STP5NK80Z – Der Schlüssel zu effizienter Leistung in Ihren Projekten
Entdecken Sie den STP5NK80Z, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET mit integrierter Z-Diode, der neue Maßstäbe in Sachen Effizienz und Zuverlässigkeit setzt. Dieses Bauelement ist nicht nur ein weiteres Produkt in unserem Sortiment, sondern ein Schlüssel, der Ihnen die Tür zu innovativen und energieeffizienten Anwendungen öffnet. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen ist der STP5NK80Z ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, von Schaltnetzteilen bis hin zu Motorsteuerungen.
Technische Details, die überzeugen
Der STP5NK80Z zeichnet sich durch seine hohe Spannungsfestigkeit von 800 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von 4,3 A aus. Der niedrige Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 2,4 Ohm minimiert Leistungsverluste und sorgt für einen effizienten Betrieb Ihrer Schaltungen. Das TO-220 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und effektive Wärmeableitung, was die Lebensdauer und Zuverlässigkeit des MOSFETs erhöht.
- Typ: N-Kanal MOSFET mit Z-Diode
- Spannungsfestigkeit (Vds): 800 V
- Drainstrom (Id): 4,3 A
- Einschaltwiderstand (Rds(on)): 2,4 Ohm
- Gehäuse: TO-220
Anwendungsbereiche – Wo der STP5NK80Z glänzt
Die Vielseitigkeit des STP5NK80Z macht ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für eine breite Palette von Anwendungen. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken ausspielt:
- Schaltnetzteile: Erhöhen Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Stromversorgungen.
- Motorsteuerungen: Präzise und energieeffiziente Steuerung von Motoren.
- Leuchtstofflampen-Vorschaltgeräte: Optimieren Sie die Leistung und Lebensdauer Ihrer Beleuchtungssysteme.
- Hochfrequenz-Schaltanwendungen: Zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Schaltungen.
- Leistungsfaktorenkorrektur (PFC): Verbessern Sie die Energieeffizienz und reduzieren Sie Netzrückwirkungen.
Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein neues Schaltnetzteil für einen energieeffizienten Server. Mit dem STP5NK80Z können Sie nicht nur die Effizienz steigern, sondern auch die Zuverlässigkeit verbessern und somit die Lebensdauer des Servers verlängern. Oder denken Sie an die Entwicklung einer Motorsteuerung für ein Elektrofahrrad. Der niedrige Einschaltwiderstand des MOSFETs ermöglicht eine präzise und energieeffiziente Steuerung des Motors, was zu einer höheren Reichweite und einem besseren Fahrerlebnis führt.
Warum der STP5NK80Z die richtige Wahl ist
Neben den technischen Daten und Anwendungsbereichen gibt es noch weitere Gründe, warum der STP5NK80Z eine ausgezeichnete Wahl für Ihre Projekte ist:
- Hohe Effizienz: Der niedrige Rds(on) minimiert Leistungsverluste und spart Energie.
- Zuverlässigkeit: Das robuste TO-220 Gehäuse und die hohe Spannungsfestigkeit gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
- Einfache Integration: Das standardmäßige TO-220 Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage und den Austausch vorhandener Bauelemente.
- Kosteneffektivität: Ein ausgezeichnetes Preis-Leistungs-Verhältnis macht den STP5NK80Z zu einer lohnenden Investition.
Technische Daten im Überblick
Für einen schnellen Überblick über die wichtigsten technischen Daten haben wir diese in einer Tabelle zusammengefasst:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 800 | V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (Id) | 4.3 | A |
| Puls-Drainstrom (Idm) | 12.9 | A |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±30 | V |
| Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei Vgs=10V | 2.4 | Ohm |
| Gesamt-Gate-Ladung (Qg) | 14 | nC |
| Einschaltverzögerungszeit (Td(on)) | 9 | ns |
| Ausschaltverzögerungszeit (Td(off)) | 20 | ns |
| Leistungsverlust (Pd) | 125 | W |
| Betriebstemperatur | -55 bis +150 | °C |
| Gehäuse | TO-220 |
Diese Tabelle bietet Ihnen einen klaren und prägnanten Überblick über die wichtigsten technischen Eigenschaften des STP5NK80Z. Sie ermöglicht es Ihnen, schnell zu beurteilen, ob dieser MOSFET Ihren Anforderungen entspricht.
