Zum Inhalt springen
Lan.deLan.de
  • Alle Kategorien
  • Alle Kategorien
    • Magazin
    • 3D Druck / CNC
    • Bauelemente (aktiv)
    • Bauelemente (mechanisch)
    • Bauelemente (passiv)
    • Büro & Kommunikation
    • Büro- & Taschenrechner
    • Bürostühle
    • Chipkartentechnik
    • Entwicklerboards
    • Foto & Video
    • Gestalten & Dekorieren
    • Haus- & Sicherheitstechnik
    • Kleben & Verpacken
    • Lichttechnik
    • Messtechnik & Werkstattbedarf
    • Pantry / Facility
    • PC-Arbeitsplatz
    • PC-Technik
    • Präsentation
    • Speichermedien & Zubehör
    • Stromversorgung
    • TV-Empfangstechnik
    • Unterhaltungselektronik
  • Magazin
  • Entwicklerboards
  • Stromversorgung
  • Messtechnik
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Netzwerktechnik
  • PC-Technik
Start » Bauelemente, aktiv » Transistoren » Uni-/Bipolartransistoren (FETs) » MOSFETs
STP10P6F6 - MOSFET P-Ch 60V 10A 30W 0

STP10P6F6 – MOSFET P-Ch 60V 10A 30W 0,16R TO220

1,75 €

  • Lieferzeit: 1-2 Werktage
  • ab Lager

Zum Partnershop

Artikelnummer: 6aeaa5003e3b Kategorie: MOSFETs
  • Automatisierte Fertigung (3D Druck/CNC)
  • Bauelemente, aktiv
    • Dioden, Gleichrichter, Triacs etc.
    • ICs & Controller
    • Optoelektronik
    • Programmer / Entwicklungstools
    • Röhren
    • Signalakustik
    • Transistoren
      • Bipolar-Transistoren (BJTs)
      • IGBT-Transistoren
      • Uni-/Bipolartransistoren (FETs)
        • JFETs
        • MOSFETs
        • MOSFETTreiber
  • Bauelemente, mechanisch
  • Bauelemente, passiv
  • Büro & Kommunikation
  • Büro-/Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Elektro-Kleingeräte
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Gesundheit & Fitness
  • Haus- und Sicherheitstechnik
  • Haushalt & Garten
  • Haustierbedarf
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik und Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Partner
Beschreibung

Inhalt

Toggle
  • STP10P6F6 – P-Kanal MOSFET für zuverlässige Schaltanwendungen
  • Überlegene Leistung und Effizienz des STP10P6F6
  • Technologische Spitzenklasse für anspruchsvolle Applikationen
  • Herausragende Merkmale und Vorteile
  • Detaillierte Spezifikationen und Einsatzgebiete
  • Technische Eigenschaften im Überblick
  • Vertiefung in die Material- und Fertigungsqualität
  • FAQ – Häufig gestellte Fragen zu STP10P6F6 – MOSFET P-Ch 60V 10A 30W 0,16R TO220
    • Was ist die Hauptanwendung des STP10P6F6?
    • Warum ist der niedrige Durchlasswiderstand (RDS(on)) so wichtig?
    • Welche Art von Gate-Ansteuerung wird für diesen P-Kanal MOSFET benötigt?
    • Ist das TO-220 Gehäuse für Kühlung ausreichend?
    • Kann der STP10P6F6 als Lastschalter für eine 12V-Batterie verwendet werden?
    • Was bedeutet die P-Kanal-Konfiguration im Vergleich zu einem N-Kanal MOSFET?
    • Gibt es spezielle Hinweise für die Handhabung und Montage des STP10P6F6?

STP10P6F6 – P-Kanal MOSFET für zuverlässige Schaltanwendungen

Sie benötigen eine leistungsstarke und verlässliche Lösung für Ihre Schaltungsdesign-Anforderungen, insbesondere im Bereich der Leistungssteuerung? Der STP10P6F6 – ein P-Kanal MOSFET mit 60V Spannungsfestigkeit, 10A Strombelastbarkeit und 30W Verlustleistung, der sich durch seinen geringen Durchlasswiderstand von nur 0,16 Ohm auszeichnet – ist die ideale Komponente. Dieser MOSFET wurde entwickelt, um Effizienz und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen elektronischen Systemen zu gewährleisten, sei es in der Industrieautomatisierung, in Stromversorgungen oder in komplexen Schaltungskonzepten.

