STPSC8H065C – SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 8A (2×4), TO220AB

Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Dieser Doppeldioden-Gleichrichter, der sich besonders für den Einsatz in verschachtelten oder brückenlosen Topologien eignet, erhöht die Leistung unter harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstrombelastbarkeit