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TSM150NB04CR - MOSFET N-Ch 40V 41A 0

TSM150NB04CR – MOSFET N-Ch 40V 41A 0,015R PDFN56

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Artikelnummer: 9bf58a333b3e Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • TSM150NB04CR – Der ultimative MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte
    • Technische Highlights, die überzeugen
    • Anwendungsbereiche, die inspirieren
    • Warum der TSM150NB04CR die richtige Wahl ist
    • Technische Daten im Detail
    • Ihr Erfolg ist unser Ziel
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM150NB04CR
    • 1. Was bedeutet PDFN56?
    • 2. Kann ich den TSM150NB04CR auch bei höheren Temperaturen betreiben?
    • 3. Ist der TSM150NB04CR ESD-empfindlich?
    • 4. Wo finde ich ein Datenblatt für den TSM150NB04CR?
    • 5. Ist der TSM150NB04CR für Automotive-Anwendungen geeignet?
    • 6. Welche Gate-Ansteuerspannung empfehlt ihr für den TSM150NB04CR?
    • 7. Kann ich den TSM150NB04CR parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

TSM150NB04CR – Der ultimative MOSFET für Ihre anspruchsvollen Projekte

Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem TSM150NB04CR, einem N-Kanal MOSFET, der Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Dieser hochmoderne MOSFET vereint Effizienz, Robustheit und Präzision in einem kompakten PDFN56-Gehäuse. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein ambitionierter Bastler oder ein zukunftsorientierter Student sind, der TSM150NB04CR wird Sie mit seiner Performance begeistern und Ihnen neue Möglichkeiten eröffnen.

Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem hochsensiblen Projekt, bei dem absolute Zuverlässigkeit und minimaler Energieverlust entscheidend sind. Der TSM150NB04CR ist Ihr idealer Partner. Mit einer Durchbruchspannung von 40V und einem beeindruckenden Dauerstrom von 41A meistert dieser MOSFET auch anspruchsvollste Aufgaben mühelos. Der extrem niedrige Einschaltwiderstand von nur 0,015 Ohm minimiert die Verlustleistung und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung, was die Lebensdauer Ihrer Schaltungen deutlich verlängert.

Technische Highlights, die überzeugen

Der TSM150NB04CR ist mehr als nur ein Bauteil – er ist das Ergebnis jahrelanger Forschung und Entwicklung, das Ihnen modernste Technologie in die Hand gibt. Werfen wir einen Blick auf die technischen Details, die diesen MOSFET so besonders machen:

  • N-Kanal MOSFET: Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit und Effizienz.
  • Durchbruchspannung (Vds): 40V – Ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
  • Dauerstrom (Id): 41A – Bewältigt auch hohe Lasten zuverlässig.
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,015 Ohm – Minimiert die Verlustleistung und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung.
  • Gehäuse: PDFN56 – Kompaktes und thermisch optimiertes Gehäuse für eine einfache Integration.
  • RoHS-konform: Entspricht den höchsten Umweltstandards.

Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den TSM150NB04CR zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen, von DC-DC-Wandlern über Motorsteuerungen bis hin zu Lastschaltern.

Anwendungsbereiche, die inspirieren

Der TSM150NB04CR ist ein wahres Multitalent und findet in den unterschiedlichsten Bereichen Anwendung. Lassen Sie sich von den folgenden Beispielen inspirieren:

  • DC-DC-Wandler: Erhöhen Sie die Effizienz und reduzieren Sie die Größe Ihrer DC-DC-Wandler.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient mit minimalen Verlusten.
  • Lastschalter: Schalten Sie Lasten schnell und zuverlässig.
  • Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und optimieren Sie deren Lebensdauer.
  • Netzteile: Entwickeln Sie kompakte und effiziente Netzteile.
  • Robotik: Steuern Sie Roboterarme und andere Aktuatoren präzise und kraftvoll.
  • E-Mobilität: Optimieren Sie die Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen und E-Bikes.

Die Einsatzmöglichkeiten sind nahezu unbegrenzt. Mit dem TSM150NB04CR können Sie Ihre Ideen verwirklichen und innovative Lösungen entwickeln.

Warum der TSM150NB04CR die richtige Wahl ist

In einer Welt, in der Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, ist der TSM150NB04CR die perfekte Wahl für Ihre Projekte. Hier sind einige Gründe, warum Sie sich für diesen außergewöhnlichen MOSFET entscheiden sollten:

  • Hohe Leistung: Der TSM150NB04CR bietet eine beeindruckende Leistung bei gleichzeitig hoher Effizienz.
  • Geringer Einschaltwiderstand: Minimiert die Verlustleistung und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung.
  • Kompaktes Gehäuse: Das PDFN56-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen.
  • Zuverlässigkeit: Der TSM150NB04CR ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen seine Leistung erbringt.
  • RoHS-konform: Entspricht den höchsten Umweltstandards.
  • Vielseitigkeit: Der TSM150NB04CR ist für eine breite Palette von Anwendungen geeignet.

Mit dem TSM150NB04CR investieren Sie in ein Produkt, das Ihnen langfristig Freude bereiten wird und Ihnen hilft, Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen.

Technische Daten im Detail

Für alle, die es genau wissen wollen, hier eine detaillierte Übersicht der technischen Daten des TSM150NB04CR:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 40 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) bei Tc=25°C 41 A
Pulsstrom (Idm) 160 A
Verlustleistung (Pd) bei Tc=25°C 62.5 W
Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs=10V, Id=20A 0.015 Ω
Gate-Ladung (Qg) 22 nC
Eingangskapazität (Ciss) 1500 pF
Betriebstemperatur -55 bis +150 °C
Gehäuse PDFN56 –

Diese detaillierten Spezifikationen ermöglichen es Ihnen, den TSM150NB04CR optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistung voll auszuschöpfen.

Ihr Erfolg ist unser Ziel

Wir verstehen, dass der Erfolg Ihrer Projekte von der Qualität der verwendeten Komponenten abhängt. Deshalb legen wir größten Wert auf die Auswahl unserer Produkte und bieten Ihnen nur Bauteile an, die unseren hohen Qualitätsstandards entsprechen. Der TSM150NB04CR ist ein Paradebeispiel für unser Engagement für Qualität und Innovation. Wir sind davon überzeugt, dass dieser MOSFET Ihnen helfen wird, Ihre Ziele zu erreichen und Ihre Visionen zu verwirklichen.

Bestellen Sie noch heute den TSM150NB04CR und erleben Sie die Leistungsfähigkeit dieses außergewöhnlichen MOSFETs! Wir sind sicher, dass Sie begeistert sein werden.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM150NB04CR

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM150NB04CR. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

1. Was bedeutet PDFN56?

PDFN56 ist die Bezeichnung für das Gehäuse des MOSFET. Es handelt sich um ein kleines, flaches Gehäuse mit guter Wärmeableitungseigenschaften.

2. Kann ich den TSM150NB04CR auch bei höheren Temperaturen betreiben?

Der TSM150NB04CR ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C ausgelegt. Es ist jedoch wichtig, die Verlustleistung zu berücksichtigen und gegebenenfalls Kühlmaßnahmen zu ergreifen, um eine Überhitzung zu vermeiden.

3. Ist der TSM150NB04CR ESD-empfindlich?

Ja, wie alle MOSFETs ist auch der TSM150NB04CR ESD-empfindlich. Es ist wichtig, bei der Handhabung und Verarbeitung ESD-Schutzmaßnahmen zu beachten.

4. Wo finde ich ein Datenblatt für den TSM150NB04CR?

Ein detailliertes Datenblatt für den TSM150NB04CR finden Sie auf der Website des Herstellers oder auf unserer Produktseite unter dem Reiter „Downloads“.

5. Ist der TSM150NB04CR für Automotive-Anwendungen geeignet?

Bitte konsultieren Sie das Datenblatt und die Spezifikationen des Herstellers, um die Eignung für Automotive-Anwendungen zu überprüfen. Einige MOSFETs sind speziell für diese Anwendungen qualifiziert.

6. Welche Gate-Ansteuerspannung empfehlt ihr für den TSM150NB04CR?

Die empfohlene Gate-Ansteuerspannung (Vgs) für den TSM150NB04CR beträgt 10V. Dies gewährleistet einen optimalen Einschaltwiderstand und eine effiziente Schaltung.

7. Kann ich den TSM150NB04CR parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?

Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, sicherzustellen, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind und eine gleichmäßige Stromverteilung gewährleistet ist.

Bewertungen: 4.6 / 5. 617

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

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