Überlegene Leistung und Effizienz des STP10P6F6

Im Vergleich zu herkömmlichen Leistungstransistoren bietet der STP10P6F6 entscheidende Vorteile, die ihn zur bevorzugten Wahl für Profis machen. Sein optimiertes Design minimiert parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten, was zu schnelleren Schaltzeiten und geringeren Schaltverlusten führt. Der niedrige RDS(on) von 0,16 Ohm minimiert den Spannungsabfall bei hohen Strömen und reduziert somit die Wärmeentwicklung signifikant. Dies ermöglicht nicht nur kompaktere Kühllösungen, sondern erhöht auch die Gesamteffizienz Ihrer Schaltung, was insbesondere bei energieintensiven Anwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

Technologische Spitzenklasse für anspruchsvolle Applikationen

Der STP10P6F6 repräsentiert die Spitze der Halbleitertechnologie, speziell konzipiert für Anwendungen, die eine präzise und effiziente Leistungssteuerung erfordern. Seine robuste Konstruktion und die sorgfältige Auswahl der Materialien gewährleisten eine außergewöhnliche Langlebigkeit und Betriebssicherheit auch unter widrigen Bedingungen. Die P-Kanal-Konfiguration ermöglicht eine einfache Integration in gängige Schaltungstopologien, bei denen eine positive Gate-Ansteuerung zur Steuerung des Stromflusses genutzt wird.

Herausragende Merkmale und Vorteile

  • Niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on)): Mit nur 0,16 Ohm minimiert dieser MOSFET Leistungsverluste und erhöht die Effizienz, was zu geringerer Wärmeentwicklung und längerer Lebensdauer Ihrer Komponenten führt.
  • Hohe Strombelastbarkeit: Eine kontinuierliche Strombelastbarkeit von 10A ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von leistungsintensiven Applikationen.
  • Ausgezeichnete Spannungsfestigkeit: Die maximale Drain-Source-Spannung von 60V bietet ausreichend Spielraum für eine breite Palette von Schaltungsdesigns und schützt vor Überspannungsschäden.
  • Hohe Verlustleistungskapazität: Mit 30W kann der MOSFET auch bei anspruchsvollen Lasten zuverlässig arbeiten, ohne zu überhitzen.
  • Optimierte Schaltcharakteristik: Schnelle Schaltzeiten reduzieren die Schaltverluste und ermöglichen eine präzise Steuerung von Lasten.
  • Robustes TO-220 Gehäuse: Das Standard-TO-220-Gehäuse gewährleistet eine einfache Montage und eine gute Wärmeableitung, was für die Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung ist.
  • P-Kanal-Technologie: Ideal für Anwendungen, bei denen eine negative Gatespannung zur Abschaltung benötigt wird oder in push-pull-Konfigurationen.
  • Zuverlässigkeit und Langlebigkeit: Gefertigt nach höchsten Qualitätsstandards für maximale Betriebssicherheit und Lebensdauer.

Detaillierte Spezifikationen und Einsatzgebiete

Der STP10P6F6 ist mehr als nur ein Halbleiterbauteil; er ist eine Schlüsselkomponente für Entwickler, die Wert auf Präzision, Effizienz und Zuverlässigkeit legen. Seine technologischen Eigenschaften machen ihn prädestiniert für Anwendungen, bei denen standardmäßige MOSFETs an ihre Grenzen stoßen würden. Die Möglichkeit, hohe Ströme mit geringen Verlusten zu schalten, eröffnet neue Möglichkeiten im Design von Leistungselektronik.

