Entfesseln Sie das Potenzial Ihrer Schaltungen mit dem STP8NK100Z MOSFET
Sind Sie bereit, die Leistung und Zuverlässigkeit Ihrer elektronischen Schaltungen auf ein neues Level zu heben? Der STP8NK100Z ist mehr als nur ein MOSFET; er ist Ihr Schlüssel zu innovativen und effizienten Designs. Mit seiner robusten Konstruktion und herausragenden Leistungsmerkmalen ermöglicht er Ihnen, anspruchsvolle Projekte zu realisieren und Ihre Visionen in die Realität umzusetzen. Lassen Sie sich von der Leistungsfähigkeit dieses Bauteils inspirieren und entdecken Sie die unzähligen Möglichkeiten, die es Ihnen bietet.
Technische Daten, die überzeugen
Der STP8NK100Z ist ein N-Kanal MOSFET mit integrierter Z-Diode, der speziell für Anwendungen entwickelt wurde, die hohe Spannungen und Ströme erfordern. Hier sind die wichtigsten technischen Daten im Überblick:
- Typ: N-Kanal MOSFET
- Spannungsfestigkeit (Vds): 1000V
- Dauerstrom (Id): 6,5A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 1,6 Ohm (typisch)
- Gehäuse: TO220
- Integrierte Z-Diode: Ja
Diese beeindruckenden Spezifikationen machen den STP8NK100Z zu einer idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen es auf Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt.
Anwendungsbereiche: Wo der STP8NK100Z glänzt
Der STP8NK100Z ist ein wahrer Allrounder und findet in zahlreichen Anwendungsbereichen seinen Einsatz. Hier sind einige Beispiele, die Ihnen zeigen, wie vielseitig dieses Bauteil ist:
- Schaltnetzteile: Der STP8NK100Z ist prädestiniert für den Einsatz in Schaltnetzteilen, wo er für eine effiziente und zuverlässige Energieumwandlung sorgt. Seine hohe Spannungsfestigkeit und der niedrige Einschaltwiderstand tragen dazu bei, Verluste zu minimieren und die Effizienz zu maximieren.
- Motorsteuerungen: In Motorsteuerungen ermöglicht der STP8NK100Z eine präzise und effiziente Steuerung von Elektromotoren. Seine Fähigkeit, hohe Ströme zu schalten, macht ihn ideal für Anwendungen, die eine hohe Leistung erfordern.
- Beleuchtungstechnik: Ob in LED-Treibern oder Vorschaltgeräten für Leuchtstofflampen – der STP8NK100Z sorgt für eine zuverlässige und effiziente Ansteuerung von Beleuchtungssystemen. Seine Robustheit und Langlebigkeit gewährleisten einen störungsfreien Betrieb.
- Wechselrichter: In Wechselrichtern, die Gleichspannung in Wechselspannung umwandeln, spielt der STP8NK100Z eine zentrale Rolle. Seine hohe Spannungsfestigkeit und der niedrige Einschaltwiderstand tragen dazu bei, die Effizienz des Wechselrichters zu optimieren.
- Industrielle Anwendungen: Auch in anspruchsvollen industriellen Anwendungen, wie z.B. in Schweißgeräten oder Induktionsheizungen, beweist der STP8NK100Z seine Stärken. Seine Robustheit und Zuverlässigkeit gewährleisten einen störungsfreien Betrieb auch unter extremen Bedingungen.
Die Einsatzmöglichkeiten des STP8NK100Z sind nahezu unbegrenzt. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Anwendungsbereiche für dieses leistungsstarke Bauteil!
Die Vorteile im Detail: Warum Sie sich für den STP8NK100Z entscheiden sollten
Der STP8NK100Z bietet Ihnen eine Vielzahl von Vorteilen, die ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Ihre Projekte machen:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer Spannungsfestigkeit von 1000V bietet der STP8NK100Z ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Anwendungen und schützt Ihre Schaltungen vor Überspannungsschäden.
- Niedriger Einschaltwiderstand: Der niedrige Einschaltwiderstand von typisch 1,6 Ohm minimiert die Verluste und sorgt für eine hohe Effizienz Ihrer Schaltungen.
- Integrierte Z-Diode: Die integrierte Z-Diode schützt den MOSFET vor Überspannungen und erhöht die Zuverlässigkeit Ihrer Schaltungen.
- Robustes Gehäuse: Das TO220-Gehäuse sorgt für eine gute Wärmeableitung und ermöglicht eine einfache Montage.
