STPSC8H065D – SiC-Schottkydiode, 650V, 8A, TO220AC

Diese 8 A, 650 V SiC-Diode ist eine Schottky-Diode mit ultrahoher Leistung. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Dieser STPSC8H065 ist besonders für den Einsatz in PFC-Anwendungen geeignet. Diese ST-SiC-Diode erhöht die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine Recovery-Ladung im Betriebsbereich• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstrombelastbarkeit• isoliertes Gehäuse TO-220AC Isoliert: – Isolierte Spannung: 2500 VRMS – Typische Gehäusekapazität: 7 pF