STPSC4H065D – SiC-Schottkydiode, 650V, 4A, TO220AC

Die SiC-Diode ist eine ultrahochleistungsfähige Schottky-Diode. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Die minimale kapazitives Abschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur. ST-SiC-Dioden werden die Leistung der PFC Betrieb unter harten Schaltbedingungen erhöhen. ST SiC-Diode erhöht die Leistung in harten Umgebungen. Sein hoher Vorwärtsstoß Fähigkeit gewährleistet eine gute Robustheit bei der Verarbeitung von transiente Phasen.Merkmale• Keine Rückgewinnungskosten in der Anwendung aktueller Bereich• Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur• hohe Stoßstrombelastbarkeit• isoliertes Gehäuse TO-220AC Isoliert: – Isolierte Spannung: 2500 V rms – Typische Gehäusekapazität: 7 pF