Zum Inhalt springen
Lan.deLan.de
  • Alle Kategorien
  • Alle Kategorien
    • Magazin
    • 3D Druck / CNC
    • Bauelemente (aktiv)
    • Bauelemente (mechanisch)
    • Bauelemente (passiv)
    • Büro & Kommunikation
    • Büro- & Taschenrechner
    • Bürostühle
    • Chipkartentechnik
    • Diverses
    • Entwicklerboards
    • Foto & Video
    • Gestalten & Dekorieren
    • Haus- & Sicherheitstechnik
    • Kleben & Verpacken
    • Lichttechnik
    • Messtechnik & Werkstattbedarf
    • Pantry / Facility
    • PC-Arbeitsplatz
    • PC-Technik
    • Präsentation
    • Speichermedien & Zubehör
    • Stromversorgung
    • TV-Empfangstechnik
    • Unterhaltungselektronik
  • Magazin
  • Entwicklerboards
  • Stromversorgung
  • Messtechnik
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Netzwerktechnik
  • PC-Technik
Startseite » Bauelemente, aktiv » Transistoren » Uni-/Bipolartransistoren (FETs) » MOSFETs
TSM110NB04CR - MOSFET N-Ch 40V 54A 0

TSM110NB04CR – MOSFET N-Ch 40V 54A 0,011R PDFN56

0,99 €

  • Lieferzeit: 1-2 Werktage
  • begrenzte Stückzahl, Lagernd

Zum Partnershop

Artikelnummer: ab807db7b23f Kategorie: MOSFETs
  • Automatisierte Fertigung (3D Druck/CNC)
  • Bauelemente, aktiv
    • Dioden, Gleichrichter, Triacs etc.
    • ICs & Controller
    • Optoelektronik
    • Programmer / Entwicklungstools
    • Röhren
    • Signalakustik
    • Transistoren
      • Bipolar-Transistoren (BJTs)
      • IGBT-Transistoren
      • Uni-/Bipolartransistoren (FETs)
        • JFETs
        • MOSFETs
        • MOSFETTreiber
  • Bauelemente, mechanisch
  • Bauelemente, passiv
  • Büro & Kommunikation
  • Büro-/Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Diverses
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik und Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Partner
Beschreibung

Inhalt

Toggle
  • TSM110NB04CR – Der N-Kanal MOSFET für Höchstleistungen
    • Technische Daten im Überblick
    • Warum der TSM110NB04CR die richtige Wahl ist
    • Anwendungsbereiche
    • Technische Details im Detail
    • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04CR

TSM110NB04CR – Der N-Kanal MOSFET für Höchstleistungen

Träumen Sie von Elektronikprojekten, die effizient, zuverlässig und leistungsstark sind? Dann ist der TSM110NB04CR N-Kanal MOSFET die perfekte Wahl für Sie! Dieser kleine, aber mächtige Chip verbirgt in seinem Inneren das Potenzial, Ihre Schaltungen auf ein neues Level zu heben. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein begeisterter Hobbybastler oder ein Studierender sind, der die Welt der Elektronik erkundet – der TSM110NB04CR wird Sie mit seiner Performance und Vielseitigkeit begeistern.

Der TSM110NB04CR ist ein N-Kanal MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit herausragenden technischen Daten. Er ist speziell dafür entwickelt, in anspruchsvollen Anwendungen höchste Leistung zu liefern. Mit seiner niedrigen Einschaltwiderstand und der hohen Strombelastbarkeit bietet er eine unschlagbare Kombination aus Effizienz und Zuverlässigkeit. Lassen Sie uns gemeinsam einen Blick auf die beeindruckenden Features werfen:

Technische Daten im Überblick

  • Typ: N-Kanal MOSFET
  • Spannung (Vds): 40V
  • Strom (Id): 54A
  • Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,011 Ohm (typisch)
  • Gehäuse: PDFN56

Diese Spezifikationen bedeuten in der Praxis, dass der TSM110NB04CR in der Lage ist, hohe Ströme mit minimalem Leistungsverlust zu schalten. Das Ergebnis ist eine effizientere Schaltung, die weniger Wärme erzeugt und somit langlebiger und zuverlässiger ist. Der niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und sorgt dafür, dass Ihre Energie dort ankommt, wo sie gebraucht wird.

