TSM089N08LCR – Der ultimative N-Kanal MOSFET für höchste Ansprüche
Entdecken Sie den TSM089N08LCR, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Technik und IT entwickelt wurde. Dieser MOSFET vereint herausragende Performance, höchste Effizienz und absolute Zuverlässigkeit in einem kompakten PDFN56-Gehäuse. Ob Sie nun innovative Schaltungen entwickeln, die Leistung Ihrer bestehenden Systeme optimieren oder robuste Lösungen für industrielle Anwendungen suchen – der TSM089N08LCR ist die ideale Wahl.
Tauchen Sie ein in die Welt der unbegrenzten Möglichkeiten und erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Mit seinen beeindruckenden technischen Daten und seiner durchdachten Konstruktion bietet der TSM089N08LCR die perfekte Basis für Ihre Visionen.
Technische Highlights des TSM089N08LCR
Der TSM089N08LCR besticht durch seine beeindruckenden technischen Spezifikationen, die ihn zu einem wahren Kraftpaket machen:
- N-Kanal MOSFET: Ermöglicht eine effiziente Steuerung hoher Ströme und Spannungen.
- Spannungsfestigkeit von 80V: Bietet ausreichend Spielraum für verschiedenste Anwendungen.
- Dauerstrom von 67A: Bewältigt auch anspruchsvolle Lasten mühelos.
- Sehr niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,0089 Ohm: Minimiert die Verluste und erhöht die Effizienz Ihrer Schaltung.
- PDFN56-Gehäuse: Sorgt für eine optimale Wärmeableitung und ermöglicht eine kompakte Bauweise.
Diese Kombination aus hoher Leistung und geringem Einschaltwiderstand macht den TSM089N08LCR zu einem unverzichtbaren Bauteil für alle, die Wert auf Effizienz und Zuverlässigkeit legen.
Anwendungsbereiche des TSM089N08LCR
Die Vielseitigkeit des TSM089N08LCR kennt kaum Grenzen. Er findet Anwendung in einer Vielzahl von Bereichen, darunter:
- Schaltnetzteile: Optimiert die Effizienz und Leistung von Netzteilen.
- Motorsteuerungen: Ermöglicht eine präzise und zuverlässige Steuerung von Motoren.
- DC-DC-Wandler: Sorgt für eine effiziente Umwandlung von Gleichspannung.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützt und optimiert die Leistung von Batterien.
- Industrielle Automatisierung: Steigert die Effizienz und Zuverlässigkeit von Automatisierungssystemen.
- Robotik: Ermöglicht präzise und leistungsstarke Robotersysteme.
Ganz gleich, in welchem Bereich Sie tätig sind, der TSM089N08LCR bietet Ihnen die Leistung und Zuverlässigkeit, die Sie benötigen, um Ihre Projekte erfolgreich umzusetzen.
Warum der TSM089N08LCR die richtige Wahl ist
In einer Welt, in der Leistung und Effizienz entscheidend sind, ist der TSM089N08LCR die ideale Wahl. Er bietet Ihnen nicht nur herausragende technische Daten, sondern auch eine Reihe weiterer Vorteile:
- Hohe Effizienz: Der extrem niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Verluste und sorgt für eine maximale Energieausbeute.
- Zuverlässigkeit: Der TSM089N08LCR ist robust und langlebig, sodass Sie sich auf seine Leistung verlassen können.
- Kompakte Bauweise: Das PDFN56-Gehäuse ermöglicht eine platzsparende Integration in Ihre Schaltungen.
- Einfache Integration: Der TSM089N08LCR lässt sich problemlos in bestehende und neue Schaltungen integrieren.
- Kosteneffizienz: Trotz seiner herausragenden Leistung ist der TSM089N08LCR eine kostengünstige Lösung.
