UF3C120150K4S – Der SiC-Kaskode-FET der nächsten Generation für Ihre anspruchsvollsten Anwendungen
Sind Sie bereit, die Leistung Ihrer Elektronik auf ein neues Level zu heben? Der UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET ist nicht einfach nur ein Bauteil – er ist eine Revolution in der Leistungselektronik. Mit seiner unübertroffenen Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, blitzschneller Schaltgeschwindigkeit und minimalen Verlusten eröffnet er Ihnen völlig neue Möglichkeiten in der Entwicklung innovativer und effizienter Systeme.
Dieser 1200V SiC-Kaskode-FET wurde für höchste Ansprüche entwickelt und bietet eine beeindruckende Strombelastbarkeit von 18,4A sowie einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (Rdson) von nur 0,15 Ohm. Das TO-247-4L Gehäuse sorgt für eine optimale Wärmeableitung und einfache Integration in Ihre bestehenden Designs.
Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Geräte schneller, effizienter und zuverlässiger machen. Mit dem UF3C120150K4S wird diese Vision Wirklichkeit. Er ist die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in Bereichen wie:
- Industrielle Stromversorgungen
- Elektrofahrzeuge (EV) und Ladeinfrastruktur
- Solarenergie-Wechselrichter
- Motorsteuerungen
- Hochfrequenz-Schaltnetzteile
Lassen Sie uns gemeinsam in die Details eintauchen und entdecken, was diesen SiC-Kaskode-FET so besonders macht.
Die Vorteile des UF3C120150K4S im Detail
Der UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn von herkömmlichen Silizium-basierten MOSFETs und anderen SiC-Bauelementen abheben:
- Überragende Spannungsfestigkeit: Mit einer Nennspannung von 1200V bietet dieser FET einen außergewöhnlichen Schutz vor Überspannungen und sorgt für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb auch in anspruchsvollen Umgebungen.
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand (Rdson): Der minimale Rdson von 0,15 Ohm reduziert die Leistungsverluste drastisch und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltungen. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung, höhere Leistungsdichte und geringere Betriebskosten.
- Blitzschnelle Schaltgeschwindigkeit: SiC-Technologie ermöglicht extrem schnelle Schaltvorgänge, wodurch Schaltverluste minimiert und die Effizienz bei hohen Frequenzen deutlich gesteigert wird.
- Hohe Strombelastbarkeit: Mit einer Nennstromstärke von 18,4A ist dieser FET in der Lage, auch hohe Lasten zuverlässig zu schalten und zu steuern.
- TO-247-4L Gehäuse: Das robuste TO-247-4L Gehäuse bietet eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtert die Montage und Integration in Ihre bestehenden Designs. Die zusätzliche Kelvin-Source-Pin reduziert Schaltgeräusche und verbessert die Schaltgeschwindigkeit.
- Geringe Gate-Ladung (Qg): Die geringe Gate-Ladung reduziert die Treiberverluste und ermöglicht eine einfachere Ansteuerung des FETs.
- Hohe Betriebstemperatur: Der UF3C120150K4S kann bei hohen Betriebstemperaturen arbeiten, was ihn ideal für Anwendungen in rauen Umgebungen macht.
- Verbesserte Zuverlässigkeit: SiC-Bauelemente sind bekannt für ihre hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer, was zu geringeren Wartungskosten und einer höheren Systemverfügbarkeit führt.
Technische Daten im Überblick
Hier finden Sie eine detaillierte Übersicht der wichtigsten technischen Daten des UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Nennspannung (Vds) | 1200 | V |
| Nennstrom (Id) | 18,4 | A |
| Einschaltwiderstand (Rdson) | 0,15 | Ω |
| Gate-Ladung (Qg) | 25 | nC |
| Gehäuse | TO-247-4L | – |
| Betriebstemperaturbereich | -55 bis +175 | °C |
Anwendungsbeispiele für den UF3C120150K4S
Die Vielseitigkeit des UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET ermöglicht den Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen:
- Elektrofahrzeuge (EV) und Ladeinfrastruktur:
- On-Board-Ladegeräte (OBC)
- DC-DC-Wandler
- Motorsteuerungen
- Industrielle Stromversorgungen:
- AC-DC-Netzteile
- DC-DC-Wandler
- USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
- Solarenergie-Wechselrichter:
- String-Wechselrichter
- Mikro-Wechselrichter
- Leistungsoptimierer
- Motorsteuerungen:
- Servoantriebe
- Frequenzumrichter
- Robotik
- Hochfrequenz-Schaltnetzteile:
- Server-Netzteile
- Telekommunikations-Netzteile
- Medizintechnik
Unabhängig von Ihrer spezifischen Anwendung bietet der UF3C120150K4S die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen, um Ihre Ziele zu erreichen.