Warum der TSM110NB04CR die richtige Wahl ist

Die Entscheidung für den richtigen MOSFET kann entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts sein. Der TSM110NB04CR bietet eine Reihe von Vorteilen, die ihn von anderen Bauteilen abheben:

  • Hohe Effizienz: Dank des niedrigen Einschaltwiderstands minimiert der TSM110NB04CR die Leistungsverluste und trägt so zu einer höheren Effizienz Ihrer Schaltung bei. Das spart Energie und schont die Umwelt.
  • Hohe Strombelastbarkeit: Mit einer Strombelastbarkeit von 54A ist der TSM110NB04CR in der Lage, auch anspruchsvolle Lasten zu schalten. Das macht ihn ideal für Anwendungen wie Motorsteuerungen, DC-DC-Wandler und LED-Treiber.
  • Kompaktes Gehäuse: Das PDFN56-Gehäuse ist klein und platzsparend, wodurch der TSM110NB04CR auch in kompakten Designs eingesetzt werden kann.
  • Schnelle Schaltzeiten: Der TSM110NB04CR zeichnet sich durch schnelle Schaltzeiten aus, was ihn ideal für Anwendungen macht, die eine hohe Schaltfrequenz erfordern.
  • Zuverlässigkeit: Der TSM110NB04CR ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen seine Leistung erbringt.

Anwendungsbereiche

Die Vielseitigkeit des TSM110NB04CR macht ihn zur idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken ausspielen kann:

  • Motorsteuerungen: Steuern Sie präzise und effizient die Drehzahl von Elektromotoren in Robotern, Drohnen oder anderen Anwendungen.
  • DC-DC-Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient um und versorgen Sie Ihre Geräte mit der benötigten Energie.
  • LED-Treiber: Steuern Sie LEDs präzise und energieeffizient für eine optimale Ausleuchtung.
  • Leistungsmanagement: Optimieren Sie den Energieverbrauch in Ihren Schaltungen und verlängern Sie die Akkulaufzeit.
  • Schaltregler: Realisieren Sie effiziente und stabile Schaltregler für verschiedene Anwendungen.

Die Einsatzmöglichkeiten sind nahezu unbegrenzt. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie, wie der TSM110NB04CR Ihre Projekte bereichern kann.

Technische Details im Detail

Für die erfahrenen Elektronikentwickler und Ingenieure unter Ihnen, hier noch einige detailliertere technische Informationen:

Parameter Wert Einheit
Drain-Source-Spannung (Vds) 40 V
Gate-Source-Spannung (Vgs) ±20 V
Dauerstrom (Id) 54 A
Pulsstrom (Idm) 216 A
Verlustleistung (Pd) 3.1 W
Betriebstemperatur (Tj) -55 bis +150 °C
Speichertemperatur (Tstg) -55 bis +150 °C

Diese Daten zeigen, dass der TSM110NB04CR auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig arbeitet. Achten Sie jedoch stets darauf, die maximalen Werte nicht zu überschreiten, um die Lebensdauer des Bauteils zu gewährleisten.

Der TSM110NB04CR ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu innovativen und effizienten elektronischen Lösungen. Er ermöglicht es Ihnen, Ihre Ideen in die Realität umzusetzen und Ihre Projekte auf ein neues Level zu heben. Warten Sie nicht länger und entdecken Sie das Potenzial des TSM110NB04CR für Ihre nächsten Projekte!

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04CR

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM110NB04CR:

  1. Was bedeutet „N-Kanal“ bei einem MOSFET?

    Ein N-Kanal MOSFET leitet Strom zwischen Source und Drain, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird. Im Gegensatz dazu benötigt ein P-Kanal MOSFET eine negative Spannung am Gate zur Aktivierung.

  2. Wie berechne ich die Verlustleistung im MOSFET?

    Die Verlustleistung (Pd) kann grob mit der Formel Pd = Id² * Rds(on) berechnet werden. Dabei ist Id der Strom durch den MOSFET und Rds(on) der Einschaltwiderstand.

  3. Kann ich den TSM110NB04CR als Schalter verwenden?

    Ja, der TSM110NB04CR eignet sich hervorragend als Schalter. Durch Anlegen einer geeigneten Spannung am Gate kann der Stromfluss zwischen Source und Drain gesteuert werden.

  4. Wie kann ich den MOSFET vor Überhitzung schützen?

    Um den MOSFET vor Überhitzung zu schützen, sollte die Verlustleistung innerhalb der spezifizierten Grenzen gehalten werden. Verwenden Sie ggf. einen Kühlkörper, um die Wärme abzuführen.

  5. Welche Spannungen sind beim Betrieb des MOSFET zu beachten?

    Achten Sie darauf, dass die Drain-Source-Spannung (Vds) und die Gate-Source-Spannung (Vgs) innerhalb der maximal zulässigen Werte liegen, um Beschädigungen des Bauteils zu vermeiden.

  6. Ist der TSM110NB04CR ESD-empfindlich?

    Ja, MOSFETs sind generell ESD-empfindlich. Beachten Sie die üblichen ESD-Schutzmaßnahmen beim Umgang mit dem Bauteil, wie z.B. die Verwendung einer Erdungsarmband.

  7. Wo finde ich das Datenblatt des TSM110NB04CR?

    Das Datenblatt des TSM110NB04CR finden Sie auf der Webseite des Herstellers oder in gängigen Online-Datenbanken für elektronische Bauteile.

Bewertungen: 4.8 / 5. 507

Zusätzliche Informationen
Marke

TAIWAN-SEMICONDUCTORS

Ähnliche Produkte

BUZ 11 - MOSFET

BUZ 11 – MOSFET, N-Kanal, 50 V, 35 A, RDS(on) 0,04 Ohm, TO-220AB

0,99 €
IRF 1310N - MOSFET

IRF 1310N – MOSFET, N-CH, 100V, 42A, 160W, TO-220AB

0,99 €
BS 170 - MOSFET

BS 170 – MOSFET, N-Kanal, 60 V, 0,5 A, RDS(ON) 5,0 Ohm, TO-92

0,18 €
BUZ 71A - MOSFET

BUZ 71A – MOSFET, N-CH, 50V, 13A, 40W, TO-220

0,99 €
AO 6604 - MOSFET

AO 6604 – MOSFET, N+P-Kanal, 20/-20 V, 3,4/-2,5 A, Rds(on) 0,065/0,075 Ohm

0,24 €
IRF 1404 - MOSFET

IRF 1404 – MOSFET, N-CH, 40V, 162A, 200W, TO-220AB

1,40 €
IRF 2804 - MOSFET

IRF 2804 – MOSFET, N-Kanal, 40 V, 75 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-220AB

1,85 €
2SK 2645 - MOSFET

2SK 2645 – MOSFET, N-CH, 600V, 9A, 50W, TO-220F

1,50 €
  • Impressum
  • Datenschutz
Copyright 2025 © lan.de
  • lan.de Logo
  • Magazin
  • 3D Druck / CNC
  • Bauelemente (aktiv)
  • Bauelemente (mechanisch)
  • Bauelemente (passiv)
  • Büro & Kommunikation
  • Büro- & Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Diverses
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Haus- & Sicherheitstechnik
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik & Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Anzeige*
Close

zum Angebot
0,99 €