TSM60N1R4CP – Der Schlüssel zu effizienter Leistung für Ihre Elektronikprojekte
Träumen Sie von Elektronikprojekten, die nicht nur funktionieren, sondern auch durch ihre Effizienz und Zuverlässigkeit überzeugen? Der TSM60N1R4CP N-Kanal MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Herzstück, das Ihre Visionen zum Leben erweckt. Mit seiner beeindruckenden Spannungsfestigkeit von 600V und einem kontinuierlichen Strom von 3,3A bietet dieser MOSFET die solide Basis, die Sie für anspruchsvolle Anwendungen benötigen.
Verabschieden Sie sich von Kompromissen und begrüßen Sie eine Welt, in der Leistung und Energieeffizienz Hand in Hand gehen. Der TSM60N1R4CP wurde entwickelt, um höchste Ansprüche zu erfüllen und Ihnen die Freiheit zu geben, Ihre kreativen Ideen ohne Einschränkungen umzusetzen.
Technische Exzellenz im Detail
Der TSM60N1R4CP ist ein N-Kanal MOSFET, der in einem kompakten TO252 Gehäuse untergebracht ist. Seine wichtigsten Merkmale umfassen:
- Hohe Spannungsfestigkeit: 600V VDSS ermöglichen den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen mit hohen Spannungen.
- Solider Strom: 3,3A kontinuierlicher Drain-Strom (ID) sorgen für ausreichend Leistung, um diverse Lasten zu steuern.
- Geringer Einschaltwiderstand: Ein typischer RDS(on) von 1,4 Ohm minimiert Verluste und verbessert die Effizienz.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Ermöglicht effiziente Schaltregler und andere Anwendungen, die schnelle Transienten erfordern.
- TO252 Gehäuse: Bietet eine gute Wärmeableitung und ist einfach zu montieren.
Diese Eigenschaften machen den TSM60N1R4CP zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen, von Schaltnetzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu LED-Beleuchtungssystemen.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein hocheffizientes Schaltnetzteil für ein modernes IoT-Gerät. Der TSM60N1R4CP sorgt für eine stabile und zuverlässige Spannungsversorgung, minimiert Verluste und trägt so zu einer langen Batterielebensdauer bei. Oder denken Sie an eine innovative Motorsteuerung für einen Elektrofahrzeug-Prototypen. Die schnelle Schaltgeschwindigkeit und der geringe Einschaltwiderstand des MOSFET ermöglichen eine präzise und effiziente Steuerung des Motors.
Hier sind einige konkrete Beispiele, wo der TSM60N1R4CP seine Stärken ausspielen kann:
- Schaltnetzteile (SMPS): Optimieren Sie die Effizienz und reduzieren Sie die Wärmeentwicklung in Ihren Netzteilen.
- Motorsteuerungen: Ermöglichen Sie eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren in verschiedenen Anwendungen.
- LED-Beleuchtung: Steuern Sie LED-Leuchten mit hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.
- Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um und nutzen Sie die Vorteile der hohen Spannungsfestigkeit.
- Leistungsverstärker: Verstärken Sie Signale mit minimalen Verzerrungen und hoher Effizienz.
Technische Daten im Überblick
Die folgende Tabelle fasst die wichtigsten technischen Daten des TSM60N1R4CP zusammen:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 | V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) | 3.3 | A |
| Puls-Drain-Strom (IDM) | 9.9 | A |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±30 | V |
| Einschaltwiderstand (RDS(on)) typ. | 1.4 | Ω |
| Verlustleistung (PD) | 35 | W |
| Gehäuse | TO252 | – |
Warum der TSM60N1R4CP die richtige Wahl ist
Die Entscheidung für den TSM60N1R4CP ist eine Investition in die Zuverlässigkeit und Effizienz Ihrer Elektronikprojekte. Er bietet Ihnen:
- Hervorragende Leistung: Dank seiner hohen Spannungsfestigkeit und des geringen Einschaltwiderstands.
- Hohe Zuverlässigkeit: Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen und lange Lebensdauer.
- Einfache Integration: Das TO252 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Wärmeableitung.
- Flexibilität: Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen.
- Ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis: Investieren Sie in Qualität, ohne Ihr Budget zu sprengen.
Der TSM60N1R4CP ist mehr als nur ein MOSFET – er ist ein Partner, der Sie bei der Verwirklichung Ihrer elektronischen Träume unterstützt. Lassen Sie sich von seiner Leistung inspirieren und erschaffen Sie Innovationen, die die Welt verändern!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM60N1R4CP
1. Für welche Anwendungen ist der TSM60N1R4CP MOSFET geeignet?
Der TSM60N1R4CP ist ideal für Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, LED-Beleuchtungssysteme, Wechselrichter und Leistungsverstärker.
2. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
N-Kanal bedeutet, dass der Stromfluss im MOSFET durch Elektronen erfolgt. MOSFET steht für Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, eine Art von Feldeffekttransistor.
3. Was ist der Vorteil des TO252 Gehäuses?
Das TO252 Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Oberflächenmontage (SMD).
4. Wie berechne ich die Verlustleistung im MOSFET?
Die Verlustleistung (PD) kann durch die Formel PD = ID2 * RDS(on) angenähert werden, wobei ID der Drain-Strom und RDS(on) der Einschaltwiderstand ist.
5. Was bedeutet der Parameter „VDSS„?
VDSS steht für Drain-Source-Spannung und gibt die maximale Spannung an, die zwischen Drain und Source angelegt werden darf, ohne den MOSFET zu beschädigen.
6. Kann ich den TSM60N1R4CP in einem High-Speed-Schaltnetzteil verwenden?
Ja, der TSM60N1R4CP eignet sich aufgrund seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit und des geringen Einschaltwiderstands gut für High-Speed-Schaltnetzteile.
7. Wo finde ich ein Datenblatt für den TSM60N1R4CP?
Ein Datenblatt für den TSM60N1R4CP finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers oder bei gängigen Elektronik-Distributoren.