Anwendungsbeispiele:

  • Stromversorgungsmanagement: Effiziente Schaltregler, DC-DC-Wandler, Batterie-Management-Systeme.
  • Motorsteuerungen: Präzise Ansteuerung von Gleichstrommotoren und Brushless-DC-Motoren.
  • Beleuchtungstechnik: Dimmerfunktionen und Steuerung von Hochleistungs-LEDs.
  • Industrielle Automatisierung: Schaltfunktionen in Steuerungs- und Regelungssystemen.
  • Schutzschaltungen: Überstrom- und Überspannungsschutz.

Technische Eigenschaften im Überblick

Eigenschaft Spezifikation
Typ P-Kanal MOSFET
VDS (Drain-Source-Spannung) 60 V
ID (Kontinuierlicher Drain-Strom) 10 A
PD (Leistungsverlust) 30 W
RDS(on) (Drain-Source-Widerstand bei VGS = -10V, ID = -5A) 0,16 Ω
VGS(th) (Gate-Source-Schwellenspannung, VDS = -10V, ID = -250µA) 2,0 V – 4,0 V (typisch 3,0 V)
Gehäuse TO-220
Schaltgeschwindigkeit Optimiert für schnelle Schaltanwendungen
Betriebstemperaturbereich -55 °C bis +150 °C
Isolationsspannung (Gehäuse/Kühlkörper) Standard für TO-220 (Kontaktfläche beachten)

Vertiefung in die Material- und Fertigungsqualität

Die Herstellung des STP10P6F6 erfolgt unter strengsten Qualitätskontrollen, um eine gleichbleibende Performance und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Der verwendete Silizium-Wafer ist speziell dotiert, um den gewünschten niedrigen Durchlasswiderstand und die hohe Spannungsfestigkeit zu erzielen. Die Passivierungsschichten und die Metallisierung sind so ausgelegt, dass sie auch unter thermischer Belastung und bei häufigen Schaltzyklen stabil bleiben. Das TO-220-Gehäuse bietet nicht nur eine robuste mechanische Verbindung, sondern auch eine effiziente Wärmeableitung über die Montagefläche. Die interne Bonddrahttechnologie ist auf Langlebigkeit und geringen Übergangswiderstand optimiert, was den insgesamt niedrigen RDS(on)-Wert unterstützt und somit zur Energieeffizienz des Gesamtsystems beiträgt.

FAQ – Häufig gestellte Fragen zu STP10P6F6 – MOSFET P-Ch 60V 10A 30W 0,16R TO220

Was ist die Hauptanwendung des STP10P6F6?

Der STP10P6F6 ist primär für Schaltanwendungen in der Leistungselektronik konzipiert. Seine Eigenschaften eignen ihn besonders für Anwendungen, bei denen ein effizientes Schalten hoher Ströme mit niedrigen Spannungsabfällen erforderlich ist, wie zum Beispiel in Stromversorgungen, Motorsteuerungen und ähnlichen leistungselektronischen Schaltungen.

Warum ist der niedrige Durchlasswiderstand (RDS(on)) so wichtig?

Ein niedriger RDS(on)-Wert bedeutet, dass der MOSFET bei eingeschaltetem Zustand nur einen geringen Widerstand bietet. Dies führt zu minimierten Leistungsverlusten in Form von Wärme und damit zu einer höheren Gesamteffizienz der Schaltung. Es ermöglicht auch den Einsatz in kompakteren Designs, da weniger Kühlung benötigt wird.

Welche Art von Gate-Ansteuerung wird für diesen P-Kanal MOSFET benötigt?

Für einen P-Kanal MOSFET wie den STP10P6F6 wird eine negative Gate-Source-Spannung (VGS) relativ zur Source benötigt, um ihn einzuschalten. Typischerweise liegt die Schwellenspannung (VGS(th)) im Bereich von 2V bis 4V, wobei eine negativere Spannung die Leitfähigkeit erhöht.

Ist das TO-220 Gehäuse für Kühlung ausreichend?

