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STP7NK80Z - MOSFET N-Ch+Z-Dio 800V 5

STP7NK80Z – MOSFET N-Ch+Z-Dio 800V 5,2A 125W 1,8R TO220

1,45 €

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Artikelnummer: 91273355b27a Kategorie: MOSFETs
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Beschreibung

Inhalt

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  • Der STP7NK80Z MOSFET: Ihr Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik
    • Technische Details und Leistungsmerkmale
    • Anwendungsbereiche des STP7NK80Z
    • Warum der STP7NK80Z die richtige Wahl ist
    • Technische Daten im Überblick
    • Optimieren Sie Ihre Projekte mit dem STP7NK80Z
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP7NK80Z

Der STP7NK80Z MOSFET: Ihr Schlüssel zu effizienter Leistungselektronik

Willkommen in der Welt der fortschrittlichen Leistungselektronik! Der STP7NK80Z ist mehr als nur ein MOSFET – er ist eine zuverlässige und leistungsstarke Komponente, die Ihre Projekte auf ein neues Level hebt. Stellen Sie sich vor, Sie könnten Ihre Schaltungen mit höchster Effizienz betreiben, Wärmeentwicklung minimieren und gleichzeitig von der Robustheit eines Bauteils profitieren, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Der STP7NK80Z macht es möglich.

Dieser N-Kanal MOSFET mit integrierter Z-Diode bietet eine beeindruckende Sperrspannung von 800V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 5,2A und eine Verlustleistung von 125W. Mit einem Durchlasswiderstand (RDS(on)) von nur 1,8 Ohm im TO220 Gehäuse vereint er Leistung und Benutzerfreundlichkeit in einem einzigen Bauteil. Erleben Sie, wie der STP7NK80Z Ihre Designs optimiert und Ihnen dabei hilft, Ihre Visionen zu verwirklichen.

Technische Details und Leistungsmerkmale

Der STP7NK80Z zeichnet sich durch eine Vielzahl von technischen Eigenschaften aus, die ihn zu einer idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen machen:

  • N-Kanal MOSFET: Ermöglicht schnelles Schalten und effiziente Leistungsverstärkung.
  • Integrierte Z-Diode: Bietet zusätzlichen Schutz vor Überspannungen und verbessert die Zuverlässigkeit.
  • Hohe Sperrspannung (800V): Ideal für Anwendungen mit hohen Spannungsanforderungen.
  • Kontinuierlicher Drainstrom (5,2A): Bietet ausreichend Leistung für verschiedene Lasten.
  • Geringer Durchlasswiderstand (1,8 Ohm): Minimiert Verluste und verbessert die Effizienz.
  • Hohe Verlustleistung (125W): Ermöglicht den Betrieb bei höheren Temperaturen und Lasten.
  • TO220 Gehäuse: Einfache Montage und Kühlung.

Diese Kombination aus Leistung, Schutz und Benutzerfreundlichkeit macht den STP7NK80Z zu einem unverzichtbaren Bestandteil für Ihre Leistungselektronikprojekte.

Anwendungsbereiche des STP7NK80Z

Die Vielseitigkeit des STP7NK80Z eröffnet Ihnen eine breite Palette von Anwendungsmöglichkeiten:

  • Schaltnetzteile (SMPS): Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Netzteile.
  • Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient.
  • Leistungsverstärker: Verstärken Sie Signale mit hoher Leistung und geringer Verzerrung.
  • Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um – ideal für Solaranlagen und USV-Systeme.
  • Beleuchtungstechnik: Steuern Sie LED-Beleuchtungssysteme präzise und energieeffizient.
  • Induktionserwärmung: Erwärmen Sie Materialien schnell und effizient.

Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobbybastler sind, der STP7NK80Z ist die perfekte Wahl, um Ihre Projekte zum Erfolg zu führen.

Warum der STP7NK80Z die richtige Wahl ist

Es gibt viele Gründe, sich für den STP7NK80Z zu entscheiden. Hier sind einige der wichtigsten Vorteile:

  • Zuverlässigkeit: Der STP7NK80Z ist ein robustes und zuverlässiges Bauteil, das auch unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig funktioniert.
  • Effizienz: Der geringe Durchlasswiderstand minimiert Verluste und sorgt für eine hohe Effizienz.
  • Benutzerfreundlichkeit: Das TO220 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und Kühlung.
  • Vielseitigkeit: Der STP7NK80Z eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen.
  • Kosteneffizienz: Ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis macht den STP7NK80Z zu einer attraktiven Option.

