STP140N8F7 – Der ultimative N-Kanal MOSFET für anspruchsvolle Anwendungen
Entdecken Sie den STP140N8F7, einen leistungsstarken N-Kanal MOSFET, der in puncto Effizienz und Zuverlässigkeit neue Maßstäbe setzt. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen ist dieser MOSFET die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen, von der Stromversorgung bis hin zur Motorsteuerung. Lassen Sie sich von seiner Performance begeistern und heben Sie Ihre Projekte auf ein neues Level!
Leistungsmerkmale, die überzeugen
Der STP140N8F7 ist nicht nur ein weiterer MOSFET auf dem Markt – er ist ein Kraftpaket, das Ihre Erwartungen übertreffen wird. Hier sind einige seiner herausragenden Merkmale:
- Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer Drain-Source-Spannung (Vds) von 80V ist dieser MOSFET bestens gerüstet, um auch anspruchsvolle Spannungsanforderungen zu meistern.
- Enorme Strombelastbarkeit: Ein kontinuierlicher Drainstrom (Id) von 90A ermöglicht den Einsatz in leistungshungrigen Anwendungen, ohne Kompromisse bei der Sicherheit einzugehen.
- Beeindruckende Verlustleistung: Eine Verlustleistung (Pd) von 200W sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und verlängert die Lebensdauer des MOSFETs.
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand: Mit einem RDS(on) von nur 0,0043 Ohm minimiert der STP140N8F7 die Verluste und maximiert die Effizienz Ihrer Schaltung.
- Robustes Gehäuse: Das TO220-Gehäuse gewährleistet eine einfache Montage und eine effektive Wärmeableitung.
Technische Daten im Überblick
Um Ihnen einen detaillierten Einblick in die Leistungsfähigkeit des STP140N8F7 zu geben, haben wir hier die wichtigsten technischen Daten übersichtlich zusammengefasst:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 80 | V |
| Gate-Source-Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (Id) | 90 | A |
| Puls-Drainstrom (Idm) | 360 | A |
| Verlustleistung (Pd) | 200 | W |
| Einschaltwiderstand (RDS(on)) | 0,0043 | Ohm |
| Gehäuse | TO220 | – |
| Betriebstemperatur | -55 bis +175 | °C |
Anwendungsbereiche, die begeistern
Die Vielseitigkeit des STP140N8F7 kennt kaum Grenzen. Hier sind nur einige Beispiele für die unzähligen Einsatzmöglichkeiten dieses außergewöhnlichen MOSFETs:
- Schaltnetzteile: Optimieren Sie die Effizienz und Leistung Ihrer Stromversorgungen.
- DC-DC-Wandler: Erzielen Sie eine stabile und zuverlässige Spannungsregelung.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie Motoren präzise und effizient.
- Wechselrichter: Wandeln Sie Gleichstrom in Wechselstrom um, ohne Kompromisse bei der Performance einzugehen.
- Batteriemanagementsysteme (BMS): Schützen Sie Ihre Batterien und optimieren Sie deren Lebensdauer.
- Leistungsverstärker: Erreichen Sie eine hohe Ausgangsleistung mit geringen Verzerrungen.
- Industrielle Automatisierung: Steuern Sie Prozesse präzise und zuverlässig.
Ob Sie ein erfahrener Ingenieur, ein ambitionierter Bastler oder ein Student sind, der die Welt der Elektronik erkundet – der STP140N8F7 wird Sie mit seiner Leistung und Zuverlässigkeit begeistern. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und verwirklichen Sie Ihre innovativsten Projekte!
Der STP140N8F7 ist mehr als nur ein Bauteil – er ist ein Schlüssel zu neuen Möglichkeiten. Nutzen Sie seine Leistungsfähigkeit und bringen Sie Ihre Projekte auf die nächste Stufe. Bestellen Sie noch heute und erleben Sie den Unterschied!
Qualität, die überzeugt
Wir wissen, dass Qualität entscheidend ist. Deshalb beziehen wir den STP140N8F7 ausschließlich von renommierten Herstellern und Distributoren. Jedes Bauteil wird sorgfältig geprüft, um sicherzustellen, dass es unseren hohen Qualitätsstandards entspricht. So können Sie sich darauf verlassen, dass Sie ein Produkt erhalten, das nicht nur leistungsstark, sondern auch langlebig und zuverlässig ist.
