TSM070NB04CR – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Projekten
Entdecken Sie den TSM070NB04CR, einen hochmodernen N-Kanal MOSFET, der Ihre Elektronikprojekte auf ein neues Leistungsniveau hebt. Dieser Transistor ist nicht nur ein Bauteil, sondern ein Versprechen für Effizienz, Zuverlässigkeit und herausragende Performance. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen und seiner robusten Bauweise ist der TSM070NB04CR die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, von der Stromversorgung bis zur Motorsteuerung. Tauchen Sie ein in die Welt der innovativen Technologie und erleben Sie, wie der TSM070NB04CR Ihre Projekte beflügelt.
Technische Daten im Überblick
Der TSM070NB04CR besticht durch seine herausragenden technischen Merkmale, die ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil für anspruchsvolle elektronische Schaltungen machen:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Spannung (Vds): 40V
- Strom (Id): 75A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 0,007 Ohm (typisch)
- Gehäuse: PDFN56
Diese beeindruckenden Werte ermöglichen es dem TSM070NB04CR, hohe Ströme effizient zu schalten und gleichzeitig den Leistungsverlust zu minimieren. Der niedrige Einschaltwiderstand sorgt für eine optimale Energieeffizienz und trägt dazu bei, die Wärmeentwicklung zu reduzieren. Das kompakte PDFN56-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Ihre Schaltungen und sorgt für eine hervorragende Wärmeableitung.
Anwendungsbereiche des TSM070NB04CR
Die Vielseitigkeit des TSM070NB04CR kennt kaum Grenzen. Er ist die perfekte Lösung für eine breite Palette von Anwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Hier sind einige Beispiele, wie Sie diesen außergewöhnlichen MOSFET in Ihren Projekten einsetzen können:
- Stromversorgungen: Ob Schaltnetzteile, DC-DC-Wandler oder USV-Systeme, der TSM070NB04CR sorgt für eine effiziente und stabile Stromversorgung Ihrer Geräte.
- Motorsteuerung: Steuern Sie die Drehzahl und das Drehmoment von Elektromotoren präzise und zuverlässig. Der TSM070NB04CR ist ideal für Anwendungen in Robotik, Modellbau und Elektrowerkzeugen.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Akkus vor Überladung, Tiefentladung und Kurzschlüssen. Der TSM070NB04CR ermöglicht eine sichere und effiziente Steuerung des Lade- und Entladeprozesses.
- LED-Beleuchtung: Steuern Sie die Helligkeit und Farbe von LEDs präzise und energieeffizient. Der TSM070NB04CR ist ideal für Anwendungen in der Architekturbeleuchtung, Automobilbeleuchtung und allgemeinen Beleuchtungssystemen.
- Leistungsschalter: Schalten Sie hohe Ströme schnell und zuverlässig. Der TSM070NB04CR ist ideal für Anwendungen in der Industrieautomation, im Maschinenbau und in der Leistungselektronik.
Profitieren Sie von den Vorteilen des PDFN56-Gehäuses
Das PDFN56-Gehäuse des TSM070NB04CR bietet eine Reihe von Vorteilen, die seine Leistung und Zuverlässigkeit weiter verbessern:
- Kompakte Bauweise: Sparen Sie Platz auf Ihrer Leiterplatte und ermöglichen Sie eine höhere Packungsdichte.
- Hervorragende Wärmeableitung: Leiten Sie die Wärme effizient ab und verhindern Sie eine Überhitzung des MOSFET.
- Geringer induktiver Widerstand: Minimieren Sie die Schaltverluste und verbessern Sie die Energieeffizienz.
- RoHS-konform: Schützen Sie die Umwelt und erfüllen Sie die Anforderungen der europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
Warum der TSM070NB04CR die richtige Wahl für Sie ist
Der TSM070NB04CR ist mehr als nur ein MOSFET. Er ist eine Investition in die Zuverlässigkeit, Effizienz und Leistungsfähigkeit Ihrer Projekte. Mit seinen herausragenden technischen Daten, seiner robusten Bauweise und seiner vielseitigen Anwendbarkeit ist er die perfekte Wahl für alle, die höchste Ansprüche an ihre Elektronik stellen. Lassen Sie sich von der Leistung des TSM070NB04CR inspirieren und verwirklichen Sie Ihre kühnsten Elektronikträume.