Das TO-220-Gehäuse bietet eine gute Grundlage für die Wärmeableitung, insbesondere durch die direkte Montage auf einer geeigneten Kühlfläche. Für Anwendungen, die die volle Leistung von 30W ausnutzen oder die maximale Strombelastbarkeit von 10A erreichen, kann jedoch eine zusätzliche Kühlung (z.B. ein Kühlkörper) zur Sicherstellung der Betriebstemperatur und Langlebigkeit erforderlich sein.

Kann der STP10P6F6 als Lastschalter für eine 12V-Batterie verwendet werden?

Ja, mit einer Spannungsfestigkeit von 60V ist der STP10P6F6 definitiv für die Steuerung von Lasten in einem 12V-System geeignet. Seine Strombelastbarkeit von 10A sollte dabei die Anforderungen der jeweiligen Last erfüllen können.

Was bedeutet die P-Kanal-Konfiguration im Vergleich zu einem N-Kanal MOSFET?

Ein P-Kanal MOSFET schaltet Strom im Source-Drain-Pfad, wenn eine negative Gate-Spannung angelegt wird. Dies steht im Gegensatz zu N-Kanal MOSFETs, die durch eine positive Gate-Spannung eingeschaltet werden. Die Wahl zwischen P- und N-Kanal hängt von der gewünschten Schaltungstopologie und der Logik der Ansteuerung ab.

Gibt es spezielle Hinweise für die Handhabung und Montage des STP10P6F6?

Wie alle Halbleiterbauteile sollte der STP10P6F6 vor elektrostatischer Entladung (ESD) geschützt werden. Bei der Montage ist auf eine gute thermische Verbindung zur Kühlfläche zu achten, falls eine solche verwendet wird. Die richtige Ausrichtung und die korrekte Polung der Anschlüsse sind für den ordnungsgemäßen Betrieb unerlässlich.

Bewertungen: 4.8 / 5. 325

Zusätzliche Informationen
Marke

ST MICROELECTRONICS

Ähnliche Produkte

DN2535N3-G - MOSFET

DN2535N3-G – MOSFET, N-CH, TO-92, 350 V, 0,15 A, 1 W

1,00 €
IRF 2804 - MOSFET

IRF 2804 – MOSFET, N-Kanal, 40 V, 75 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-220AB

1,85 €
BUZ 71A - MOSFET

BUZ 71A – MOSFET, N-CH, 50V, 13A, 40W, TO-220

0,99 €
BUZ 73A CSC - MOSFET

BUZ 73A CSC – MOSFET, N-CH, 200V, 5,8A, 40W, TO-220

1,10 €
IRLL 014N - MOSFET

IRLL 014N – MOSFET, N-CH, 55V, 2,8A, 2,1W, SOT-223

0,59 €
IRF 1404 - MOSFET

IRF 1404 – MOSFET, N-CH, 40V, 162A, 200W, TO-220AB

1,40 €
IRLML 0100 - MOSFET

IRLML 0100 – MOSFET, N-CH, 100V, 1,6A, 1,3W, SOT-23

0,32 €
FQU 11P06TU - MOSFET

FQU 11P06TU – MOSFET, P-CH, 60V, 9,4A, 38W, I-PAK

0,95 €
  • Impressum
  • Datenschutz
Copyright 2026 © lan.de
  • lan.de Logo
  • Magazin
  • 3D Druck / CNC
  • Bauelemente (aktiv)
  • Bauelemente (mechanisch)
  • Bauelemente (passiv)
  • Büro & Kommunikation
  • Büro- & Taschenrechner
  • Bürostühle
  • Chipkartentechnik
  • Entwicklerboards
  • Foto & Video
  • Gestalten & Dekorieren
  • Haus- & Sicherheitstechnik
  • Kleben & Verpacken
  • Lichttechnik
  • Messtechnik & Werkstattbedarf
  • Pantry / Facility
  • PC-Arbeitsplatz
  • PC-Technik
  • Präsentation
  • Speichermedien & Zubehör
  • Stromversorgung
  • TV-Empfangstechnik
  • Unterhaltungselektronik
Anzeige*
Close

zum Angebot
1,75 €