik, in erneuerbaren Energiesystemen oder in anspruchsvollen Industrieanwendungen – dieser SiC-Kaskode-FET wird Ihre Erwartungen übertreffen.

Technische Daten, die überzeugen

Der UJ3C120040K3S ist mehr als nur ein Bauteil – er ist eine Investition in die Zukunft Ihrer Projekte. Hier sind die wichtigsten technischen Daten, die ihn auszeichnen:

  • Spannungsfestigkeit: 1200 V – für höchste Sicherheit und Zuverlässigkeit
  • Dauerstrom: 65 A – bewältigt auch anspruchsvollste Lasten
  • Einschaltwiderstand (Rdson): 0,035 Ohm – minimiert Verluste und maximiert Effizienz
  • Gehäuse: TO-247-3L – einfache Integration in bestehende Designs

Diese beeindruckenden Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, Ihre Systeme auf ein neues Leistungsniveau zu heben. Der geringe Einschaltwiderstand reduziert die Verlustleistung signifikant, was zu einer höheren Energieeffizienz und geringeren Wärmeentwicklung führt. Das TO-247-3L Gehäuse sorgt für eine einfache Handhabung und eine problemlose Integration in Ihre Schaltungen.

Anwendungsbereiche – Grenzenlose Möglichkeiten

Der UJ3C120040K3S ist ein wahrer Alleskönner, wenn es um anspruchsvolle Anwendungen geht. Seine Vielseitigkeit macht ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Einsatzgebieten:

  • Antriebstechnik: Steigern Sie die Effizienz von Elektromotoren und Frequenzumrichtern.
  • Erneuerbare Energien: Optimieren Sie Solarinverter und Windkraftanlagen für maximale Energieausbeute.
  • Leistungselektronik: Realisieren Sie kompakte und effiziente Netzteile und Stromversorgungen.
  • Industrielle Anwendungen: Verbessern Sie die Leistung und Zuverlässigkeit von Schweißgeräten, Induktionsheizungen und anderen industriellen Anlagen.
  • Elektromobilität: Erhöhen Sie die Reichweite und Performance von Elektrofahrzeugen durch effiziente Leistungswandlung.

Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln einen neuen Solarinverter, der dank des UJ3C120040K3S einen deutlich höheren Wirkungsgrad erzielt. Oder Sie bauen einen Frequenzumrichter, der durch die geringen Schaltverluste des SiC-FETs deutlich kompakter und leichter wird. Mit dem UJ3C120040K3S sind Ihrer Kreativität keine Grenzen gesetzt.

Warum SiC-Kaskode-FETs? – Ein Blick auf die Vorteile

SiC-Kaskode-FETs kombinieren die besten Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) in einer einzigen Komponente. Diese einzigartige Kombination bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber herkömmlichen Silizium-Bauelementen:

  • Höhere Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht höhere Frequenzen und somit kleinere und leichtere Designs.
  • Geringere Schaltverluste: Reduziert die Wärmeentwicklung und erhöht die Effizienz.
  • Höhere Betriebstemperaturen: Ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen.
  • Bessere Spannungsfestigkeit: Sorgt für höhere Zuverlässigkeit und Sicherheit.
  • Geringerer Einschaltwiderstand (Rdson): Minimiert die Leitungsverluste und erhöht die Effizienz.

Der UJ3C120040K3S profitiert von all diesen Vorteilen und bietet Ihnen eine Performance, die Sie begeistern wird. Er ist die ideale Wahl, wenn es darum geht, Ihre Systeme effizienter, kompakter und zuverlässiger zu gestalten.

Die Kaskoden-Architektur – Intelligente Technologie für höchste Performance

Die Kaskoden-Architektur ist ein wichtiger Faktor für die herausragende Leistung des UJ3C120040K3S. Sie kombiniert einen SiC-JFET mit einem Silizium-MOSFET, um die Vorteile beider Technologien zu nutzen:

Der SiC-JFET sorgt für eine hohe Spannungsfestigkeit und geringe Schaltverluste, während der Silizium-MOSFET für eine einfache Ansteuerung und eine hohe Schaltgeschwindigkeit verantwortlich ist. Diese Kombination ermöglicht es dem UJ3C120040K3S, eine Performance zu bieten, die mit herkömmlichen SiC-MOSFETs nur schwer zu erreichen ist.

Die Kaskoden-Architektur bietet zudem den Vorteil, dass sie robuster gegenüber Kurzschlüssen ist. Dies erhöht die Zuverlässigkeit Ihrer Systeme und reduziert das Risiko von Ausfällen.