Warum SiC-Technologie?
Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, das gegenüber herkömmlichem Silizium (Si) eine Reihe von entscheidenden Vorteilen bietet. SiC-Bauelemente zeichnen sich durch:
- Höhere Bandlücke: Ermöglicht höhere Betriebstemperaturen und Spannungsfestigkeiten.
- Höhere Durchbruchfeldstärke: Ermöglicht dünnere und effizientere Bauelemente.
- Höhere Wärmeleitfähigkeit: Ermöglicht eine bessere Wärmeableitung und höhere Leistungsdichten.
- Höhere Elektronengeschwindigkeit: Ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Schaltverluste.
Diese Eigenschaften machen SiC-Bauelemente ideal für Anwendungen, die hohe Effizienz, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Der UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET profitiert von all diesen Vorteilen und bietet Ihnen eine unübertroffene Leistung.
Der UF3C120150K4S – Mehr als nur ein Bauteil
Der UF3C120150K4S ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil. Er ist ein Schlüssel zur Innovation, ein Werkzeug für Ingenieure, um die Grenzen des Machbaren zu verschieben. Er ist die Grundlage für effizientere, leistungsstärkere und zuverlässigere Elektroniksysteme. Investieren Sie in die Zukunft – investieren Sie in den UF3C120150K4S.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum UF3C120150K4S
Hier finden Sie Antworten auf einige häufig gestellte Fragen zum UF3C120150K4S SiC-Kaskode-FET:
- Was ist ein SiC-Kaskode-FET?
- Ein SiC-Kaskode-FET ist eine Kombination aus einem Siliziumkarbid (SiC) JFET und einem Silizium (Si) MOSFET. Diese Kombination vereint die Vorteile beider Technologien: Der SiC JFET sorgt für hohe Spannungsfestigkeit und niedrigen Einschaltwiderstand, während der Si MOSFET eine einfache Ansteuerung ermöglicht.
- Für welche Anwendungen ist der UF3C120150K4S geeignet?
- Der UF3C120150K4S eignet sich hervorragend für Anwendungen, die hohe Effizienz, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Dazu gehören unter anderem Elektrofahrzeuge (EV), industrielle Stromversorgungen, Solarenergie-Wechselrichter und Motorsteuerungen.
- Was bedeutet das „4L“ im TO-247-4L Gehäuse?
- Das „4L“ steht für „4-Lead“ (4-polig). Das TO-247-4L Gehäuse verfügt über einen zusätzlichen Kelvin-Source-Pin, der die Schaltperformance verbessert, indem er das Rauschen und die Induktivität in der Source-Leitung reduziert.
- Wie kann ich den UF3C120150K4S optimal ansteuern?
- Für eine optimale Ansteuerung des UF3C120150K4S empfehlen wir die Verwendung eines Gate-Treibers, der speziell für SiC-Bauelemente entwickelt wurde. Achten Sie auf eine ausreichende Gate-Spannung und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit des Treibers.
- Welche Vorteile bietet SiC gegenüber Silizium?
- SiC bietet gegenüber Silizium eine höhere Bandlücke, eine höhere Durchbruchfeldstärke, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und eine höhere Elektronengeschwindigkeit. Dies führt zu höheren Betriebstemperaturen, höheren Spannungsfestigkeiten, besserer Wärmeableitung und schnelleren Schaltgeschwindigkeiten.
- Wo finde ich weitere technische Informationen und Datenblätter?
- Das detaillierte Datenblatt mit allen technischen Spezifikationen und Applikationshinweisen finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder in unserem Download-Bereich.
- Ist der UF3C120150K4S RoHS-konform?
- Ja, der UF3C120150K4S ist RoHS-konform und erfüllt somit die Anforderungen der Europäischen Union zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
