STP120NF10 – Der Schlüssel zu Ihrer High-Performance Anwendung
Tauchen Sie ein in die Welt der Leistungselektronik mit dem STP120NF10, einem N-Kanal MOSFET, der entwickelt wurde, um Ihre anspruchsvollsten Projekte mit Bravour zu meistern. Dieser robuste und zuverlässige Baustein ist nicht nur ein elektronisches Bauteil, sondern ein Versprechen für Effizienz, Stabilität und unübertroffene Performance. Stellen Sie sich vor, Sie entwickeln ein energieeffizientes Netzteil, einen leistungsstarken Motorantrieb oder ein innovatives Solarsystem – der STP120NF10 ist der Schlüssel, um Ihre Visionen Wirklichkeit werden zu lassen.
Unübertroffene Leistung für Ihre Anwendungen
Der STP120NF10 überzeugt mit beeindruckenden Spezifikationen, die ihn zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen machen:
- Spannung: 100V – Bietet ausreichend Spielraum für anspruchsvolle Schaltungen.
- Strom: 110A – Liefert die nötige Kraft für leistungsstarke Anwendungen.
- Leistung: 312W – Ermöglicht den Betrieb in thermisch anspruchsvollen Umgebungen.
- Widerstand (Rds(on)): 0,0105 Ohm – Minimiert Verluste und maximiert die Effizienz.
- Gehäuse: TO220 – Garantiert eine einfache Integration und effektive Wärmeableitung.
Diese Kombination aus Leistung, Effizienz und Robustheit macht den STP120NF10 zu einem unverzichtbaren Baustein für Ingenieure, Entwickler und Elektronik-Enthusiasten, die keine Kompromisse eingehen wollen. Erleben Sie, wie dieser MOSFET Ihre Projekte auf ein neues Level hebt.
Technische Daten im Detail
Um Ihnen einen umfassenden Überblick zu geben, hier eine detaillierte Tabelle mit den wichtigsten technischen Daten des STP120NF10:
| Parameter | Wert | Einheit |
|---|---|---|
| Drain-Source Spannung (Vds) | 100 | V |
| Gate-Source Spannung (Vgs) | ±20 | V |
| Drain Strom (Id) | 110 | A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 440 | A |
| Total Power Dissipation (Pd) | 312 | W |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55 bis +175 | °C |
| Drain-Source On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V | 0.0105 | Ohm |
| Gate Charge (Qg) | 60 | nC |
| Rise Time (tr) | 30 | ns |
| Fall Time (tf) | 40 | ns |
| Package / Case | TO-220 |
Diese detaillierten Informationen ermöglichen es Ihnen, den STP120NF10 optimal in Ihre Schaltungen zu integrieren und seine Leistungsfähigkeit voll auszuschöpfen. Vertrauen Sie auf die Präzision und Verlässlichkeit dieses Bausteins, um Ihre Projekte erfolgreich zu realisieren.
Anwendungsbereiche, die begeistern
Der STP120NF10 ist ein wahrer Alleskönner, wenn es um anspruchsvolle Anwendungen geht. Hier sind einige Beispiele, wo dieser MOSFET seine Stärken voll ausspielen kann:
- Schaltnetzteile: Erhöhen Sie die Effizienz und Stabilität Ihrer Netzteile für Server, Computer und andere elektronische Geräte.
- Motorsteuerungen: Steuern Sie leistungsstarke Motoren präzise und effizient in Elektrofahrzeugen, Robotern und industriellen Anwendungen.
- DC-DC Wandler: Wandeln Sie Spannungen effizient um, um elektronische Geräte mit der optimalen Spannung zu versorgen.
- Solarsysteme: Optimieren Sie die Energieumwandlung in Solaranlagen für eine maximale Ausbeute.
- USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung): Sichern Sie die Stromversorgung kritischer Geräte bei Stromausfällen.
- Audio-Verstärker: Erleben Sie einen klaren und kraftvollen Klang in High-End-Audioverstärkern.
Die Vielseitigkeit des STP120NF10 kennt kaum Grenzen. Lassen Sie Ihrer Kreativität freien Lauf und entdecken Sie neue Anwendungsmöglichkeiten, die Ihre Projekte noch innovativer und erfolgreicher machen.
Warum der STP120NF10 Ihre erste Wahl sein sollte
In einer Welt, in der Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit zählen, ist der STP120NF10 die perfekte Wahl. Er bietet nicht nur erstklassige technische Daten, sondern auch ein unschlagbares Preis-Leistungs-Verhältnis. Mit diesem MOSFET investieren Sie in die Zukunft Ihrer Projekte und sichern sich einen Wettbewerbsvorteil.
Darüber hinaus profitieren Sie von der einfachen Verfügbarkeit und der breiten Unterstützung durch die Community. Zahlreiche Applikationshinweise, Datenblätter und Forenbeiträge helfen Ihnen bei der Integration und Optimierung des STP120NF10 in Ihre Schaltungen.