Der UJ3C120040K3S – Ihr Schlüssel zu innovativen Lösungen

Der UJ3C120040K3S ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu innovativen Lösungen in der Leistungselektronik. Er ermöglicht es Ihnen, Ihre Systeme effizienter, kompakter und zuverlässiger zu gestalten. Ob in der Antriebstechnik, in erneuerbaren Energiesystemen oder in anspruchsvollen Industrieanwendungen – dieser SiC-Kaskode-FET wird Ihre Erwartungen übertreffen.

Investieren Sie in die Zukunft Ihrer Projekte und setzen Sie auf den UJ3C120040K3S. Sie werden von seiner Performance und Vielseitigkeit begeistert sein. Erleben Sie die nächste Generation der Leistungselektronik – jetzt!

Technische Daten im Detail

Für einen umfassenden Überblick hier eine detaillierte Tabelle mit den technischen Spezifikationen:

Parameter Wert Einheit
Spannungsfestigkeit (Vds) 1200 V
Dauerstrom (Id) 65 A
Einschaltwiderstand (Rdson) 0.035 Ohm
Gate-Ladung (Qg) Variiert je nach Bedingungen nC
Anstiegszeit (Tr) Variiert je nach Bedingungen ns
Fallzeit (Tf) Variiert je nach Bedingungen ns
Gehäuse TO-247-3L –
Betriebstemperatur -55 bis +150 °C

Bitte beachten Sie, dass die dynamischen Parameter (Gate-Ladung, Anstiegszeit, Fallzeit) von den spezifischen Testbedingungen abhängen und im Datenblatt des Herstellers detailliert aufgeführt sind.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum UJ3C120040K3S

Wir haben für Sie die häufigsten Fragen zum UJ3C120040K3S zusammengestellt. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

  1. Was ist ein SiC-Kaskode-FET und welche Vorteile bietet er?
    Ein SiC-Kaskode-FET kombiniert einen Siliziumkarbid-JFET mit einem Silizium-MOSFET. Diese Kombination bietet eine höhere Schaltgeschwindigkeit, geringere Schaltverluste, eine höhere Betriebstemperatur und eine bessere Spannungsfestigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Bauelementen.
  2. Für welche Anwendungen ist der UJ3C120040K3S geeignet?
    Der UJ3C120040K3S eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Antriebstechnik, erneuerbare Energien, Leistungselektronik, industrielle Anwendungen und Elektromobilität.
  3. Wie unterscheidet sich der UJ3C120040K3S von einem herkömmlichen SiC-MOSFET?
    Der UJ3C120040K3S bietet oft einen geringeren Einschaltwiderstand (Rdson) und eine robustere Kurzschlussfestigkeit im Vergleich zu herkömmlichen SiC-MOSFETs. Die Kaskoden-Architektur ermöglicht zudem eine einfachere Ansteuerung.
  4. Welche Kühlmaßnahmen sind für den UJ3C120040K3S erforderlich?
    Die erforderlichen Kühlmaßnahmen hängen von der spezifischen Anwendung und den Betriebsbedingungen ab. Es ist wichtig, die Verlustleistung zu berechnen und geeignete Kühlkörper oder andere Kühlmethoden zu verwenden, um die maximale Betriebstemperatur des Bauelements nicht zu überschreiten.
  5. Wo finde ich das Datenblatt für den UJ3C120040K3S?
    Das Datenblatt für den UJ3C120040K3S finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“.
  6. Kann ich den UJ3C120040K3S als Ersatz für einen herkömmlichen Silizium-MOSFET verwenden?
    In vielen Fällen ja, aber es ist wichtig, die technischen Daten und die Ansteuerbedingungen zu vergleichen, um sicherzustellen, dass der UJ3C120040K3S für die spezifische Anwendung geeignet ist. Möglicherweise sind Anpassungen an der Ansteuerschaltung erforderlich.
  7. Welche Vorteile bietet das TO-247-3L Gehäuse?
    Das TO-247-3L Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und eine einfache Montage. Es ist ein weit verbreitetes Gehäuse, das in vielen Anwendungen eingesetzt wird.

Wir hoffen, diese Informationen helfen Ihnen bei Ihrer Entscheidung. Der UJ3C120040K3S ist ein leistungsstarkes und vielseitiges Bauteil, das Ihnen neue Möglichkeiten in der Leistungselektronik eröffnet.

Bewertungen: 4.6 / 5. 700

Zusätzliche Informationen
Marke

QORVO

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