STPSC406D – SiC-Schottkydiode, 600 V, 4 A, TO220AC

Die SiC-Diode ist eine ultrahochleistungsfähige Schottky-Diode. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 600 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.ST-SiC-Dioden werden die Leistung der PFC Betrieb unter harten Schaltbedingungen erhöhen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur• geeignet für PFC-Korrektur