Der STP5NK80Z in der Praxis: Ein Beispiel
Stellen Sie sich vor, Sie arbeiten an einem Projekt, das eine hocheffiziente LED-Beleuchtungslösung für ein Gewächshaus erfordert. Der STP5NK80Z kann in der Ansteuerung der LEDs eine entscheidende Rolle spielen. Durch seine hohe Spannungsfestigkeit und den geringen Einschaltwiderstand ermöglicht er eine präzise Steuerung des LED-Stroms, was zu einer optimalen Lichtausbeute und einer längeren Lebensdauer der LEDs führt. Darüber hinaus reduziert die Effizienz des MOSFETs den Energieverbrauch und senkt somit die Betriebskosten des Gewächshauses. Dieses Beispiel zeigt, wie der STP5NK80Z nicht nur ein Bauelement ist, sondern ein integraler Bestandteil einer nachhaltigen und effizienten Lösung.
Fazit: Investieren Sie in Leistung und Zuverlässigkeit
Der STP5NK80Z ist mehr als nur ein MOSFET; er ist eine Investition in die Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz Ihrer Projekte. Egal, ob Sie ein erfahrener Ingenieur oder ein ambitionierter Hobby-Elektroniker sind, dieser MOSFET wird Ihnen helfen, Ihre Ziele zu erreichen und Ihre Visionen zu verwirklichen. Bestellen Sie Ihren STP5NK80Z noch heute und erleben Sie den Unterschied!
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP5NK80Z
1. Was bedeutet die Bezeichnung „N-Ch+Z-Dio“?
Die Bezeichnung „N-Ch“ steht für N-Kanal MOSFET. „Z-Dio“ bedeutet, dass eine Zener-Diode intern zwischen Gate und Source integriert ist, um den MOSFET vor Überspannungen zu schützen.
2. Kann ich den STP5NK80Z auch für PWM-Anwendungen verwenden?
Ja, der STP5NK80Z eignet sich sehr gut für PWM (Pulsweitenmodulation) Anwendungen. Seine schnellen Schaltzeiten und der geringe Einschaltwiderstand ermöglichen einen effizienten Betrieb bei hohen Frequenzen.
3. Welche Kühlung ist für den STP5NK80Z erforderlich?
Die benötigte Kühlung hängt von der Leistungsaufnahme und der Umgebungstemperatur ab. Bei höheren Strömen und längeren Betriebszeiten ist ein Kühlkörper empfehlenswert, um die maximale Betriebstemperatur nicht zu überschreiten. Siehe Datenblatt für Details.
4. Ist der STP5NK80Z ESD-empfindlich?
Ja, wie die meisten MOSFETs ist auch der STP5NK80Z ESD-empfindlich. Es ist wichtig, beim Umgang mit dem Bauelement ESD-Schutzmaßnahmen zu ergreifen, wie z.B. das Tragen eines Erdungsarmbands.
5. Wo finde ich das Datenblatt für den STP5NK80Z?
Das Datenblatt für den STP5NK80Z finden Sie auf der Website des Herstellers STMicroelectronics oder auf verschiedenen Elektronik-Websites. Dort finden Sie detaillierte technische Informationen und Anwendungsbeispiele.
6. Was ist der Unterschied zwischen einem MOSFET und einem Bipolar Transistor?
MOSFETs sind spannungsgesteuerte Bauelemente, während Bipolartransistoren stromgesteuert sind. MOSFETs haben im Allgemeinen einen höheren Eingangswiderstand und schnellere Schaltzeiten als Bipolartransistoren.
7. Kann ich den STP5NK80Z parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, MOSFETs parallel zu schalten, um den Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig sicherzustellen, dass die MOSFETs gut aufeinander abgestimmt sind und dass die Last gleichmäßig auf die einzelnen MOSFETs verteilt wird. Dies kann durch den Einsatz von separaten Gate-Widerständen und sorgfältige Layout-Planung erreicht werden.