- Hohe Zuverlässigkeit: Der STP8NK100Z ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen eine lange Lebensdauer gewährleistet.
- Vielseitigkeit: Der STP8NK100Z ist vielseitig einsetzbar und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen.
Mit dem STP8NK100Z investieren Sie in ein hochwertiges und zuverlässiges Bauteil, das Ihnen langfristig Freude bereiten wird.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen noch detaillierteren Überblick über die technischen Daten des STP8NK100Z zu geben, finden Sie hier eine Tabelle mit den wichtigsten Parametern:
| Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung | Vds | 1000 | V |
| Gate-Source-Spannung | Vgs | ±30 | V |
| Dauerstrom | Id | 6,5 | A |
| Pulsstrom | Idm | 19,5 | A |
| Verlustleistung | Pd | 110 | W |
| Einschaltwiderstand (typ.) | Rds(on) | 1,6 | Ohm |
| Gate-Ladung | Qg | 20 | nC |
| Anstiegszeit | tr | 10 | ns |
| Fallzeit | tf | 12 | ns |
Diese detaillierten Informationen helfen Ihnen, den STP8NK100Z optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und das volle Potenzial dieses Bauteils auszuschöpfen.
Der STP8NK100Z: Mehr als nur ein Bauteil
Der STP8NK100Z ist mehr als nur ein elektronisches Bauteil; er ist ein Werkzeug, mit dem Sie Ihre Ideen verwirklichen und innovative Lösungen entwickeln können. Er ist ein Partner, auf den Sie sich verlassen können, wenn es um Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit geht. Lassen Sie sich von den Möglichkeiten inspirieren, die der STP8NK100Z Ihnen bietet, und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik mit.
FAQ: Häufig gestellte Fragen zum STP8NK100Z
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STP8NK100Z:
1. Was ist ein MOSFET?
Ein MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist ein Feldeffekttransistor, der in elektronischen Schaltungen als Schalter oder Verstärker eingesetzt wird. Er steuert den Stromfluss zwischen zwei Anschlüssen (Drain und Source) durch Anlegen einer Spannung an einen dritten Anschluss (Gate).
2. Was bedeutet „N-Kanal“?
„N-Kanal“ bezieht sich auf den Typ des Halbleitermaterials, das im Kanal des MOSFET verwendet wird. In einem N-Kanal MOSFET werden Elektronen als Ladungsträger verwendet.
3. Was bedeutet die Bezeichnung „1000V“?
Die Bezeichnung „1000V“ gibt die maximale Drain-Source-Spannung (Vds) an, die der MOSFET aushalten kann, ohne zu beschädigen. Es ist wichtig, diese Spannungsgrenze nicht zu überschreiten.
4. Was bedeutet die Bezeichnung „6,5A“?
Die Bezeichnung „6,5A“ gibt den maximalen Dauerstrom (Id) an, der durch den MOSFET fließen kann, ohne dass er überhitzt und beschädigt wird. Es ist wichtig, diesen Stromgrenzwert nicht zu überschreiten.
5. Was bedeutet die Bezeichnung „1,6R“?
Die Bezeichnung „1,6R“ bezieht sich auf den typischen Einschaltwiderstand (Rds(on)) des MOSFET. Dieser Wert gibt an, wie viel Widerstand der MOSFET bietet, wenn er eingeschaltet ist. Ein niedrigerer Wert bedeutet weniger Verluste und eine höhere Effizienz.
6. Wofür ist die integrierte Z-Diode gut?
Die integrierte Z-Diode schützt den MOSFET vor Überspannungen, die durch induktive Lasten oder Schaltvorgänge entstehen können. Sie leitet die überschüssige Energie ab und verhindert so Schäden am MOSFET.
7. Kann ich den STP8NK100Z für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der STP8NK100Z eignet sich gut für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation). Seine schnellen Schaltzeiten und der niedrige Einschaltwiderstand tragen zu einer effizienten und präzisen Steuerung bei.
8. Welche Kühlung benötige ich für den STP8NK100Z?
Die benötigte Kühlung hängt von der Verlustleistung und der Umgebungstemperatur ab. Bei höheren Leistungen kann ein Kühlkörper erforderlich sein, um eine Überhitzung des MOSFET zu vermeiden. Es empfiehlt sich, die Angaben im Datenblatt des Herstellers zu beachten.