Entscheiden Sie sich für den STP120NF10 und erleben Sie, wie Ihre Projekte mit neuer Energie und Effizienz zum Leben erweckt werden. Erwecken Sie das Potenzial Ihrer Ideen und gestalten Sie die Zukunft der Elektronik!
Einfache Integration dank TO-220 Gehäuse
Das TO-220 Gehäuse des STP120NF10 ist ein Segen für jeden, der Wert auf eine einfache und effiziente Integration legt. Es ermöglicht eine unkomplizierte Montage auf Kühlkörpern, was für die Ableitung der Wärme bei höheren Leistungen unerlässlich ist. Die weit verbreitete Bauform sorgt zudem für eine hohe Kompatibilität mit bestehenden Designs und vereinfacht den Austausch anderer Bauteile im gleichen Gehäuse. Dank der robusten Bauweise ist der STP120NF10 im TO-220 Gehäuse auch widerstandsfähig gegenüber mechanischen Belastungen, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für anspruchsvolle Umgebungen macht. Kurz gesagt, das TO-220 Gehäuse macht den STP120NF10 nicht nur leistungsstark, sondern auch benutzerfreundlich.
FAQ – Häufig gestellte Fragen zum STP120NF10
Hier finden Sie Antworten auf häufig gestellte Fragen zum STP120NF10, um Ihnen die Entscheidung zu erleichtern und Ihnen bei der optimalen Nutzung dieses leistungsstarken MOSFETs zu helfen.
Kann ich den STP120NF10 parallel schalten, um den Strom zu erhöhen?
Ja, es ist möglich, den STP120NF10 parallel zu schalten, um den maximalen Strom zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig, auf eine gleichmäßige Stromverteilung zwischen den MOSFETs zu achten, um eine Überlastung einzelner Bauteile zu vermeiden. Dies kann durch den Einsatz von kleinen Widerständen in Reihe mit jedem MOSFET erreicht werden, um geringfügige Unterschiede in den Kennlinien auszugleichen.
Welche Kühlkörpergröße benötige ich für den STP120NF10 bei maximaler Leistung?
Die benötigte Kühlkörpergröße hängt von der Umgebungstemperatur und der Verlustleistung ab. Es ist wichtig, dass die Junction Temperature (Tj) des MOSFETs nicht überschritten wird. Berechnen Sie die Verlustleistung (Pd) und wählen Sie einen Kühlkörper, dessen Wärmewiderstand (Rth) ausreichend niedrig ist, um die Wärme effektiv abzuführen. Datenblätter und Applikationshinweise von Kühlkörperherstellern bieten hier wertvolle Informationen.
Wie schütze ich den STP120NF10 vor Überspannung?
Überspannung kann den STP120NF10 beschädigen. Verwenden Sie TVS-Dioden (Transient Voltage Suppression) oder Zener-Dioden, um die Spannung am Drain-Source-Anschluss zu begrenzen. Diese Dioden leiten Überspannungen ab und schützen den MOSFET vor Beschädigungen.
Ist der STP120NF10 auch für High-Frequency-Switching-Anwendungen geeignet?
Der STP120NF10 kann auch in High-Frequency-Switching-Anwendungen eingesetzt werden, aber es ist wichtig, die Schaltverluste zu berücksichtigen. Die Schaltzeiten (Rise Time und Fall Time) spielen hier eine wichtige Rolle. Optimieren Sie die Ansteuerschaltung (Gate Driver), um die Schaltverluste zu minimieren und die Effizienz zu maximieren.
Wo finde ich detaillierte Applikationshinweise für den STP120NF10?
Detaillierte Applikationshinweise, Datenblätter und Spice-Modelle finden Sie auf der Website des Herstellers STMicroelectronics. Suchen Sie nach dem STP120NF10 auf der ST-Website, um Zugriff auf alle relevanten Dokumente zu erhalten.
Kann ich den STP120NF10 auch mit einer Gate-Source-Spannung unter 10V betreiben?
Ja, der STP120NF10 kann auch mit einer Gate-Source-Spannung unter 10V betrieben werden. Allerdings ist zu beachten, dass der Drain-Source-On-State Resistance (Rds(on)) bei niedrigeren Gate-Spannungen höher ist, was zu höheren Verlusten und geringerer Effizienz führen kann. Prüfen Sie das Datenblatt für die typischen Rds(on)-Werte bei verschiedenen Gate-Spannungen.
Welche alternativen MOSFETs gibt es zum STP120NF10?
Es gibt verschiedene alternative MOSFETs zum STP120NF10, abhängig von den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung. Einige Beispiele sind der IRFP260N, der FQA11N90 und der BUZ11. Vergleichen Sie die technischen Daten dieser Alternativen mit den Anforderungen Ihrer Schaltung, um den optimalen MOSFET auszuwählen.