Investieren Sie in Qualität und Leistung – entscheiden Sie sich für den STP7NK80Z und profitieren Sie von seinen zahlreichen Vorteilen.

Technische Daten im Überblick

Um Ihnen einen umfassenden Überblick zu verschaffen, finden Sie hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des STP7NK80Z:

Parameter Wert Einheit
Sperrspannung (VDS) 800 V
Kontinuierlicher Drainstrom (ID) 5,2 A
Puls-Drainstrom (IDM) 20,8 A
Verlustleistung (PD) 125 W
Durchlasswiderstand (RDS(on)) 1,8 Ohm
Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) 2 – 4 V
Gehäuse TO220 –

Diese Daten geben Ihnen einen klaren Einblick in die Leistungsfähigkeit und die Einsatzmöglichkeiten des STP7NK80Z.

Optimieren Sie Ihre Projekte mit dem STP7NK80Z

Stellen Sie sich vor, wie der STP7NK80Z Ihre Projekte transformieren kann. Denken Sie an die verbesserte Effizienz, die geringere Wärmeentwicklung und die erhöhte Zuverlässigkeit. Mit dem STP7NK80Z in Ihren Händen sind Sie bestens gerüstet, um Ihre Visionen zu verwirklichen und innovative Lösungen zu entwickeln.

Warten Sie nicht länger! Bestellen Sie Ihren STP7NK80Z noch heute und erleben Sie den Unterschied.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP7NK80Z

Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STP7NK80Z:

  1. Was ist der unterschied zwischen einem N-Kanal und einem P-Kanal MOSFET?

    Ein N-Kanal MOSFET leitet Strom, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird, während ein P-Kanal MOSFET Strom leitet, wenn eine negative Spannung an das Gate angelegt wird. N-Kanal MOSFETs sind in der Regel effizienter und werden häufiger verwendet.

  2. Was bedeutet die integrierte Z-Diode beim STP7NK80Z?

    Die integrierte Z-Diode schützt den MOSFET vor Überspannungen, indem sie überschüssige Spannung ableitet. Dies erhöht die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bauteils.

  3. Kann ich den STP7NK80Z für PWM-Anwendungen verwenden?

    Ja, der STP7NK80Z eignet sich hervorragend für PWM-Anwendungen (Pulsweitenmodulation) aufgrund seiner schnellen Schaltzeiten und hohen Effizienz.

  4. Wie kühle ich den STP7NK80Z richtig?

    Um den STP7NK80Z richtig zu kühlen, empfiehlt sich die Verwendung eines Kühlkörpers, der auf das TO220-Gehäuse passt. Stellen Sie sicher, dass der Kühlkörper ausreichend dimensioniert ist, um die Wärme abzuführen, die durch die Verlustleistung des MOSFET entsteht. Wärmeleitpaste zwischen MOSFET und Kühlkörper verbessert den Wärmeübergang.

  5. Welche Alternativen gibt es zum STP7NK80Z?

    Alternativen zum STP7NK80Z sind beispielsweise der STF7NK80Z (gleiche Spezifikationen, aber als alternative Bezugsquelle) oder andere MOSFETs mit ähnlichen Spannungs- und Stromwerten, je nach spezifischer Anwendung.

  6. Wo finde ich das Datenblatt für den STP7NK80Z?

    Das Datenblatt für den STP7NK80Z finden Sie in der Regel auf der Webseite des Herstellers (STMicroelectronics) oder auf Elektronik-Distributionsplattformen. Die Suche nach „STP7NK80Z datasheet“ in einer Suchmaschine führt Sie direkt zum entsprechenden Dokument.

  7. Ist der STP7NK80Z ESD-empfindlich?

    Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der STP7NK80Z ESD-empfindlich. Es ist wichtig, ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands, um Schäden beim Umgang mit dem Bauteil zu vermeiden.

Bewertungen: 4.6 / 5. 520

Zusätzliche Informationen
Marke

ST MICROELECTRONICS

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