TSM280NB06LCR – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Elektronikprojekten
Sind Sie auf der Suche nach einem zuverlässigen und leistungsstarken MOSFET für Ihre anspruchsvollen Elektronikprojekte? Der TSM280NB06LCR N-Kanal MOSFET ist die ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, von der Stromversorgung bis zur Motorsteuerung. Mit seinen herausragenden Eigenschaften und seiner robusten Bauweise bietet er die Performance, die Sie benötigen, um Ihre Ideen in die Realität umzusetzen.
Dieser MOSFET ist mehr als nur ein Bauteil; er ist ein Versprechen für Effizienz, Zuverlässigkeit und Leistung. Stellen Sie sich vor, wie reibungslos Ihre Projekte laufen werden, wenn Sie auf die bewährte Qualität des TSM280NB06LCR setzen. Lassen Sie uns gemeinsam in die Details eintauchen und entdecken, was diesen MOSFET so besonders macht.
Technische Details, die überzeugen
Der TSM280NB06LCR ist ein N-Kanal MOSFET, der für seine hohe Leistungsfähigkeit und Effizienz bekannt ist. Hier sind die wichtigsten technischen Spezifikationen im Überblick:
- Kanaltyp: N-Kanal
- Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V
- Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 28 A
- Drain-Source-Widerstand (Rds(on)): 0,028 Ohm (typisch)
- Gehäuse: PDFN-56
Diese Spezifikationen machen den TSM280NB06LCR zu einer exzellenten Wahl für Anwendungen, die eine hohe Strombelastbarkeit und einen geringen Einschaltwiderstand erfordern. Der niedrige Rds(on) Wert minimiert die Verlustleistung und sorgt für einen effizienten Betrieb Ihrer Schaltungen. Das kompakte PDFN-56 Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Leiterplatten.
Die Vorteile des TSM280NB06LCR im Detail
Was macht den TSM280NB06LCR so besonders? Es sind die vielen Vorteile, die er gegenüber anderen MOSFETs bietet:
- Hohe Effizienz: Der geringe Rds(on) Wert sorgt für minimale Verluste und eine hohe Energieeffizienz. Das bedeutet weniger Wärmeentwicklung und eine längere Lebensdauer Ihrer Komponenten.
- Hohe Strombelastbarkeit: Mit einem kontinuierlichen Drain-Strom von 28 A kann der TSM280NB06LCR auch anspruchsvolle Anwendungen problemlos bewältigen.
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die schnellen Schaltzeiten des MOSFET ermöglichen eine präzise Steuerung und eine hohe Frequenz in Ihren Schaltungen.
- Kompaktes Design: Das PDFN-56 Gehäuse ist platzsparend und ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Projekte.
- Zuverlässigkeit: Der TSM280NB06LCR wird unter strengen Qualitätsstandards gefertigt und bietet eine hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit.
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem TSM280NB06LCR Ihre eigenen innovativen Projekte realisieren können. Ob es sich um eine hocheffiziente Stromversorgung, eine präzise Motorsteuerung oder eine schnelle Schaltanwendung handelt – dieser MOSFET ist Ihr verlässlicher Partner.
Anwendungsbereiche des TSM280NB06LCR
Die Vielseitigkeit des TSM280NB06LCR ermöglicht den Einsatz in einer breiten Palette von Anwendungen:
- Stromversorgungen: Ideal für DC-DC-Wandler, Schaltnetzteile und andere Stromversorgungsschaltungen.
- Motorsteuerung: Perfekt für die Steuerung von Elektromotoren in Robotik, Automatisierung und anderen Anwendungen.
- LED-Beleuchtung: Geeignet für die effiziente Steuerung von LED-Beleuchtungssystemen.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Kann in BMS zur Steuerung von Lade- und Entladeprozessen eingesetzt werden.
- Power Tools: Optimal für Akku betriebene Werkzeuge, wo Effizienz und Leistung zählen.
Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein begeisterter Hobbybastler sind, der TSM280NB06LCR wird Ihnen helfen, Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben. Seine Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen.
