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TSM3N80CP - MOSFET N-Ch 800V 3A 4

TSM3N80CP – MOSFET N-Ch 800V 3A 4,2R TO252

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Artikelnummer: a90bbdc8e5a9 Kategorie: MOSFETs
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  • TSM3N80CP – Der Schlüssel zu effizienter Leistung für Ihre Projekte
    • Technische Details, die überzeugen
    • Warum der TSM3N80CP Ihre erste Wahl sein sollte
    • Anwendungsbeispiele, die inspirieren
    • Technische Daten im Überblick
    • Sicherheitshinweise für den Umgang mit dem TSM3N80CP
    • TSM3N80CP – Ihr Partner für innovative Lösungen
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM3N80CP

TSM3N80CP – Der Schlüssel zu effizienter Leistung für Ihre Projekte

In der Welt der Elektronik und des rapiden technologischen Fortschritts sind zuverlässige und leistungsstarke Komponenten unerlässlich. Der TSM3N80CP N-Kanal MOSFET ist ein solches Bauteil, das sich durch seine robuste Konstruktion und seine Fähigkeit, anspruchsvolle Aufgaben zu bewältigen, auszeichnet. Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für Effizienz, Stabilität und herausragende Leistung in Ihren elektronischen Projekten.

Der TSM3N80CP wurde entwickelt, um den hohen Anforderungen moderner Anwendungen gerecht zu werden. Er findet seinen Einsatz in einer Vielzahl von Bereichen, von Schaltnetzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu LED-Beleuchtungssystemen. Seine Vielseitigkeit und seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu verarbeiten, machen ihn zu einer idealen Wahl für Entwickler und Ingenieure, die Wert auf Zuverlässigkeit und Leistung legen.

Technische Details, die überzeugen

Der TSM3N80CP ist ein N-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vds) von 800V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 3A. Sein niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 4,2 Ohm minimiert die Verlustleistung und trägt zur Energieeffizienz bei. Das TO252 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine effektive Wärmeableitung.

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Drain-Source-Spannung (Vds): 800V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 3A
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 4,2 Ohm
  • Gehäuse: TO252

Diese Spezifikationen sind mehr als nur Zahlen; sie sind das Fundament für eine zuverlässige und effiziente Performance in Ihren Projekten. Der TSM3N80CP wurde entwickelt, um auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine konstante Leistung zu liefern und Ihre Designs zum Leben zu erwecken.

Warum der TSM3N80CP Ihre erste Wahl sein sollte

Die Entscheidung für den richtigen MOSFET ist entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Der TSM3N80CP bietet eine Reihe von Vorteilen, die ihn von anderen Bauteilen abheben:

  • Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer Vds von 800V ist der TSM3N80CP in der Lage, hohen Spannungen standzuhalten und somit auch in anspruchsvollen Anwendungen zuverlässig zu arbeiten.
  • Effiziente Leistung: Der niedrige Rds(on) minimiert die Verlustleistung und sorgt für eine hohe Energieeffizienz. Dies führt nicht nur zu geringeren Betriebskosten, sondern auch zu einer längeren Lebensdauer Ihrer Geräte.
  • Einfache Integration: Das TO252 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und eine problemlose Integration in bestehende Schaltungen.
  • Vielseitigkeit: Der TSM3N80CP eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, von Schaltnetzteilen über Motorsteuerungen bis hin zu LED-Beleuchtungssystemen.

Stellen Sie sich vor, wie Sie Ihre Projekte mit einem Bauteil realisieren, das nicht nur seine Aufgabe erfüllt, sondern auch durch seine Effizienz und Zuverlässigkeit begeistert. Der TSM3N80CP ist mehr als nur ein MOSFET; er ist ein Partner, auf den Sie sich verlassen können.

Anwendungsbeispiele, die inspirieren

Der TSM3N80CP findet seinen Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele, die Sie inspirieren sollen:

  • Schaltnetzteile: Der TSM3N80CP sorgt für eine effiziente und stabile Stromversorgung in Schaltnetzteilen.
  • Motorsteuerungen: Er ermöglicht eine präzise und zuverlässige Steuerung von Motoren in verschiedenen Anwendungen.
  • LED-Beleuchtungssysteme: Der TSM3N80CP trägt zur Effizienz und Langlebigkeit von LED-Beleuchtungssystemen bei.
  • DC-DC Wandler: In DC-DC Wandlern ermöglicht er eine zuverlässige Spannungswandlung.
  • Solaranlagen: Der MOSFET kann in Solaranlagen zur Steuerung und Optimierung der Energieerzeugung eingesetzt werden.

Diese Beispiele sind nur die Spitze des Eisbergs. Mit dem TSM3N80CP sind Ihrer Kreativität keine Grenzen gesetzt. Lassen Sie sich von seinen Möglichkeiten inspirieren und entwickeln Sie innovative Lösungen für Ihre Projekte.

Technische Daten im Überblick

Um Ihnen einen noch besseren Überblick zu verschaffen, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des TSM3N80CP:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 800 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 3 A
Puls Drain Strom (Idm) 10 A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) @ Vgs=10V 4.2 Ω
Gesamtverlustleistung (Pd) 25 W
Betriebstemperatur -55 bis +150 °C
Gehäuse TO252 –

Diese Tabelle bietet Ihnen alle wichtigen Informationen, die Sie für die Planung und Umsetzung Ihrer Projekte benötigen. Sie zeigt, dass der TSM3N80CP ein leistungsstarkes und zuverlässiges Bauteil ist, das Ihre Erwartungen erfüllen wird.

Sicherheitshinweise für den Umgang mit dem TSM3N80CP

Sicherheit hat oberste Priorität. Beachten Sie daher bitte folgende Hinweise beim Umgang mit dem TSM3N80CP:

  • Elektrostatische Entladung (ESD): MOSFETs sind empfindlich gegenüber elektrostatischer Entladung. Tragen Sie beim Umgang mit dem Bauteil immer eine Erdungsarmband und arbeiten Sie auf einer ESD-geschützten Oberfläche.
  • Überhitzung: Stellen Sie sicher, dass eine ausreichende Wärmeableitung gewährleistet ist, um eine Überhitzung des MOSFETs zu vermeiden. Verwenden Sie Kühlkörper oder andere geeignete Maßnahmen zur Wärmeableitung.
  • Überspannung: Schützen Sie den MOSFET vor Überspannungen, die zu Schäden führen können. Verwenden Sie geeignete Schutzschaltungen, um Überspannungen zu vermeiden.
  • Korrekte Spannung und Strom: Stellen Sie sicher, dass die zulässigen Spannungs- und Stromwerte des MOSFETs nicht überschritten werden. Beachten Sie die technischen Daten im Datenblatt.
  • Sachgemäße Lagerung: Lagern Sie die MOSFETs in einer trockenen und staubfreien Umgebung, um Beschädigungen zu vermeiden.

Durch die Beachtung dieser Sicherheitshinweise gewährleisten Sie einen sicheren und zuverlässigen Betrieb des TSM3N80CP und schützen Ihre Projekte vor möglichen Schäden.

TSM3N80CP – Ihr Partner für innovative Lösungen

Der TSM3N80CP ist mehr als nur ein Bauteil; er ist ein Partner, der Sie bei der Realisierung Ihrer innovativen Ideen unterstützt. Seine Zuverlässigkeit, Effizienz und Vielseitigkeit machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein Hobby-Elektroniker sind, der TSM3N80CP wird Sie begeistern und Ihnen helfen, Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM3N80CP

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM3N80CP:

  1. Was ist ein MOSFET und wozu dient er?

    Ein MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist ein Transistor, der durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Er dient als Schalter oder Verstärker in elektronischen Schaltungen.

  2. Welche Vorteile bietet der TSM3N80CP gegenüber anderen MOSFETs?

    Der TSM3N80CP zeichnet sich durch seine hohe Spannungsfestigkeit (800V), seinen niedrigen Einschaltwiderstand (Rds(on)) und seine Vielseitigkeit aus. Er ist ideal für anspruchsvolle Anwendungen, die eine hohe Leistung und Effizienz erfordern.

  3. Wie schließe ich den TSM3N80CP richtig an?

    Beachten Sie das Datenblatt des Herstellers, um die korrekte Pinbelegung zu ermitteln. Achten Sie darauf, die Gate-Source-Spannung (Vgs) nicht zu überschreiten und eine ausreichende Wärmeableitung zu gewährleisten.

  4. Kann ich den TSM3N80CP für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der TSM3N80CP eignet sich gut für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen, da er schnell schalten kann.

  5. Wie kann ich den TSM3N80CP vor Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) schützen?

    Tragen Sie beim Umgang mit dem Bauteil immer ein Erdungsarmband und arbeiten Sie auf einer ESD-geschützten Oberfläche. Vermeiden Sie den Kontakt mit ungeschützten elektronischen Bauteilen.

  6. Welche Kühlkörper empfehlt ihr für den TSM3N80CP?

    Die Wahl des Kühlkörpers hängt von der Verlustleistung in Ihrer Anwendung ab. Achten Sie darauf, dass der Kühlkörper eine ausreichende Oberfläche hat, um die Wärme effizient abzuführen. Konsultieren Sie das Datenblatt des Herstellers für weitere Informationen.

  7. Wo finde ich das Datenblatt für den TSM3N80CP?

    Das Datenblatt finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder auf unserer Produktseite im Downloadbereich.

Bewertungen: 4.9 / 5. 487

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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