STW34N65M5 – MOSFET N-Kanal, 650 V, 28 A, RDS(on) 0,11 R, TO247

N-Kanal 650 V, 0,09 O typ., 28 A MDmesh™ V Power MOSFETsBeschreibung:Bei diesen Bausteinen handelt es sich um N-Kanal MDmesh™ V Power MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten PowerMESH™ Horizontal-Layout-Struktur von STMicroelectronics kombiniert wird. Das resultierende Produkt hat einen extrem niedrigen On-Widerstand, der unter den siliziumbasierten Power-MOSFETs unübertroffen ist, und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.Merkmale• Weltweit bester RDS(on)*-Bereich• Höhere VDSS-Bewertung und hohe dv/dt-Fähigkeit• Exzellentes Schaltverhalten• 100% Avalanche-getestetAnwendungen• Schaltende Anwendungen