Mit dem TSM089N08LCR investieren Sie in ein Produkt, das Ihnen nicht nur heute, sondern auch in Zukunft beste Ergebnisse liefert. Er ist die perfekte Wahl für alle, die Wert auf Qualität, Leistung und Zuverlässigkeit legen.
Der TSM089N08LCR im Detail: Eine Tabelle der wichtigsten Parameter
Um Ihnen einen noch besseren Überblick über die technischen Fähigkeiten des TSM089N08LCR zu geben, haben wir die wichtigsten Parameter in einer Tabelle zusammengefasst:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (VDS) | 80 | V |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±20 | V |
| Dauerstrom (ID) | 67 | A |
| Pulsstrom (IDM) | 200 | A |
| Einschaltwiderstand (RDS(on)) bei VGS = 10V | 0,0089 | Ω |
| Gesamtverlustleistung (PD) | 41.6 | W |
| Betriebstemperaturbereich (TJ) | -55 bis +175 | °C |
| Gehäuse | PDFN56 | – |
Diese Tabelle verdeutlicht die beeindruckenden technischen Daten des TSM089N08LCR und zeigt, warum er eine so leistungsstarke und zuverlässige Lösung ist.
Der TSM089N08LCR: Mehr als nur ein Bauteil
Der TSM089N08LCR ist mehr als nur ein einfacher MOSFET. Er ist ein Schlüsselbaustein für innovative Technologien und zukunftsweisende Lösungen. Mit seiner Hilfe können Sie Ihre Projekte auf ein neues Level heben und Ihre Visionen verwirklichen.
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein revolutionäres Elektrofahrzeug, das dank des TSM089N08LCR eine höhere Reichweite und eine schnellere Beschleunigung erreicht. Oder Sie optimieren ein industrielles Automatisierungssystem, das durch den Einsatz dieses MOSFETs effizienter und zuverlässiger arbeitet. Die Möglichkeiten sind endlos.
Der TSM089N08LCR ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Partner, der Ihnen dabei hilft, Ihre Ziele zu erreichen und Ihre Ideen in die Realität umzusetzen. Er ist die Basis für Innovation und Fortschritt.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM089N08LCR
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM089N08LCR:
- Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, der den Stromfluss zwischen Drain und Source steuert, indem eine Spannung an das Gate angelegt wird. „N-Kanal“ bezieht sich auf das Halbleitermaterial, das den Stromfluss ermöglicht.
- Welche Vorteile bietet ein niedriger RDS(on)?
Ein niedriger RDS(on) bedeutet einen geringeren Einschaltwiderstand des MOSFET. Dies führt zu geringeren Verlusten und einer höheren Effizienz der Schaltung, da weniger Energie in Wärme umgewandelt wird.
- Kann ich den TSM089N08LCR für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der TSM089N08LCR eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) aufgrund seiner schnellen Schaltzeiten und seiner Fähigkeit, hohe Ströme zu schalten.
- Wie kann ich den TSM089N08LCR am besten kühlen?
Die Kühlung des TSM089N08LCR kann durch die Verwendung eines Kühlkörpers oder durch eine gute Wärmeableitung über die Leiterplatte erreicht werden. Das PDFN56-Gehäuse ist speziell für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt.
- Wo finde ich ein Datenblatt für den TSM089N08LCR?
Ein Datenblatt für den TSM089N08LCR finden Sie in der Regel auf der Website des Herstellers oder auf spezialisierten Elektronik-Websites. Geben Sie einfach „TSM089N08LCR Datenblatt“ in eine Suchmaschine ein.
- Ist der TSM089N08LCR ESD-empfindlich?
Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der TSM089N08LCR ESD-empfindlich. Es ist wichtig, beim Umgang mit dem Bauteil antistatische Maßnahmen zu ergreifen, um Schäden zu vermeiden.
- Kann ich den TSM089N08LCR parallel schalten?
Ja, der TSM089N08LCR kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, die Last gleichmäßig auf die MOSFETs zu verteilen, um eine Überlastung einzelner Bauteile zu vermeiden.