Warum Sie sich für den STP140N8F7 entscheiden sollten
Die Wahl des richtigen MOSFETs ist entscheidend für den Erfolg Ihres Projekts. Hier sind die wichtigsten Gründe, warum der STP140N8F7 die ideale Wahl ist:
- Unübertroffene Leistung: Hohe Spannungsfestigkeit, enorme Strombelastbarkeit und extrem niedriger Einschaltwiderstand.
- Hohe Effizienz: Minimiert Verluste und maximiert die Leistung Ihrer Schaltung.
- Robust und zuverlässig: Langlebiges TO220-Gehäuse und sorgfältige Qualitätskontrolle.
- Vielseitig einsetzbar: Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen.
- Einfache Handhabung: Leicht zu montieren und zu integrieren.
Mit dem STP140N8F7 investieren Sie in ein Produkt, das Ihre Erwartungen übertreffen wird. Erleben Sie die Freude, Ihre Projekte mit einem MOSFET zu realisieren, der in jeder Hinsicht überzeugt.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP140N8F7
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STP140N8F7. Wenn Sie weitere Fragen haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren!
Was bedeutet die Bezeichnung „N-Kanal MOSFET“?
Ein N-Kanal MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Transistor, der den Stromfluss zwischen Drain und Source durch Anlegen einer Spannung an das Gate steuert. Im Gegensatz zu P-Kanal MOSFETs leitet der N-Kanal MOSFET, wenn eine positive Spannung an das Gate angelegt wird.
Welche Kühlkörpergröße benötige ich für den STP140N8F7?
Die benötigte Kühlkörpergröße hängt von der Verlustleistung (Pd) und der Umgebungstemperatur ab. Bei hohen Verlustleistungen ist ein größerer Kühlkörper erforderlich, um die Wärme effektiv abzuführen und eine Überhitzung des MOSFETs zu vermeiden. Bitte beachten Sie das Datenblatt für detaillierte Informationen und Berechnungen.
Kann ich den STP140N8F7 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, der STP140N8F7 kann parallel geschaltet werden, um den Strom zu erhöhen. Es ist jedoch wichtig, Maßnahmen zu ergreifen, um eine gleichmäßige Stromverteilung zwischen den MOSFETs zu gewährleisten. Dies kann durch den Einsatz von separaten Gate-Widerständen und sorgfältiger Leiterbahnführung erreicht werden.
Was ist der Unterschied zwischen Vgs(th) und Vgs(max)?
Vgs(th) (Gate-Source-Schwellenspannung) ist die minimale Spannung, die an das Gate angelegt werden muss, um den MOSFET einzuschalten. Vgs(max) (maximale Gate-Source-Spannung) ist die maximale Spannung, die an das Gate angelegt werden darf, ohne den MOSFET zu beschädigen.
Wie schütze ich den STP140N8F7 vor elektrostatischen Entladungen (ESD)?
Um den STP140N8F7 vor ESD-Schäden zu schützen, sollten Sie antistatische Maßnahmen ergreifen, wie z. B. das Tragen eines Erdungsarmbandes, die Verwendung einer antistatischen Arbeitsfläche und die Lagerung des MOSFETs in einer antistatischen Verpackung.
Welche Alternativen gibt es zum STP140N8F7?
Es gibt verschiedene Alternativen zum STP140N8F7, abhängig von Ihren spezifischen Anforderungen. Einige mögliche Alternativen sind der IRLB8721, der IRF3205 und der FQP30N06L. Bitte vergleichen Sie die technischen Daten, um die beste Option für Ihre Anwendung zu finden.
Wo finde ich das Datenblatt für den STP140N8F7?
Das Datenblatt für den STP140N8F7 finden Sie auf der Website des Herstellers (z.B. STMicroelectronics) oder auf verschiedenen Online-Datenblatt-Archiven.
Ist der STP140N8F7 RoHS-konform?
In den meisten Fällen ist der STP140N8F7 RoHS-konform. Um sicherzustellen, dass das von Ihnen gekaufte Produkt RoHS-konform ist, überprüfen Sie bitte die Produktkennzeichnung oder kontaktieren Sie uns.
