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TSM1N80CW - MOSFET N-Ch 800V 0

TSM1N80CW – MOSFET N-Ch 800V 0,3A 21,6R SOT223

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Artikelnummer: 590e301a3cce Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • TSM1N80CW – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihrer Elektronik
  • Technische Brillanz im Detail
    • Anwendungsbereiche: Wo der TSM1N80CW glänzt
  • Warum der TSM1N80CW die richtige Wahl ist
  • Technische Daten im Überblick
  • Ihr Erfolg ist unser Ziel
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM1N80CW

TSM1N80CW – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihrer Elektronik

Entdecken Sie den TSM1N80CW, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der Ihre elektronischen Projekte auf ein neues Level hebt. Dieser Transistor vereint beeindruckende Leistungsfähigkeit mit außergewöhnlicher Zuverlässigkeit und ist damit die ideale Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Leistungselektronik, Stromversorgung und Steuerungstechnik.

Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltungen mit Komponenten ausstatten, die nicht nur effizient, sondern auch langlebig sind. Der TSM1N80CW macht genau das möglich. Er bietet eine überzeugende Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit. Das Ergebnis? Optimierte Leistung, geringere Verluste und eine längere Lebensdauer Ihrer elektronischen Geräte.

Technische Brillanz im Detail

Der TSM1N80CW ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Meisterwerk der Ingenieurskunst. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen, die diesen MOSFET auszeichnen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht einen effizienten und schnellen Schaltbetrieb.
  • Hohe Spannungsfestigkeit (800V): Bietet Sicherheit und Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen.
  • Nennstrom (0,3A): Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen mit moderatem Strombedarf.
  • Niedriger Einschaltwiderstand (21,6R): Minimiert Leistungsverluste und verbessert die Effizienz.
  • SOT223 Gehäuse: Kompakte Bauform für einfache Integration in Ihre Schaltungen.

Diese beeindruckenden technischen Daten machen den TSM1N80CW zu einer erstklassigen Wahl für Ingenieure, Entwickler und Bastler, die höchste Ansprüche an die Leistung ihrer Schaltungen stellen.

Anwendungsbereiche: Wo der TSM1N80CW glänzt

Die Vielseitigkeit des TSM1N80CW kennt kaum Grenzen. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen MOSFET in Ihren Projekten einsetzen können:

  • Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Stromversorgungen.
  • LED-Beleuchtung: Steuern Sie LEDs präzise und energieeffizient.
  • Motorsteuerungen: Realisieren Sie präzise und zuverlässige Motorsteuerungen.
  • DC-DC-Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient und stabil.
  • Leistungsverstärker: Verstärken Sie Signale mit minimalen Verzerrungen.

Ob Sie nun ein erfahrener Profi oder ein ambitionierter Hobbyist sind, der TSM1N80CW bietet Ihnen die Leistung und Flexibilität, die Sie für Ihre Projekte benötigen.

Warum der TSM1N80CW die richtige Wahl ist

In der Welt der Elektronik gibt es viele Optionen, aber der TSM1N80CW sticht aus der Masse hervor. Er bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, die ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen macht.

Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem Projekt, das höchste Präzision und Zuverlässigkeit erfordert. Mit dem TSM1N80CW können Sie sich darauf verlassen, dass Ihre Schaltung einwandfrei funktioniert und auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine konstante Leistung liefert. Dieser MOSFET ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Partner, der Ihnen hilft, Ihre Ziele zu erreichen.

Darüber hinaus ist der TSM1N80CW einfach zu integrieren und zu verwenden. Dank seines kompakten SOT223 Gehäuses lässt er sich problemlos in Ihre Schaltungen einbauen. Die klaren und verständlichen Spezifikationen erleichtern die Auswahl und Anwendung in Ihren Projekten.

Technische Daten im Überblick

Für einen schnellen Überblick finden Sie hier die wichtigsten technischen Daten des TSM1N80CW in tabellarischer Form:

Parameter Wert
Typ N-Kanal MOSFET
Spannungsfestigkeit (Vds) 800V
Nennstrom (Id) 0,3A
Einschaltwiderstand (Rds(on)) 21,6R
Gehäuse SOT223

Diese Tabelle bietet Ihnen einen schnellen Überblick über die wichtigsten Spezifikationen des TSM1N80CW und hilft Ihnen bei der Entscheidung, ob dieser MOSFET für Ihre Anwendung geeignet ist.

Ihr Erfolg ist unser Ziel

Wir verstehen, dass Sie bei der Auswahl von elektronischen Bauteilen höchste Ansprüche an Qualität und Zuverlässigkeit stellen. Deshalb bieten wir Ihnen mit dem TSM1N80CW ein Produkt, das diesen Ansprüchen gerecht wird. Wir sind davon überzeugt, dass dieser MOSFET Ihnen helfen wird, Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen und Ihre Ziele zu erreichen.

Bestellen Sie noch heute Ihren TSM1N80CW und erleben Sie die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit, die dieser MOSFET zu bieten hat. Wir freuen uns darauf, Sie bei Ihren elektronischen Projekten zu unterstützen!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM1N80CW

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM1N80CW:

  1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?

    Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss durch einen N-dotierten Kanal zwischen Source und Drain gesteuert wird. Die Steuerung erfolgt über die Spannung am Gate-Anschluss.

  2. Für welche Anwendungen ist der TSM1N80CW geeignet?

    Der TSM1N80CW eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Schaltnetzteile, LED-Beleuchtung, Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler und Leistungsverstärker.

  3. Was bedeutet der Wert von 800V bei der Spannungsfestigkeit?

    Der Wert von 800V gibt die maximale Spannung an, die zwischen Drain und Source angelegt werden kann, ohne dass der MOSFET beschädigt wird. Es ist wichtig, diese Spannungsgrenze nicht zu überschreiten.

  4. Wie wird der TSM1N80CW in eine Schaltung integriert?

    Der TSM1N80CW wird über seine drei Anschlüsse (Gate, Drain, Source) in die Schaltung integriert. Achten Sie auf die korrekte Polarität und die Einhaltung der maximalen Betriebsparameter.

  5. Was ist der Unterschied zwischen Rds(on) und Vds?

    Rds(on) ist der Einschaltwiderstand des MOSFET, wenn er eingeschaltet ist. Vds ist die Drain-Source-Spannung, also die Spannung zwischen den Anschlüssen Drain und Source.

  6. Kann ich den TSM1N80CW auch für High-Speed-Switching-Anwendungen verwenden?

    Ja, der TSM1N80CW besitzt schnelle Schaltzeiten und kann daher auch in High-Speed-Switching-Anwendungen eingesetzt werden. Beachten Sie jedoch die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung.

  7. Wo finde ich das Datenblatt für den TSM1N80CW?

    Das Datenblatt für den TSM1N80CW finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder auf einschlägigen Webseiten für elektronische Bauteile. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den technischen Spezifikationen und Anwendungsrichtlinien.

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Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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