STPSC20H065C – Die SiC-Dual-Schottkydiode für höchste Ansprüche
In der Welt der Leistungselektronik, wo Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, präsentiert sich die STPSC20H065C SiC-Dual-Schottkydiode als eine innovative Lösung. Dieses Produkt, gefertigt von STMicroelectronics, setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Schaltgeschwindigkeit, Spannungsfestigkeit und thermische Performance. Entdecken Sie, wie diese Diode Ihre Anwendungen auf ein neues Level heben kann.
Revolutionäre Technologie für überlegene Leistung
Die STPSC20H065C basiert auf Siliziumkarbid (SiC), einem Halbleitermaterial, das herkömmlichem Silizium in vielerlei Hinsicht überlegen ist. SiC zeichnet sich durch eine höhere Durchbruchfeldstärke, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und eine niedrigere intrinsische Ladungsträgerkonzentration aus. Diese Eigenschaften ermöglichen den Bau von Bauelementen, die bei höheren Spannungen, höheren Temperaturen und höheren Frequenzen arbeiten können, ohne dabei an Effizienz zu verlieren.
Konkret bedeutet dies für die STPSC20H065C: Sie bietet eine Sperrspannung von 650V und einen Durchlassstrom von 20A (2x10A, da es sich um eine Dual-Diode handelt). Diese Kombination macht sie ideal für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen:
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
- DC-DC-Wandler
- Wechselrichter
- Motorantriebe
- Erneuerbare Energien (Solar, Wind)
- Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
Die Dual-Diodenkonfiguration ermöglicht zudem eine flexible Verschaltung und Platzersparnis auf der Leiterplatte.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen umfassenden Überblick zu verschaffen, hier eine detaillierte Auflistung der technischen Spezifikationen der STPSC20H065C:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Sperrspannung (VRRM) | 650 | V |
| Durchlassstrom (IF) pro Diode | 10 | A |
| Gesamter Durchlassstrom (IF) | 20 | A |
| Vorwärtsspannung (VF) | 1.7 | V (typisch bei 10A, 25°C) |
| Sperrstrom (IR) | 5 | µA (typisch bei 650V, 25°C) |
| Sperrverzögerungsladung (QC) | 19 | nC (typisch bei VR=400V, IF=10A, dIF/dt=200A/µs) |
| Betriebstemperatur (TJ) | -55 bis +175 | °C |
| Gehäuse | TO-220AB | – |
Diese beeindruckenden Werte sind das Ergebnis sorgfältiger Entwicklung und Fertigungsprozesse, die sicherstellen, dass die STPSC20H065C auch unter extremen Bedingungen zuverlässig funktioniert.
Vorteile, die überzeugen
Die Entscheidung für die STPSC20H065C bringt eine Vielzahl von Vorteilen mit sich, die Ihre Schaltungsentwicklung vereinfachen und die Performance Ihrer Anwendungen verbessern:
- Hocheffiziente Schaltung: Dank der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des geringen Sperrstroms minimiert die STPSC20H065C Schaltverluste und verbessert den Gesamtwirkungsgrad.
- Geringe Schaltverluste: Reduzieren Sie die Wärmeentwicklung in Ihren Schaltungen und verlängern Sie die Lebensdauer Ihrer Komponenten.
- Hohe Zuverlässigkeit: Die SiC-Technologie und das robuste TO-220AB-Gehäuse garantieren eine lange Lebensdauer und hohe Betriebssicherheit.
- Einfache Integration: Das weit verbreitete TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kompatibilität mit bestehenden Designs.
- Optimierte thermische Performance: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und ermöglicht den Betrieb bei höheren Temperaturen.
- Reduzierte elektromagnetische Interferenz (EMI): Die schnelle Schaltgeschwindigkeit kann durch sorgfältige Designmaßnahmen in EMI-arme Systeme integriert werden.
Stellen Sie sich vor, wie Sie mit dieser Diode die Effizienz Ihrer Solarinverter steigern oder die Ladezeiten Ihrer Elektrofahrzeuge verkürzen können. Die Möglichkeiten sind vielfältig und inspirierend!
Anwendungsbeispiele, die begeistern
Die Vielseitigkeit der STPSC20H065C zeigt sich in den zahlreichen Anwendungsmöglichkeiten. Hier sind einige Beispiele, die Ihnen als Inspiration dienen können:
- Solarinverter: Steigern Sie die Effizienz Ihrer Solarinverter durch den Einsatz von SiC-Dioden in der PFC-Stufe und im DC-DC-Wandler.
