STP8NK100Z – MOSFET N-Kanal + Z-Diode 1000V 6,5A 1,6R TO220

N-KANAL 1000V – 1.60R – 6.5A – BIS-220 Zener-geschützt SuperMESH™ MOSFETBeschreibung Die Serie SuperMESH™ wird durch eine extreme Optimierung des gut etablierten streifenbasierten PowerMESH™ Layouts von ST erreicht. Neben der deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstandes wird besonders darauf geachtet, eine sehr gute dv/dt Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten. Diese Serie ergänzt die gesamte Palette der Hochspannungs-MOSFETs von ST, einschließlich der revolutionären MDmesh™ Produkte.Merkmale:• Extrem hohe dv/dt-Aufnahmefähigkeit• 100% Lawinen-Bewertung• Verbesserte BNE-Fähigkeit• Sehr niedrige intrinsische KapazitätApplikationen• Hochstrom, Schaltanwendung• Ideal für Off-Line-Stromversorgungen