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dem TSM070NB04CR Ihre eigenen innovativen Lösungen entwickeln, die die Welt verändern. Ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein begeisterter Bastler oder ein ambitionierter Student sind, der TSM070NB04CR wird Ihnen dabei helfen, Ihre Ziele zu erreichen. Erleben Sie die Freude, etwas Neues zu schaffen und Ihre Ideen zum Leben zu erwecken. Der TSM070NB04CR ist Ihr Schlüssel zu einer Welt voller Möglichkeiten.
Bestellen Sie noch heute den TSM070NB04CR und entdecken Sie das Potenzial dieses außergewöhnlichen MOSFETs. Wir sind überzeugt, dass er auch Ihre Projekte beflügeln wird. Nutzen Sie die Chance und sichern Sie sich jetzt dieses hochwertige Bauteil zu einem attraktiven Preis.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum TSM070NB04CR
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum TSM070NB04CR. Sollten Sie weitere Fragen haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.
- Frage: Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Antwort: Ein N-Kanal MOSFET ist ein Feldeffekttransistor, bei dem der Stromfluss zwischen Source und Drain durch ein elektrisches Feld gesteuert wird. Im Gegensatz zu einem P-Kanal MOSFET wird beim N-Kanal MOSFET eine positive Spannung an das Gate angelegt, um den Kanal zu öffnen und den Stromfluss zu ermöglichen.
- Frage: Wie berechne ich den benötigten Kühlkörper für den TSM070NB04CR?
Antwort: Die Berechnung des benötigten Kühlkörpers hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z.B. dem Strom, der Spannung, der Umgebungstemperatur und dem thermischen Widerstand des MOSFETs. Verwenden Sie die Formel: Rθja = (Tj – Ta) / Pd, wobei Rθja der Gesamtwärmewiderstand, Tj die Sperrschichttemperatur, Ta die Umgebungstemperatur und Pd die Verlustleistung ist. Konsultieren Sie das Datenblatt für spezifische Werte und verwenden Sie Kühlkörperrechner online, um eine präzise Abschätzung zu erhalten. Beachten Sie, dass die Temperatur der Sperrschicht den im Datenblatt angegebenen Maximalwert nicht überschreiten darf!
- Frage: Kann ich den TSM070NB04CR auch für PWM-Anwendungen verwenden?
Antwort: Ja, der TSM070NB04CR ist sehr gut für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen geeignet. Sein schneller Schaltgeschwindigkeit und geringer Einschaltwiderstand machen ihn ideal für effiziente Leistungsregelung in PWM-Schaltungen.
- Frage: Was ist der Unterschied zwischen Vgs(th) und Vds?
Antwort: Vgs(th) ist die Gate-Source-Schwellenspannung, die erforderlich ist, um den MOSFET überhaupt erst zu aktivieren und einen Stromfluss zu ermöglichen. Vds ist die Drain-Source-Spannung, also die Spannung, die zwischen Drain und Source anliegt, wenn der MOSFET bereits aktiviert ist.
- Frage: Ist der TSM070NB04CR ESD-geschützt?
Antwort: Der TSM070NB04CR besitzt einen gewissen ESD-Schutz, jedoch ist es ratsam, beim Umgang mit dem Bauteil ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbandes und das Arbeiten auf einer ESD-geschützten Oberfläche, um Beschädigungen zu vermeiden.
- Frage: Wo finde ich das vollständige Datenblatt für den TSM070NB04CR?
Antwort: Das vollständige Datenblatt für den TSM070NB04CR finden Sie in unserem Downloadbereich oder auf der Webseite des Herstellers. Das Datenblatt enthält detaillierte Informationen zu den elektrischen Eigenschaften, den thermischen Kennwerten und den empfohlenen Betriebsbedingungen.
- Frage: Welche Alternativen gibt es zum TSM070NB04CR?
Antwort: Es gibt verschiedene Alternativen zum TSM070NB04CR, je nach Ihren spezifischen Anforderungen. Einige mögliche Alternativen sind MOSFETs mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten, aber möglicherweise unterschiedlichen Einschaltwiderständen oder Gehäusen. Konsultieren Sie unsere Produktdatenbank oder kontaktieren Sie unser Support-Team für eine individuelle Beratung.