- Ladegeräte für Elektrofahrzeuge: Verkürzen Sie die Ladezeiten Ihrer Elektrofahrzeuge mit hocheffizienten Ladegeräten, die auf SiC-Technologie basieren.
- Industrielle Stromversorgungen: Entwickeln Sie kompakte und effiziente Stromversorgungen für industrielle Anwendungen.
- Motorantriebe: Verbessern Sie die Performance und Zuverlässigkeit von Motorantrieben in der Industrieautomation.
- Schweißgeräte: Optimieren Sie die Leistung und Effizienz von Schweißgeräten.
Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Anwendungsbereiche für diese innovative Diode.
Das TO-220AB Gehäuse: Robust und bewährt
Das TO-220AB Gehäuse ist ein Industriestandard, der sich durch seine Robustheit und einfache Handhabung auszeichnet. Es bietet eine gute Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage auf Kühlkörpern. Die drei Anschlüsse sind klar definiert und ermöglichen eine einfache Integration in bestehende Schaltungen.
Die STPSC20H065C im TO-220AB Gehäuse ist somit eine ideale Wahl für Entwickler, die eine zuverlässige und einfach zu handhabende Diode suchen.
Warum Sie sich für die STPSC20H065C entscheiden sollten
Die STPSC20H065C ist mehr als nur eine Diode – sie ist eine Investition in die Zukunft Ihrer elektronischen Schaltungen. Sie bietet eine Kombination aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit, die in dieser Form selten zu finden ist. Wenn Sie auf der Suche nach einer Diode sind, die Ihre Erwartungen übertrifft, dann ist die STPSC20H065C die richtige Wahl.
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FAQ – Häufig gestellte Fragen zur STPSC20H065C
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zur STPSC20H065C. Sollten Sie weitere Fragen haben, stehen wir Ihnen gerne zur Verfügung.
Was ist der Unterschied zwischen einer Silizium- und einer Siliziumkarbid-Diode?
Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das im Vergleich zu Silizium (Si) eine höhere Durchbruchfeldstärke, eine höhere Wärmeleitfähigkeit und eine niedrigere intrinsische Ladungsträgerkonzentration aufweist. Dies ermöglicht SiC-Dioden, bei höheren Spannungen, Temperaturen und Frequenzen effizienter zu arbeiten.
Welche Vorteile bietet die Dual-Diodenkonfiguration?
Die Dual-Diodenkonfiguration ermöglicht eine flexible Verschaltung, beispielsweise als Halbbrücke, und spart Platz auf der Leiterplatte im Vergleich zur Verwendung von zwei einzelnen Dioden.
Wie kühle ich die STPSC20H065C richtig?
Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit des SiC-Materials ist eine gute Wärmeableitung wichtig. Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper und Wärmeleitpaste, um die Wärme effizient abzuführen. Die Größe des Kühlkörpers hängt von den Betriebsbedingungen und der Verlustleistung ab.
Was bedeutet die Angabe „650V“ bei der Sperrspannung?
Die Angabe „650V“ bezeichnet die maximale Sperrspannung (VRRM), die die Diode dauerhaft aushalten kann, ohne zu beschädigen. Es ist wichtig, diese Spannung nicht zu überschreiten.
Kann ich die STPSC20H065C für PFC-Schaltungen verwenden?
Ja, die STPSC20H065C ist ideal für PFC-Schaltungen geeignet. Ihre schnelle Schaltgeschwindigkeit und der geringe Sperrstrom tragen zu einem hohen Wirkungsgrad bei.
Wo finde ich detaillierte Datenblätter und Applikationshinweise?
Detaillierte Datenblätter und Applikationshinweise finden Sie auf der Website von STMicroelectronics oder über unsere Produktseite unter dem Reiter „Downloads“.
Ist die STPSC20H065C RoHS-konform?
Ja, die STPSC20H065C ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen der Europäischen Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten.
Wie beeinflusst die Temperatur die Leistung der Diode?
Die Leistung der Diode wird von der Temperatur beeinflusst. Bei höheren Temperaturen steigt der Sperrstrom (IR) leicht an, während die Vorwärtsspannung (VF) leicht sinkt. Die spezifizierten Parameter im Datenblatt beziehen sich auf definierte Betriebstemperaturen.
