STPSC20H065C – SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 20A (2×10), TO220AB

Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.Das Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Diese ST-SiC-Diode eignet sich besonders für den Einsatz in PFC-Anwendungen und erhöht die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• positiver Temperaturkoeffizient• speziell für PFC-anwendungen entwickelt• hohe Stoßstrombelastbarkeit