Warum Sie sich für den TSM280NB06LCR entscheiden sollten
In einer Welt, in der Effizienz und Leistung entscheidend sind, ist der TSM280NB06LCR die perfekte Wahl für Ihre Elektronikprojekte. Er bietet nicht nur herausragende technische Spezifikationen, sondern auch eine hohe Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit. Mit diesem MOSFET können Sie Ihre Ideen verwirklichen und innovative Lösungen entwickeln.
Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit des TSM280NB06LCR inspirieren und entdecken Sie die unendlichen Möglichkeiten, die er Ihnen bietet. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen noch besseren Überblick zu geben, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des TSM280NB06LCR:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 60 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei Tc=25°C | 28 | A |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei Tc=100°C | 20 | A |
| Puls-Drain-Strom (Idm) | 112 | A |
| Verlustleistung (Pd) bei Tc=25°C | 50 | W |
| Drain-Source-Widerstand (Rds(on)) bei Vgs=10V, Id=10A | 0.028 | Ohm |
| Gate-Ladung (Qg) bei Vgs=4.5V, Vds=30V, Id=10A | 14 | nC |
| Eingangskapazität (Ciss) | 980 | pF |
| Betriebstemperaturbereich (Tj) | -55 bis +150 | °C |
| Gehäuse | PDFN-56 | – |
Diese detaillierten Informationen ermöglichen es Ihnen, den TSM280NB06LCR optimal in Ihre Schaltungsdesigns zu integrieren und seine Leistungsfähigkeit voll auszuschöpfen.
Der TSM280NB06LCR – Ein Versprechen für die Zukunft
Investieren Sie in die Zukunft Ihrer Elektronikprojekte mit dem TSM280NB06LCR. Seine Kombination aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit macht ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen. Entdecken Sie die Möglichkeiten, die Ihnen dieser MOSFET bietet, und bringen Sie Ihre Projekte auf ein neues Level.
Warten Sie nicht länger und bestellen Sie den TSM280NB06LCR noch heute! Erleben Sie die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit, die diesen MOSFET so besonders machen.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM280NB06LCR
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Drain und Source durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Im Gegensatz zum P-Kanal MOSFET fließen bei einem N-Kanal MOSFET Elektronen als Ladungsträger.
2. Was ist der Unterschied zwischen Vds und Vgs?
Vds bezeichnet die Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss des MOSFET. Vgs bezeichnet die Gate-Source-Spannung, also die Spannung zwischen dem Gate- und dem Source-Anschluss. Die Gate-Source-Spannung steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source.
3. Was bedeutet der Wert Rds(on)?
Rds(on) ist der Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand (On-State Resistance). Je geringer dieser Wert ist, desto geringer sind die Verluste und desto höher ist die Effizienz des MOSFET.
4. Kann ich den TSM280NB06LCR parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, der TSM280NB06LCR kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gleichmäßig angesteuert werden und eine gute Wärmeableitung gewährleistet ist, um eine Überhitzung zu vermeiden.
5. Ist der TSM280NB06LCR ESD-empfindlich?
Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der TSM280NB06LCR ESD-empfindlich. Es ist wichtig, bei der Handhabung und Verarbeitung ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, um Schäden zu vermeiden.
6. Welche Kühlmaßnahmen sind bei hohen Strömen erforderlich?
Bei hohen Strömen kann der TSM280NB06LCR Wärme entwickeln. Um eine Überhitzung zu vermeiden, können Kühlmaßnahmen wie Kühlkörper, Lüfter oder eine gute Wärmeableitung über die Leiterplatte erforderlich sein. Die genauen Maßnahmen hängen von den spezifischen Betriebsbedingungen ab.
7. Wo finde ich das Datenblatt für den TSM280NB06LCR?
Das Datenblatt für den TSM280NB06LCR finden Sie auf der Herstellerwebsite oder auf spezialisierten Webseiten für elektronische Bauteile. Dort finden Sie detaillierte Informationen zu den technischen Spezifikationen, den Betriebsbedingungen und den Applikationshinweisen.
